在同位素放射源檢查或"孤兒源"處理中,為了能夠及時、準確地處理放射源,需要現(xiàn)場快速估計放射源活度。但當屏蔽體厚度未知時,快速確定放射源活度存在困難。基于γ射線在物質中衰減系數與能量之間的關系,研究屏蔽下多特征能量點狀γ射線源的活度估算方法,分別對測量目標特征γ射線能量選取原則,探測器位置偏差和統(tǒng)計漲落對活度定量結果的影響進行了討論,總結了常見多特征能量γ射線源的可選射線能量與可分析的屏蔽厚度。實驗驗證結果表明:估算的屏蔽厚度與實際厚度的相對誤差小于4%,估算活度與實際活度的相對誤差小于5%。本文所提方法能夠應用于放射源檢查或者"孤兒源"處理。

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【部分圖文】：

圖1多特征能量γ射線源活度估算方法幾何模型

根據兩種能量γ射線的全能峰凈計數，可通過式（4）計算屏蔽體厚度：式中：η1、η2為兩種能量γ射線所對應的發(fā)射幾率。

圖2方體、圓柱體和球體結構鉛屏蔽下的全能峰比值

為了驗證三種屏蔽結構的全能峰比值與屏蔽厚度的關系，采用蒙特卡羅程序開展了模擬計算，模擬中采用4π各向同性能量分別為779keV與1408keV的152Eu點源，屏蔽材料為鉛，探測器為高純鍺探測器，同時使用F8脈沖計數卡記錄γ能譜，分別模擬計算不同厚度的方體、圓柱體和球體結構....

圖3便攜式高純鍺探測器結構與尺寸

在實際能譜測量中，屏蔽狀態(tài)下的放射源無法精確定位，不能保證探測器中心與放射源處于同一水平位置，因此采用蒙特卡羅程序模擬計算放射源與探測器在不同相對位置下的全能峰比值，模擬中采用方體屏蔽結構，探測器結構如圖3所示，同時采用4π各向同性能量分別為779keV與1408keV的1....

圖4不同位置偏差的全能峰計數比值與無偏差的理論全能峰比值

圖3便攜式高純鍺探測器結構與尺寸如圖4所示，隨著放射源與探測器位置偏差的增大，全能峰比值減小，即估算的屏蔽體厚度增大，放射源活度估算值偏大，當放射源與探測器位置偏差5cm時，估算的屏蔽體厚度與無位置偏差時估算的屏蔽體厚度的最大相對誤差小于12%，滿足同位素放射源檢查或“孤兒源....

本文編號：3907622