基于分子印跡技術(shù)的爆炸物檢測(cè)技術(shù)研究
發(fā)布時(shí)間:2023-05-20 00:29
近年來(lái),分子印跡技術(shù)以專一、高效的特性在違禁物檢測(cè)領(lǐng)域引起關(guān)注,該技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)爆炸物的快速、痕量檢測(cè)。本文以常見(jiàn)單質(zhì)炸藥三硝基甲苯(TNT)為模板分子,采用沉淀聚合和表面分子印跡制備聚合物用于TNT的識(shí)別,具體研究?jī)?nèi)容如下:(1)以丙烯酰胺(AM)為功能單體,采用沉淀聚合法制備印跡聚合物MIPs。紫外光譜表明TNT與AM之間作用力較強(qiáng),有助于形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、親和性強(qiáng)的聚合物。掃描電鏡觀測(cè)不同制備條件下產(chǎn)生的MIPs。當(dāng)乙腈用量為100mL,緩慢的攪拌速率下制備的MIPs形貌較優(yōu)異;吸附實(shí)驗(yàn)表明MIPS吸附容量大,對(duì)TNT表現(xiàn)出較好的特異識(shí)別性能。(2)以二氧化硅(SiO2)為基底,通過(guò)γ—氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)對(duì)SiO2表面進(jìn)行氨基化改性,制備表面分子印跡聚合物SiO2@MIPs。紅外光譜、掃描電鏡、熱重分析等表征手段表明SiO2表面覆蓋了一層印跡聚合物薄膜。SiO2@MIPs模板洗脫較快,對(duì)TNT的平衡吸附符合Langmir模型并存在兩類識(shí)別位點(diǎn);動(dòng)力吸附過(guò)程符合偽二階動(dòng)力學(xué)方程;選擇吸附實(shí)驗(yàn)表明SiO2@MIPs對(duì)TNT具有較好的特異識(shí)別性。(3)將磁性引入TNT的分子印跡...
【文章頁(yè)數(shù)】:63 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 研究目的及意義
1.2 分子印跡技術(shù)概述
1.2.1 分子印跡技術(shù)概述
1.2.2 分子印跡聚合物制備原理和過(guò)程
1.3 分子印跡技術(shù)分類
1.3.1 共價(jià)法
1.3.2 非共價(jià)法
1.3.3 半共價(jià)法
1.4 分子印跡聚合物的制備方法
1.4.1 包埋法
1.4.2 表面印跡法
1.5 分子印跡聚合物的應(yīng)用
1.5.1 傳感器
1.5.2 固相萃取
1.5.3 模擬酶催化
1.5.4 爆炸物檢測(cè)
1.6 本課題的研究?jī)?nèi)容
2 沉淀聚合法制備TNT分子印跡微球及其應(yīng)用
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)部分
2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑與儀器
2.2.2 TNT分子印跡聚合物微球的制備
2.2.3 聚合物吸附性能研究
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 沉淀聚合原理
2.3.2 TNT與AM相互作用表征
2.3.3 聚合物的紅外表征
2.3.4 不同制備條件對(duì)印跡微球表面形貌的影響
2.3.5 聚合物的吸附性能
2.4 本章小結(jié)
3 基于改性二氧化硅表面修飾的TNT分子印跡聚合物的制備與應(yīng)用
3.1 前言
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑與儀器
3.2.2 二氧化硅的合成
3.2.3 改性二氧化硅
3.2.4 分子印跡聚合物的制備
3.2.5 吸附實(shí)驗(yàn)
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 聚合物制備
3.3.2 聚合物的表征
3.3.3 聚合物的吸附性能
3.4 本章小結(jié)
4 磁性TNT分子印跡聚合物的制備與應(yīng)用
4.1 引言
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 儀器與試劑
4.2.2 氨基改性四氧化三鐵
4.2.3 Fe3O4表面分子印跡聚合物的合成
4.2.4 吸附實(shí)驗(yàn)
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 Fe3O4@MIPs的制備
4.3.2 磁性納米粒子的表征
4.3.3 聚合物的吸附性能
4.4 本章小結(jié)
5 結(jié)論與展望
5.1 結(jié)論
5.2 不足和展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄
本文編號(hào):3820185
【文章頁(yè)數(shù)】:63 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 研究目的及意義
1.2 分子印跡技術(shù)概述
1.2.1 分子印跡技術(shù)概述
1.2.2 分子印跡聚合物制備原理和過(guò)程
1.3 分子印跡技術(shù)分類
1.3.1 共價(jià)法
1.3.2 非共價(jià)法
1.3.3 半共價(jià)法
1.4 分子印跡聚合物的制備方法
1.4.1 包埋法
1.4.2 表面印跡法
1.5 分子印跡聚合物的應(yīng)用
1.5.1 傳感器
1.5.2 固相萃取
1.5.3 模擬酶催化
1.5.4 爆炸物檢測(cè)
1.6 本課題的研究?jī)?nèi)容
2 沉淀聚合法制備TNT分子印跡微球及其應(yīng)用
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)部分
2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑與儀器
2.2.2 TNT分子印跡聚合物微球的制備
2.2.3 聚合物吸附性能研究
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 沉淀聚合原理
2.3.2 TNT與AM相互作用表征
2.3.3 聚合物的紅外表征
2.3.4 不同制備條件對(duì)印跡微球表面形貌的影響
2.3.5 聚合物的吸附性能
2.4 本章小結(jié)
3 基于改性二氧化硅表面修飾的TNT分子印跡聚合物的制備與應(yīng)用
3.1 前言
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑與儀器
3.2.2 二氧化硅的合成
3.2.3 改性二氧化硅
3.2.4 分子印跡聚合物的制備
3.2.5 吸附實(shí)驗(yàn)
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 聚合物制備
3.3.2 聚合物的表征
3.3.3 聚合物的吸附性能
3.4 本章小結(jié)
4 磁性TNT分子印跡聚合物的制備與應(yīng)用
4.1 引言
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 儀器與試劑
4.2.2 氨基改性四氧化三鐵
4.2.3 Fe3O4表面分子印跡聚合物的合成
4.2.4 吸附實(shí)驗(yàn)
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 Fe3O4@MIPs的制備
4.3.2 磁性納米粒子的表征
4.3.3 聚合物的吸附性能
4.4 本章小結(jié)
5 結(jié)論與展望
5.1 結(jié)論
5.2 不足和展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄
本文編號(hào):3820185
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