功能化rGO交聯(lián)聚醚砜基陰離子交換膜的制備及性能研究
【學(xué)位單位】:東北師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TQ425.236
【部分圖文】:
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東北師范大學(xué)碩士學(xué)位論文3.3.5.離子電導(dǎo)率在AEMs中離子電導(dǎo)率起著重要的作用,它受許多因素的影響,包括導(dǎo)電基團(tuán)的結(jié)構(gòu)和數(shù)量[63]、微相結(jié)構(gòu)[130]和吸水率[138]等。在AEMs中,高的吸水率意味著高的離子電導(dǎo)率。如上文中所述,我們制備的交聯(lián)AEMs具有的高吸水率來(lái)源于交聯(lián)過程中產(chǎn)生的季銨鹽基團(tuán)在增加了IEC值的同時(shí),膜內(nèi)還形成了良好的微相分離,這導(dǎo)致交聯(lián)AEMs的氫氧化物電導(dǎo)率高于純QPSU膜(見表2和2.4)。
Fig. 3.11H NMR spectra of PSU (a) and CMPSU (b).劑的表征MAEMA 和 PHMDA 的核磁氫譜3.2b 是 PTMHDA 的核磁氫譜。在 5.62 ppm 處可以觀察到接枝p,表明 PTMHDA 已經(jīng)由 TMHDA和 1-溴甲基芘成功地制備。Fig. 3.21H NMR spectra of QPSU (a) and PTMHDA (b).
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