熱活化延遲熒光（Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF）材料不含貴金屬,可在純有機(jī)條件下理論上實(shí)現(xiàn)100%的內(nèi)量子效率,被譽(yù)為第三代有機(jī)發(fā)光材料。基于高分子發(fā)光材料的溶液加工型發(fā)光二極管（OLED）具有成本低、可大面積生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn),是未來(lái)柔性平板顯示技術(shù)發(fā)展的重要方向。目前關(guān)于高效的高分子TADF發(fā)光材料的報(bào)道仍較少,且存在線形聚合物TADF材料合成比較困難、往往仍需摻雜在主體材料中來(lái)提高效率以及樹(shù)枝狀TADF分子中功能成分含量不易調(diào)控等問(wèn)題。因此,開(kāi)發(fā)新的高分子TADF發(fā)光材料,以用于非摻雜濕法OLED器件是十分必要的。本文采用后功能化的方法,向聚咔唑/三苯胺主鏈上掛接TADF發(fā)光單元和主體單元,得到了幾種“自主體”聚合物TADF發(fā)光材料。采用MALDI-TOFMS、1H NMR、FT-IR、GPC、DSC、TG、UV-Vis、PL、CV等方法對(duì)中間體及目標(biāo)產(chǎn)物結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行表征。旋涂目標(biāo)產(chǎn)物作為非摻雜的發(fā)光層,制備OLED器件并測(cè)試其性能。兩個(gè)帶有疊氮基團(tuán)的聚合物骨架分子（PCz-N3、PTPA-N3）的合成與表征。通過(guò)帶有疊氮（-... 

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【部分圖文】：

圖１．２延遲熒光材料發(fā)展歷程中的經(jīng)典分子??Ｆｉｇｕｒｅ?１．２?Ｔｈｅ?ｔｙｐｉｃａｌ?ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ?ｄｕｒｉｎｇ?ｔｈｅ?ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ?ｏｆ?ＤＦ?ｍａｔｅｒｉａｌｓ．??

產(chǎn)生一個(gè)Ｓ１激子，使理論ＩＱＥ達(dá)到６２．５％。Ｅ－型延遲熒光即ＴＡＤＦ，其機(jī)制包??含兩個(gè)發(fā)光過(guò)程，即瞬時(shí)焚光（Ｐｒｏｍｐｔ?Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ，?ＰＦ）和延遲焚光（Ｄｅｌａｙｅｄ??Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ，?ＤＦ）?［２４］，如圖１．３所示。ＰＦ過(guò)程：?jiǎn)沃貞B(tài)激子隨即從Ｓ１衰減到??Ｓ０，這部分熒光的壽命與傳統(tǒng)熒光一樣，是在納秒級(jí)內(nèi)完成的［２５，２６］。ＤＦ過(guò)程：??由于ＴＡＤＦ材料具有很小的Ａ￡ＳＴ?（通常低于０．２?ｅＶ），?Ｔ１激子可以在外界熱量??的作用下，越過(guò)較小的能壘，通過(guò)反向系間竄越（Ｒｅｖｅｒｓｅ?Ｉｎｔｅｒｓｙｓｔｅｍ?Ｃｒｏｓｓｉｎｇ，??ＲＩＳＣ）回到Ｓ１而后躍遷至ＳＯ輻射發(fā)光，這一過(guò)程使得激子壽命由納秒增加到??微秒級(jí)［２７］。盡管瞬時(shí)熒光和延遲熒光的發(fā)光壽命不同，但其都是由單線態(tài)（Ｓ１）??激子發(fā)光，因此具有相似的光譜特征。??ｔ?ｌｉｔ??Ｑ４－－＊＂?＾ｒｉｓｃ?ｍ？、亨雜爭(zhēng)??＼?；?Ｔ，??＇＼ｋ

以上的推理表明，小的Ａ＾ｓｔ值是實(shí)現(xiàn)高效ＴＡＤＦ輻射的必要條件之一，通??過(guò)ＨＯＭＯ和ＬＵＭＯ能級(jí)盡可能分離，可以有效降低Ａ￡ｓｔ，從而提高ＲＩＳＣ的??效率，如圖１．４所示。但同時(shí)，根據(jù)Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ原理，小的Ａ￡Ｖｒ與高的福射??躍遷速率相互矛盾［３４］，在ＴＡＤＦ材料設(shè)計(jì)時(shí)要兼顧二者的平衡。在上述分子設(shè)??計(jì)理念指導(dǎo)下，研宄者通過(guò)采用大體積的取代基、螺旋連接等方法，在電子供??體－受體間實(shí)現(xiàn)一定的立體位阻或分子扭曲［３５，３６］，來(lái)減�。龋希停虾停蹋眨停现g??的電子云重疊，從而有效降低Ｍｓｔ。??ＨＯＭＯ?ｊ?ＬＵＭＯ??Ｉ??ＬａｒｇｅＡ￡ｓＴ??＼?ｓｍａｉ，Ａ￡－???—????圖１．４實(shí)現(xiàn)ＴＡＤＦ有機(jī)分子�。痢辏樱缘姆椒ㄊ疽鈭D？??Ｆｉｇｕｒｅ?１．４?Ｔｈｅ?ｓｔｒａｔｅｇｙ?ｏｆ?ｒｅａｌｉｚｉｎｇ?ｓｍａｌｌ?ＡＥ＇ｓｔ?ｉｎ?ｏｒｇａｎｉｃ?ＴＡＤＦ?ｅｍｉｔｔｅｒｓ．??１．２．３有機(jī)電致發(fā)光器件的工作原理及制備工藝??ＯＬＥＤ的電致發(fā)光機(jī)制包括：載流子的注入、載流子的傳輸、載流子俘獲形??成激子、激子迀移、激子輻射退激發(fā)發(fā)出光子。具體發(fā)光過(guò)程如下：在電壓驅(qū)??動(dòng)下，聚集在電極上的大量載流子越過(guò)電極和器件內(nèi)部界面間的勢(shì)壘進(jìn)入器件??內(nèi)部�？昭ê碗娮臃謩e由陽(yáng)極和陰極注入，其中，空穴在ＨＯＭＯ能級(jí)上跳躍傳??輸

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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