基于光電倍增管（photomultiplier tube,簡(jiǎn)稱PMT）的LaBr₃:Ceγ譜儀具有比Na I（Tl）γ譜儀更高的能量分辨率,但具有體積大、對(duì)磁場(chǎng)敏感、需要高電壓等缺點(diǎn)。硅光電倍增管（Silicon photomultiplier tube,簡(jiǎn)稱Si PM）具有與PMT相近的增益和效率,同時(shí)具有諸如高定時(shí)分辨率、抗磁場(chǎng)能力強(qiáng)、低偏壓和緊湊尺寸等優(yōu)良特性。本文將LaBr₃:Ce晶體與SiPM陣列耦合,設(shè)計(jì)研制基于Si PM的緊湊型LaBr₃:Ceγ譜儀,通過(guò)降噪、優(yōu)化工作電壓等措施改善SiPM的缺點(diǎn)對(duì)γ譜儀性能的影響。工作電壓的噪聲會(huì)導(dǎo)致能量分辨率發(fā)生惡化,通過(guò)設(shè)計(jì)無(wú)源濾波電路CLCπ型濾波器,利用其對(duì)直/交流阻抗的不同特性,濾除高頻紋波,工作電壓的信噪比從未降噪前的62.6 d B提高到74.64 dB;能量分辨率最優(yōu)值對(duì)應(yīng)于表示暗噪聲、串?dāng)_、光電探測(cè)效率和SiPM增益之間折衷的最佳工作電壓。通過(guò)實(shí)驗(yàn)給出不同工作電壓下的能量分辨率,確定最佳工作電壓為54.8 V,該電壓下的能量分辨率為3.06%（@662 ... 

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【部分圖文】：

基于Si PM的La Br3:Ce探測(cè)器

ORTEC公司的digi BASE-E型數(shù)字多道

Si PM的實(shí)物圖和電路結(jié)構(gòu)


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