基于介孔沸石材料新型MALDI基質(zhì)研究及其在小分子化合物定量分析的應(yīng)用
【學(xué)位單位】:中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TQ424.25
【部分圖文】:
中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院碩士學(xué)位論文 第一章 引言質(zhì)檢測(cè)的完整性,并且提出該方法具有快速、準(zhǔn)確、高通量等優(yōu)點(diǎn),田中耕一等人也因此獲得 2002年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng),MALDI-TOF-MS 技術(shù)對(duì)生命科學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展做出了重大的貢獻(xiàn)。由于 MALDI 所使用的激光源多為脈沖式光源,易與脈沖質(zhì)量分析器相匹配,如飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(TOF-MS)與傅里葉變換質(zhì)譜儀(FT-MS)(Sunner et al, 1995)。MALDI-TOF-MS 質(zhì)譜儀結(jié)構(gòu)如圖 1-1 所示,由離子源、質(zhì)量分析器與檢測(cè)器三部分組成。離子在離子源產(chǎn)生后,在脈沖電場(chǎng)加速下飛入無(wú)場(chǎng)漂移管,并以恒定的速度到達(dá)檢測(cè)器。m/z 越大的離子,飛行的速度越慢,到達(dá)檢測(cè)器的時(shí)間越長(zhǎng),其飛行時(shí)間的平方 t2與質(zhì)荷比 m/z 成正比,根據(jù)這一原理,可以將不同 m/z的離子按照到達(dá)檢測(cè)器的時(shí)間長(zhǎng)短進(jìn)行分離(Jurinke et al, 2004)。MALDI 與 TOF 相結(jié)合,原理上而言能夠檢測(cè)的分子量范圍不受限制。此外,MALDI-TOF-MS 儀器可以配備“離子鏡”,使用電場(chǎng)反射粒子,加長(zhǎng)離子飛行路徑,從而提高儀器分辨率,如今,商用反射模式的 TOF 儀器分辨率 m /Δm 已經(jīng)遠(yuǎn)高于 20000 FWHM(半峰寬,Δm 表示峰值高度 50%處的峰寬)。
圖 1-2 MALDI 源樣品離子化過(guò)程示意圖re1-2 The schematic diagram of sample ionization process by MALDI s 機(jī)理發(fā)展,MALDI 質(zhì)譜已成為生命科學(xué)領(lǐng)域最重要的分析檢測(cè)工子化機(jī)理仍未被完全了解,主要原因:沒(méi)有一個(gè)機(jī)理可以完整al, 2003)。MALDI 離子源作為一種軟電離技術(shù),在質(zhì)譜圖中獲多電荷離子峰、部分碎片離子峰以及自由基離子峰 (Chen Y.C接受的的 MALDI 電離假設(shè)機(jī)理是 Karas 及 Hillenkamp 等人提, 2003)。在多光子吸收機(jī)理中,基質(zhì)吸收一個(gè)光子進(jìn)入高能過(guò)帶電基團(tuán)基質(zhì),因此,可以在 MALDI 質(zhì)譜中觀察到自由基質(zhì)能預(yù)計(jì)在 9eV~10eV 之間,而 N2激光器產(chǎn)生的 2 個(gè)光子能量只完全捕獲,因此,無(wú)法將全部的基質(zhì)激發(fā)電離。樣品離子化瞬離子繼續(xù)衍生,致使 MALDI 質(zhì)譜圖中產(chǎn)生少量碎片離子峰。紫外激光器提供的單光子能量低 1 到 2 個(gè)數(shù)量級(jí),所以,這種離子化機(jī)理(Karas et al, 1987)。根據(jù)這一假設(shè),基質(zhì)分子吸收
論文 品前處理簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),若能開(kāi)發(fā)出準(zhǔn)確的定量方法。具有介孔結(jié)構(gòu)的硅鋁酸鹽材料,被廣泛用作工業(yè)催M(jìn)/n2O Al2O3 xSiO2 yH2O (1-6)子;n:金屬離子的氧化數(shù);x:SiO2的分子數(shù);y晶置換,具有電負(fù)性的 Si-O-Al 鍵,需要被 H+、N電中性,如圖 1-3 所示。由于這些陽(yáng)離子的活性較生離子交換,被離子交換后的沸石具有不同的酸性石還具有吸附分離性、熱穩(wěn)定性、導(dǎo)電性、催化性等
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