發(fā)布時間：2023-04-28 17:59

　　基于中國聚變工程實驗堆(CFETR)水冷陶瓷增殖劑(WCCB)三維中子學模型,應用蒙特卡羅輸運程序MCNP5和IAEA聚變評價核數據庫FENDL2.1,完成了WCCB中子學性能分析。研究了在200MW、500MW、1.0GW、1.5GW聚變功率下中子壁載荷(NWL)、氚增殖率(TBR)、核熱沉積以及包層材料的輻照損傷。結果顯示,目前WCCB包層核分析結果滿足CFETR設計要求。

【文章頁數】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 水冷包層更新設計
3 分析模型、材料和程序
4 分析結果
    4.1 中子壁載荷
    4.2 氚增殖率
    4.3 核熱沉積
    4.4 輻照損傷
5 總結



本文編號：3804193