細(xì)胞外基質(zhì)預(yù)防氧化應(yīng)激誘導(dǎo)干細(xì)胞早衰的機(jī)制研究
【文章頁(yè)數(shù)】:85 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2:?H2〇2對(duì)UC-MSCs增殖能力的影響
結(jié)果?細(xì)胞外基質(zhì)預(yù)防氧化應(yīng)激誘導(dǎo)干細(xì)胞早衰的機(jī)制研宄??結(jié)果??3.1檢測(cè)H202對(duì)UC-MSCs衰老的影響??為了檢測(cè)吐02對(duì)UC-MSCs增殖能力的影響,我們首先將UC-MSCs按照1000??個(gè)細(xì)胞/cm2的密度接種在普通96孔板中,待貼細(xì)胞密度達(dá)到50%左右時(shí),以100?....
圖3:在H2〇2造成的細(xì)胞氧化應(yīng)激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2?(10〇nM,?20〇mM,400^M)??預(yù)處理UC-MSCs,以aMEM(10°/〇FBS,lOOU/mL青霉素,lOOjxg/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對(duì)照??組,在預(yù)處理后72小時(shí)后進(jìn)行流式細(xì)胞術(shù)分析
111?1?M??CTTFJL?100?mm?2〇o?mm??h2〇2??(B)??100-1?*?mm?ctrl??r^-j?h2〇2?100?mm??〇q.?r.?H2O2?200?mM??'f“?:.?H2O2?400?mM??f?6〇-|?1??爸40-?■畫(huà)?★??CL....
圖4:在H2〇2造成的細(xì)胞氧化應(yīng)激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2(1〇〇^M,?200^M,400pM)??預(yù)處理UC-MSCs,以aMEM?(10%FBS,?100U/mL青霉素,10〇ng/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對(duì)照??
細(xì)胞外基質(zhì)預(yù)防氧化應(yīng)激誘導(dǎo)干細(xì)胞早衰的機(jī)制研宄?結(jié)果??±1.39%,較200?_組沒(méi)有進(jìn)一步上調(diào),且貼壁細(xì)胞較別組明顯減少。??(A)?(B)??CTRL??^???100?(IM?200?mM?400?uM??_?麵一—_??dapi?m?m?§?i?1?-??H?■■■■■....
圖5:對(duì)UC-MSCs來(lái)源的DECM材料形態(tài)分析
結(jié)果?細(xì)胞外基質(zhì)預(yù)防氧化應(yīng)激誘導(dǎo)干細(xì)胞早衰的機(jī)制研究??(A)?(B)??.?■'??、々:\?<、,八入\/???,?'、:':i?:…?'?c?1?,???/?,??:二;??'■?*t??????圖5:對(duì)UC-MSCs來(lái)源的DECM材料形態(tài)分析。(A)在光學(xué)顯微鏡下觀察,D....
本文編號(hào):4042012
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