桶裝核廢物層析γ掃描透射和發(fā)射重建技術(shù)研究
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
i52Eu作為刻度源。通過(guò)測(cè)量計(jì)算出"2Eu的ISl.meV、244.69keV、344.27keV、??411.1?化eV、443.98keV、778.89keV、867.32keV、964.(HkeV、1085.7化eV、lU2.02keV、??1407.95keV對(duì)應(yīng)的全能....
因此對(duì)每一段共進(jìn)行MxA/7欠測(cè)量。M的值依賴于每層體素劃分的多??少,一般情況下,若每層的體素?cái)?shù)量為的話,水平測(cè)量點(diǎn)就為M,而iV的??值一般取為M的1.5倍。圖2-9為TGS掃描測(cè)量的示意圖。??i??y?I?1?1?^^?■?1?1?^???10??I?t=+iB???1^....
DL厚度和冷指直徑,直到兩者誤差在一個(gè)合適的范圍為止;最后,通過(guò)逐步的??調(diào)整從而確定DL厚度和冷指直徑。表3-1描述的是廠家提供的HPGe探測(cè)器主??要的幾何參數(shù)。圖3-1是根據(jù)表3-1中的幾何參數(shù)構(gòu)建的HPGe探測(cè)器的MCNP??模型。??24??
?./^37??圖3-8探測(cè)器組件視角示意圖??圖3-8為TGS探測(cè)器組件在一測(cè)量層水平方向的視角。從圖3-8容易看出,??水平方向上的大部分區(qū)域都在探測(cè)器組件視角內(nèi)組件,但離探測(cè)器較近側(cè)的邊??角,每側(cè)都存在著探測(cè)器組件外的體素。因此,在水平方向效率刻度時(shí),視角外??30??
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