由于中子探測(cè)器最佳介質(zhì)3He的價(jià)格大幅上漲,尋找替代3He的中子探測(cè)器成為現(xiàn)在研究熱點(diǎn)。論文制作了6LiF/ZnS（Ag）閃爍體中子探測(cè)器,并在中子束上對(duì)其性能進(jìn)行了測(cè)試。探測(cè)器的光電倍增管選用的是日本Hamamatus產(chǎn)的64路多陽(yáng)極光電倍增管H8500,閃爍體使用AST26139,而后端電子學(xué)以及計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)均由中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所研制提供。制作的探測(cè)器的光纖使用Y-11（200）MS波移光纖,光纖陣列纖芯間距為2mm,雙層閃爍體在光纖陣列上下兩側(cè)形成“三明治”結(jié)構(gòu),光纖與光電倍增管采用空氣耦合,數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)USB線輸出到PC端。對(duì)探測(cè)器關(guān)鍵部件波移光纖,進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)篩選。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,Kuraray產(chǎn)的Y-11（200）MS型波移光纖表現(xiàn)最優(yōu)秀,彎轉(zhuǎn)損耗僅為BCF-91A型光纖的（20.8±0.5）%,而藍(lán)光轉(zhuǎn)換效率超過(guò)后者（58±7）%。探測(cè)器制作中,我們使用的光纖為直徑1mm的Y-11（200）MS。利用中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所252Cf源對(duì)探測(cè)器的中子成像進(jìn)行了研究。252Cf源本底實(shí)驗(yàn)顯示,探測(cè)器的有效面積達(dá)250mm×250mm;利用帶狹縫的鎘板研究探測(cè)器的中子... 

【文章頁(yè)數(shù)】：52 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
引言
第1章 中子概述
    1.1 中子的性質(zhì)
    1.2 中子源的類(lèi)型
        1.2.1 反應(yīng)堆中子源
        1.2.2 加速器中子源
        1.2.3 同位素中子源
    1.3 中子探測(cè)方法
        1.3.1 核反沖法
        1.3.2 核反應(yīng)法
        1.3.3 核裂變法
        1.3.4 核活化法
    1.4 中子探測(cè)器
        1.4.1 氣體中子探測(cè)器
        1.4.2 半導(dǎo)體中子探測(cè)器
        1.4.3 閃爍體中子探測(cè)器
    1.5 本章小結(jié)
第2章 位置靈敏型閃爍體中子探測(cè)器的結(jié)構(gòu)
    2.1 探測(cè)器結(jié)構(gòu)單元
        2.1.1 雙層閃爍體結(jié)構(gòu)
        2.1.2 光纖陣列
        2.1.3 多陽(yáng)極光電倍增管
        2.1.4 電子學(xué)
    2.2 本章小結(jié)
第3章 探測(cè)器組件性能測(cè)試
    3.1 波移光纖的檢測(cè)與篩選
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)裝置
        3.2.2 結(jié)果與分析
    3.2 光電倍增管檢測(cè)
    3.3 老化研究
    3.4 本章小結(jié)
第4章 探測(cè)器的結(jié)構(gòu)與制作
    4.1 探測(cè)器的整體結(jié)構(gòu)
    4.2 制作部分
        4.2.1 材料與結(jié)構(gòu)
        4.2.2 探測(cè)器的組裝
    4.3 本章小結(jié)
第5章 中子探測(cè)器性能檢測(cè)與分析
    5.1 ~(252)Cf中子源
    5.2 反應(yīng)堆中子束
    5.3 中子探測(cè)器性能測(cè)試
        5.3.1 中子本底檢測(cè)分析
        5.3.2 探測(cè)器自身本底
        5.3.3 中子成像與位置分辨
        5.3.4 探測(cè)器計(jì)數(shù)率
        5.3.5 中子探測(cè)效率
    5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
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本文編號(hào)：3672875