新一代高能量、高流強(qiáng)、高亮度和長(zhǎng)壽命粒子加速器的發(fā)展,對(duì)真空的要求已從超高真空向極高真空和超低溫等極端條件跨越,所面臨的挑戰(zhàn)主要是:高真空梯度、電子云問(wèn)題和高密集度,這些問(wèn)題也成為了新一代加速器真空系統(tǒng)建造的難點(diǎn),亟待解決。作者在國(guó)家自然科學(xué)基金的支持下,探索了新一代加速器真空室結(jié)構(gòu)材料的表面處理、制備工藝、可控沉積和材料的表面成分、表面形貌及二次電子發(fā)射特性等,論文主要研究?jī)?nèi)容是:1.二次電子產(chǎn)額是新一代加速器真空室結(jié)構(gòu)材料的重要指標(biāo),目前沒(méi)有專(zhuān)門(mén)的測(cè)試儀器和成熟的測(cè)試方法,我們自主研制了國(guó)內(nèi)首臺(tái)高精度多功能高效率二次電子特性參數(shù)測(cè)試儀,該儀器可以測(cè)試不同入射角度(10°～90°)、不同溫區(qū)(750K～20K)、和不同入射劑量下導(dǎo)體與絕緣體材料的二次電子產(chǎn)額。實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果表明該儀器的測(cè)試功能和測(cè)試精度在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先水平,和國(guó)際上一些著名實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試結(jié)果比對(duì)和對(duì)比表明我們的測(cè)試儀具有較高的測(cè)試精度和準(zhǔn)確度。2.在國(guó)內(nèi)首先研究了適用于新一代加速器真空室的低二次電子產(chǎn)額、長(zhǎng)壽命和良好吸氣特性的非蒸散型吸氣劑TiZrV-Pd薄膜的關(guān)鍵制備工藝參數(shù)和薄膜的二次電子發(fā)射特性,其最低二次電子產(chǎn)額可...

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１加速器中電子云問(wèn)題的解決方案

無(wú)定形碳／石墨稀丨??圖１．１加速器中電子云問(wèn)題的解決方案。??如圖１．２所示，當(dāng)入射電子（ｐｒｉｍａｒｙｅｌｅｃｔｒｏｎｓ，ＰＥ）束打在固體表面時(shí)，會(huì)??有二次電子產(chǎn)生，距尚固體表面ｄｉｉｍ以?xún)?nèi)的二次電子可以逃逸出表面，故稱(chēng)??為二次電子的平均逃逸深度。對(duì)于金屬而言，ｄ＝ｌｎｍ....

圖1.2二次電子發(fā)射簡(jiǎn)介

圖１．３當(dāng)入射電子轟擊樣品表面后，從樣品表面發(fā)射出的電子能量分布圖［４４“真二次電子”產(chǎn)額心＝ＳＥ的數(shù)量／ＰＥ的數(shù)量，－背散射系數(shù)心＝ＲＥ數(shù)量，彈性散射系數(shù)心＝彈性散射電子的數(shù)量／ＰＥ的數(shù)量，總的５＝?６＋心。二次電子產(chǎn)額與材料的屬性、材料表面的形貌、入射電子能量等因素相關(guān)［４４....

圖１．３當(dāng)入射電子轟擊樣品表面后，從樣品表面發(fā)射出的電子能量分布圖［４４］

ＥＪｅｃｔｉ＇ｏｎｓ?ｉｎ??ｓｏｌｉｄ??圖１．２二次電子發(fā)射簡(jiǎn)介。??ｎ（Ｅ）ａ??一ＳＥ??ＲＥ?＾??Ｉ?Ａｕｇｅｒ－Ｅ?ｅｌａｓｔｉｃａｌｌｙ??＿＿￣ｉ—＝ｒ＾：ｒ￣?：Ｊ???－＾５０？Ｖ－Ｊ?Ｅｐｅ??？?Ｅ?Ｈ?＾?Ａ＊—??ＡＥ??＊—?ＡＥ?？??圖１．３當(dāng)....

圖１．４角度的定義

ＥＪｅｃｔｉ＇ｏｎｓ?ｉｎ??ｓｏｌｉｄ??圖１．２二次電子發(fā)射簡(jiǎn)介。??ｎ（Ｅ）ａ??一ＳＥ??ＲＥ?＾??Ｉ?Ａｕｇｅｒ－Ｅ?ｅｌａｓｔｉｃａｌｌｙ??＿＿￣ｉ—＝ｒ＾：ｒ￣?：Ｊ???－＾５０？Ｖ－Ｊ?Ｅｐｅ??？?Ｅ?Ｈ?＾?Ａ＊—??ＡＥ??＊—?ＡＥ?？??圖１．３當(dāng)....

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