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細(xì)胞外基質(zhì)預(yù)防氧化應(yīng)激誘導(dǎo)干細(xì)胞早衰的機(jī)制研究

發(fā)布時(shí)間:2025-05-01 09:02
  [目的]:臍帶間充質(zhì)干細(xì)胞(umbilical-cord derived mesenchymal stem cells,UC-MSCs)可以通過(guò)便捷無(wú)害的方法獲得,在體外可長(zhǎng)期傳代培養(yǎng),在再生治療領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。在體內(nèi),干細(xì)胞生長(zhǎng)在細(xì)胞外基質(zhì)(extracelluarmatrix,ECM)中,而脫離了體內(nèi)生長(zhǎng)微環(huán)境后,干細(xì)胞受到體外各種不利因素的影響下容易發(fā)生過(guò)早衰老,極大地降低了干細(xì)胞的實(shí)際應(yīng)用效果。脫細(xì)胞的細(xì)胞外基質(zhì)(decelluarizedextracelluarmatrix,DECM)能夠在體外模擬干細(xì)胞的體內(nèi)生長(zhǎng)微環(huán)境。人紅系衍生的核因子-2(nuclear factor erythroi d-2-related factor 2,NRF-2)調(diào)控細(xì)胞內(nèi)環(huán)境穩(wěn)態(tài)和抗衰老相關(guān)基因表達(dá)。本課題旨在研究DECM是否能夠通過(guò)NRF-2來(lái)防止過(guò)氧化氫(hydrogen peroxid,H2O2)造成的UC-MSCs早衰。[研究方法]:首先確定200 μM是適合誘導(dǎo)UC-MSCs早衰的H2O2亞致死濃度。分別使用普通組織培養(yǎng)聚苯乙烯(tissue culture polystyre...

【文章頁(yè)數(shù)】:85 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖2:?H2〇2對(duì)UC-MSCs增殖能力的影響

圖2:?H2〇2對(duì)UC-MSCs增殖能力的影響

結(jié)果?細(xì)胞外基質(zhì)預(yù)防氧化應(yīng)激誘導(dǎo)干細(xì)胞早衰的機(jī)制研宄??結(jié)果??3.1檢測(cè)H202對(duì)UC-MSCs衰老的影響??為了檢測(cè)吐02對(duì)UC-MSCs增殖能力的影響,我們首先將UC-MSCs按照1000??個(gè)細(xì)胞/cm2的密度接種在普通96孔板中,待貼細(xì)胞密度達(dá)到50%左右時(shí),以100?....


圖3:在H2〇2造成的細(xì)胞氧化應(yīng)激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2?(10〇nM,?20〇mM,400^M)??預(yù)處理UC-MSCs,以aMEM(10°/〇FBS,lOOU/mL青霉素,lOOjxg/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對(duì)照??組,在預(yù)處理后72小時(shí)后進(jìn)行流式細(xì)胞術(shù)分析

圖3:在H2〇2造成的細(xì)胞氧化應(yīng)激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2?(10〇nM,?20〇mM,400^M)??預(yù)處理UC-MSCs,以aMEM(10°/〇FBS,lOOU/mL青霉素,lOOjxg/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對(duì)照??組,在預(yù)處理后72小時(shí)后進(jìn)行流式細(xì)胞術(shù)分析

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圖4:在H2〇2造成的細(xì)胞氧化應(yīng)激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2(1〇〇^M,?200^M,400pM)??預(yù)處理UC-MSCs,以aMEM?(10%FBS,?100U/mL青霉素,10〇ng/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對(duì)照??

圖4:在H2〇2造成的細(xì)胞氧化應(yīng)激微環(huán)境中,以不同濃度H2〇2(1〇〇^M,?200^M,400pM)??預(yù)處理UC-MSCs,以aMEM?(10%FBS,?100U/mL青霉素,10〇ng/mL鏈霉素)培養(yǎng)作為對(duì)照??

細(xì)胞外基質(zhì)預(yù)防氧化應(yīng)激誘導(dǎo)干細(xì)胞早衰的機(jī)制研宄?結(jié)果??±1.39%,較200?_組沒(méi)有進(jìn)一步上調(diào),且貼壁細(xì)胞較別組明顯減少。??(A)?(B)??CTRL??^???100?(IM?200?mM?400?uM??_?麵一—_??dapi?m?m?§?i?1?-??H?■■■■■....


圖5:對(duì)UC-MSCs來(lái)源的DECM材料形態(tài)分析

圖5:對(duì)UC-MSCs來(lái)源的DECM材料形態(tài)分析

結(jié)果?細(xì)胞外基質(zhì)預(yù)防氧化應(yīng)激誘導(dǎo)干細(xì)胞早衰的機(jī)制研究??(A)?(B)??.?■'??、々:\?<、,八入\/???,?'、:':i?:…?'?c?1?,???/?,??:二;??'■?*t??????圖5:對(duì)UC-MSCs來(lái)源的DECM材料形態(tài)分析。(A)在光學(xué)顯微鏡下觀察,D....



本文編號(hào):4042012

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