工業(yè)的發(fā)展和科技的進步加速了物質(zhì)資源的消耗,給人類社會提供巨大便利的同時,也造成了越來越嚴重的能源危機和環(huán)境污染。以半導體材料為主體的光催化劑（光觸媒）的發(fā)展,可以將太陽能轉(zhuǎn)化成化學能,為解決這兩大難題提供了有效手段。其中,以鉍系氧化物半導體材料為代表的光催化劑由于具有較寬的可見光響應范圍和良好的物理化學穩(wěn)定性,逐漸成為人們廣泛研究的一系列可見光催化材料。尤其是鉍系氧化物納米材料,由于比表面積較大,可以提供較多的反應活性位點,使其具有良好的光催化活性。然而,鉍系氧化物納米材料依舊存在以下幾個重要問題:首先,光生電子-空穴對在材料體內(nèi)復合較快,量子效率較低;其次,由于納米材料的小尺寸效應,使其在反應中易團聚而失活;再次,納米材料光催化劑在反應結束后懸浮在溶液中,難以沉降和分離。因此,尋找既有良好光催化活性,同時又不易團聚、易于分離的鉍系納米光催化材料成為我們的研究重點�；谝陨峡紤],本文通過靜電紡絲技術,溶劑熱等方法制備了一系列從二元到三元的p-n異質(zhì)結復合納米纖維材料,利用異質(zhì)結構促進光生載流子有效分離,從而提高光催化活性;利用超長一維納米結構解決光催化反應中易團聚的問題;利用宏觀網(wǎng)氈... 

【文章來源】：東北師范大學吉林省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：108 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

半導體受激后的光生電子空穴路徑示意圖

.2β-Bi2O3花狀微球形成機理(上)；分別于 350℃(A)，400℃(B)，420℃(C)，450的樣品形貌(左下)；對 RhB 的光降解效率(右下)。鹵氧化鉍(BiOX，X=Cl，Br，I)是一類具有層狀結構的間接帶隙半導體[32-35]，躍遷方式使得光生電子必須穿過某些 K 層才能重新回落到價帶，這就降低了子復合的幾率，有利于促進載流子分離。

1.2β-Bi2O3花狀微球形成機理(上)；分別于 350℃(A)，400℃(B)，420℃(C)，450℃燒的樣品形貌(左下)；對 RhB 的光降解效率(右下)。鹵氧化鉍(BiOX，X=Cl，Br，I)是一類具有層狀結構的間接帶隙半導體[32-35]，這接躍遷方式使得光生電子必須穿過某些 K 層才能重新回落到價帶，這就降低了光流子復合的幾率，有利于促進載流子分離。


本文編號：2937800