發(fā)布時(shí)間：2024-10-04 23:07

　　 用蒙特卡洛中子輸運(yùn)程序（MCNPX）對(duì)中國(guó)聚變工程實(shí)驗(yàn)CFETR超導(dǎo)磁體進(jìn)行中子學(xué)輸運(yùn)計(jì)算,利用歐洲活化計(jì)算程序FISPACT對(duì)其進(jìn)行活化計(jì)算分析,針對(duì)計(jì)算結(jié)果重點(diǎn)分析了磁體系統(tǒng)的中子學(xué)劑量分布以及活化情況。計(jì)算結(jié)果表明,中子能量通量最大處出現(xiàn)在聚變堆內(nèi)側(cè)線(xiàn)圈處,為3.97×1014 Me V·m-2,在該條件下超導(dǎo)線(xiàn)圈可以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。停機(jī)后磁體組件的活度為3.33×1010Bq·kg^-1,停機(jī)10年后下降2個(gè)數(shù)量級(jí)達(dá)到6.14×108Bq·kg^-1。研究結(jié)果驗(yàn)證了所使用的CFETR 3維模型滿(mǎn)足初步設(shè)計(jì)條件。

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【部分圖文】：

圖1CFETR3維剖面的示意圖

第3期喬世吉等：CFETR磁體系統(tǒng)的中子學(xué)計(jì)算及活化分析355滿(mǎn)足包層的工程要求。CFETR的設(shè)計(jì)采用Li4SiO4作為氚增殖材料，Be作為中子倍增劑[14]，具體比例列于表1中。完成建模后的3維模型外形以及截面圖如圖4所示。圖1CFETR3維剖面的示意圖圖2CFETR工程設(shè)計(jì)基....

圖2CFETR工程設(shè)計(jì)基本尺寸

第3期喬世吉等：CFETR磁體系統(tǒng)的中子學(xué)計(jì)算及活化分析355滿(mǎn)足包層的工程要求。CFETR的設(shè)計(jì)采用Li4SiO4作為氚增殖材料，Be作為中子倍增劑[14]，具體比例列于表1中。完成建模后的3維模型外形以及截面圖如圖4所示。圖1CFETR3維剖面的示意圖圖2CFETR工程設(shè)計(jì)基....

圖3CFETR部件徑向分布尺寸

第3期喬世吉等：CFETR磁體系統(tǒng)的中子學(xué)計(jì)算及活化分析355滿(mǎn)足包層的工程要求。CFETR的設(shè)計(jì)采用Li4SiO4作為氚增殖材料，Be作為中子倍增劑[14]，具體比例列于表1中。完成建模后的3維模型外形以及截面圖如圖4所示。圖1CFETR3維剖面的示意圖圖2CFETR工程設(shè)計(jì)基....

圖43維建模結(jié)果(a)以及截面圖(b)

356核聚變與等離子體物理第37卷圖43維建模結(jié)果(a)以及截面圖(b)0.3MW·m-2，對(duì)歸一化數(shù)據(jù)進(jìn)行刻度，在此基礎(chǔ)上進(jìn)行模型驗(yàn)證分析[19]。磁鐵活化計(jì)算包括以下步驟：1)用MCNPX程序進(jìn)行中子輸運(yùn)計(jì)算，確定滿(mǎn)功率運(yùn)行時(shí)磁體部件包層各分區(qū)的中子能譜；2)用FISPACT....

本文編號(hào)：4007248