S1區(qū)對(duì)人類hERG通道失活的調(diào)控機(jī)制
發(fā)布時(shí)間:2021-02-09 04:27
人類hERG鉀離子通道產(chǎn)生的快速延遲整流鉀電流(Ikr)是心肌細(xì)胞動(dòng)作電位復(fù)極化過(guò)程中的重要離子流,因此hERG在心肌動(dòng)作電位復(fù)極化過(guò)程中發(fā)揮重要作用。對(duì)hERG的門(mén)控機(jī)制已有廣泛且深入的研究,但通道跨膜螺旋段S1區(qū)作為通道電壓傳感域的一部分,對(duì)其研究并不充分。有研究表明S1區(qū)位點(diǎn)突變會(huì)影響hERG通道的門(mén)控過(guò)程,但其作用機(jī)制并不清楚。因此本文旨在采用點(diǎn)突變、N-末端截短突變等方法研究S1區(qū)調(diào)控hERG通道門(mén)控的機(jī)制。我們發(fā)現(xiàn)S1區(qū)位點(diǎn)Y403,W412,T421突變?yōu)楸彼岷?不但通道激活電壓依賴性發(fā)生了偏移,而且失活變快。選擇其中的代表性位點(diǎn)Y403與S631進(jìn)行雙突變(Y403A-S631A),發(fā)現(xiàn)在沒(méi)有C-型失活存在的情況下,雙突變hERG通道依然存在一個(gè)快速失活過(guò)程。當(dāng)在Y403A-S631A雙突變通道的基礎(chǔ)上將N-末端保守區(qū)(eag結(jié)構(gòu)域)、hERG通道獨(dú)有的長(zhǎng)鏈氨基酸(138-373)及全部N-末端截掉之后,我們發(fā)現(xiàn)138-373位氨基酸缺失之后,Y403-S631A雙突變通道的快速失活現(xiàn)象消失。這表明雙突變通道的快速失活現(xiàn)象的確與通道N-末端結(jié)構(gòu)域...
【文章來(lái)源】:浙江農(nóng)林大學(xué)浙江省
【文章頁(yè)數(shù)】:73 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
hERG通道亞基結(jié)構(gòu)
-30 -10 10 30 50電壓(mV)對(duì) hERG 通道激活的電壓依賴性的影響(A)電壓例電流圖(C)野生型及各突變通道激活電壓依賴性A,▼T421A)(D)野生型及Y403A單突變通道失活dence of hERG and mutation channels activation (A) age dependence of WT, Y403A, W412A, and T421Acurrents recorded from WT, Y403A, W412A, and T42ltage protocol shown in A (C) Plot of mean (±SEMmaximum, at each voltage for WT, Y403A, W412A, ▼T421A) (D) Time constants of WT and Y403A( WT突變對(duì) hERG 通道激活動(dòng)力學(xué)的影響位點(diǎn)突變對(duì) hERG 鉀通道激活動(dòng)力學(xué)的影響記錄其電流變化。待細(xì)胞與玻璃微電極形成高作用灌注細(xì)胞外液,給予脈沖程序(圖 A)。細(xì)
1區(qū)位點(diǎn)突變對(duì)hERG通道激活動(dòng)力學(xué)的影響(A)電壓刺激程序(B)野生型及各
本文編號(hào):3025048
【文章來(lái)源】:浙江農(nóng)林大學(xué)浙江省
【文章頁(yè)數(shù)】:73 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
hERG通道亞基結(jié)構(gòu)
-30 -10 10 30 50電壓(mV)對(duì) hERG 通道激活的電壓依賴性的影響(A)電壓例電流圖(C)野生型及各突變通道激活電壓依賴性A,▼T421A)(D)野生型及Y403A單突變通道失活dence of hERG and mutation channels activation (A) age dependence of WT, Y403A, W412A, and T421Acurrents recorded from WT, Y403A, W412A, and T42ltage protocol shown in A (C) Plot of mean (±SEMmaximum, at each voltage for WT, Y403A, W412A, ▼T421A) (D) Time constants of WT and Y403A( WT突變對(duì) hERG 通道激活動(dòng)力學(xué)的影響位點(diǎn)突變對(duì) hERG 鉀通道激活動(dòng)力學(xué)的影響記錄其電流變化。待細(xì)胞與玻璃微電極形成高作用灌注細(xì)胞外液,給予脈沖程序(圖 A)。細(xì)
1區(qū)位點(diǎn)突變對(duì)hERG通道激活動(dòng)力學(xué)的影響(A)電壓刺激程序(B)野生型及各
本文編號(hào):3025048
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