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二氧化硅填充硅橡膠輻照下順磁性物質(zhì)變化與材料結(jié)構(gòu)性能研究

發(fā)布時間:2021-06-25 00:59
  硅橡膠在某些應用環(huán)境中長期面臨輻照、溫度和振動沖擊等綜合作用,導致其性能下降,甚至功能失效。本論文以二氧化硅填充的硅橡膠為研究對象,利用伽馬射線對硅橡膠和二氧化硅填料進行輻照,研究輻照對硅橡膠與二氧化硅填料之間相互作用的影響以及二氧化硅填料的改性方法與機理,并結(jié)合多種表征技術(shù),分析所制備的二氧化硅填充硅橡膠復合材料以及二氧化硅接枝甲基硅油的結(jié)構(gòu)和性能。本論文主要開展的工作和得到的結(jié)論如下:(1)研究了伽馬輻照下二氧化硅填充硅橡膠的順磁性物質(zhì)變化。結(jié)果表明添加二氧化硅的硅橡膠內(nèi)EPR信號主要是由填料二氧化硅引起的。硅橡膠順磁性物質(zhì)的濃度與填料的量和吸收劑量呈正相關(guān),當吸收劑量低于100 kGy時,順磁性物質(zhì)濃度與吸收劑量成線性關(guān)系,當超過100kGy時,順磁性物質(zhì)的濃度達到飽和。(2)研究了輻照后納米二氧化硅的順磁性物質(zhì)變化,以及輻照后的二氧化硅接枝甲基硅油的反應。電子順磁共振結(jié)果表明輻照后納米二氧化硅產(chǎn)生的順磁性物質(zhì)主要為俘獲的空穴和電子,其在氬氣中輻照可產(chǎn)生穩(wěn)定的高濃度順磁性物質(zhì),當通入空氣后順磁性物質(zhì)的濃度下降明顯,原因歸結(jié)為順磁性物質(zhì)會與空氣中的氧發(fā)生反應,同時升高溫度也會加速順... 

【文章來源】:中國工程物理研究院北京市

【文章頁數(shù)】:72 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

二氧化硅填充硅橡膠輻照下順磁性物質(zhì)變化與材料結(jié)構(gòu)性能研究


圖2.2二氧化硅填充硅橡膠(lOPhr)在不同吸收劑量下的TG曲線??

譜圖,吸收劑量,強度,譜圖


?二氧化硅填充硅橡膠輻照下順磁性物質(zhì)變化與材料結(jié)構(gòu)性能研究???1.4?丨?,?■?■???——5phr??0?10phr??1.2?'?一^—20phr?-??■?O-^Ophrl??f〇.8-?_??S?/??1?°-6???/??0??1?1?'???0?50?100?150?200??Absorbed?dose(kGy)??圖2.4?EPR譜圖強度(從峰到谷)與吸收劑量的關(guān)系??Figure?2.4?Relationship?bet>veen?EPR?spectra?intensity?(peak?to?valley)?and?absorbed?dose??圖2.4是硅橡膠材料的自由基強度(從峰到谷)隨吸收劑量的變化,從圖中??可以看到隨著吸收劑量的增大,硅橡膠材料的自由基信號的強度是增強的。當吸??收劑量低于50kGy時,硅橡膠自由基強度是線性增加的,當高于50kGy時,自??由基強度增加總體趨勢緩慢,伽馬輻射激發(fā)填料的電子,使其離開正常位置,產(chǎn)??生正空穴和自由電子,當被捕獲的順磁性物質(zhì)達到飽和時,未被捕獲的順磁性物??質(zhì)發(fā)生遷移,因此強度趨于平緩[96]。??22??

輻照,氬氣,氣氛,空氣


?二氧化硅填充硅橡膠福照下順磁性物質(zhì)變化與材料結(jié)構(gòu)性能研宄???40???—?40?r-r?■??-?,|??d?v?in?air?〇? ̄"y—blow?air??*0?in?At?■?in?Ar??,丨.a?n?,?jx??v?'£-20?y??-40??-40??'???3510?3520?3530?3510?3520?3530??Magnetic?field(G)?Magnetic?field(G)??圖3.2?(a)納米二氧化桂在不同氣氛中輻照的EPR譜(b)在氬氣中輻照后通入空氣的??EPR譜??Figure?3.2?(a)?EPR?spectra?of?nano-silica?irradiated?in?different?atmospheres?(b)?EPR??spectra?of?introducing?air?into?irradiated?silica?in?argon??為了弄清順磁性物質(zhì)在空氣中的變化規(guī)律,進行了如圖3.2所示的工作。從??圖3.2?(a)中可以看出,在500?Gy的吸收劑量處理后,在空氣中輻照后二氧化??硅基本沒有出現(xiàn)EPR信號,但是在氬氣中輻照后它的信號很強。在圖3.2?(b)??中,將空氣引入到氬氣輻照后納米二氧化硅中,結(jié)果發(fā)現(xiàn)它的EPR峰強度明顯??降低。有研究報道,輻照會導致納米二氧化硅中產(chǎn)生缺陷,如被俘獲的電子和空??穴,這些缺陷會在高溫下運動并被雜質(zhì)或其他缺陷俘獲,從而形成穩(wěn)定的點缺陷,??二氧化硅中未被俘獲的順磁性物質(zhì)可能與二氧化硅內(nèi)的結(jié)合水作用釋放出氫[96]。??這意味著當捕獲位點飽和時,那些無


本文編號:3248172

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