由于中子探測器最佳介質(zhì)3He的價格大幅上漲,尋找替代3He的中子探測器成為現(xiàn)在研究熱點。論文制作了6LiF/ZnS（Ag）閃爍體中子探測器,并在中子束上對其性能進行了測試。探測器的光電倍增管選用的是日本Hamamatus產(chǎn)的64路多陽極光電倍增管H8500,閃爍體使用AST26139,而后端電子學以及計算機數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)均由中國科學院高能物理研究所研制提供。制作的探測器的光纖使用Y-11（200）MS波移光纖,光纖陣列纖芯間距為2mm,雙層閃爍體在光纖陣列上下兩側(cè)形成“三明治”結(jié)構(gòu),光纖與光電倍增管采用空氣耦合,數(shù)據(jù)信號通過USB線輸出到PC端。對探測器關(guān)鍵部件波移光纖,進行了實驗篩選。實驗結(jié)果顯示,Kuraray產(chǎn)的Y-11（200）MS型波移光纖表現(xiàn)最優(yōu)秀,彎轉(zhuǎn)損耗僅為BCF-91A型光纖的（20.8±0.5）%,而藍光轉(zhuǎn)換效率超過后者（58±7）%。探測器制作中,我們使用的光纖為直徑1mm的Y-11（200）MS。利用中國科學院高能物理研究所252Cf源對探測器的中子成像進行了研究。252Cf源本底實驗顯示,探測器的有效面積達250mm×250mm;利用帶狹縫的鎘板研究探測器的中子... 

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學位級別】：碩士

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摘要
ABSTRACT
引言
第1章 中子概述
    1.1 中子的性質(zhì)
    1.2 中子源的類型
        1.2.1 反應堆中子源
        1.2.2 加速器中子源
        1.2.3 同位素中子源
    1.3 中子探測方法
        1.3.1 核反沖法
        1.3.2 核反應法
        1.3.3 核裂變法
        1.3.4 核活化法
    1.4 中子探測器
        1.4.1 氣體中子探測器
        1.4.2 半導體中子探測器
        1.4.3 閃爍體中子探測器
    1.5 本章小結(jié)
第2章 位置靈敏型閃爍體中子探測器的結(jié)構(gòu)
    2.1 探測器結(jié)構(gòu)單元
        2.1.1 雙層閃爍體結(jié)構(gòu)
        2.1.2 光纖陣列
        2.1.3 多陽極光電倍增管
        2.1.4 電子學
    2.2 本章小結(jié)
第3章 探測器組件性能測試
    3.1 波移光纖的檢測與篩選
        3.2.1 實驗裝置
        3.2.2 結(jié)果與分析
    3.2 光電倍增管檢測
    3.3 老化研究
    3.4 本章小結(jié)
第4章 探測器的結(jié)構(gòu)與制作
    4.1 探測器的整體結(jié)構(gòu)
    4.2 制作部分
        4.2.1 材料與結(jié)構(gòu)
        4.2.2 探測器的組裝
    4.3 本章小結(jié)
第5章 中子探測器性能檢測與分析
    5.1 ~(252)Cf中子源
    5.2 反應堆中子束
    5.3 中子探測器性能測試
        5.3.1 中子本底檢測分析
        5.3.2 探測器自身本底
        5.3.3 中子成像與位置分辨
        5.3.4 探測器計數(shù)率
        5.3.5 中子探測效率
    5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
參考文獻
致謝
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