TopMetal2芯片中電荷靈敏放大器設(shè)計
發(fā)布時間:2022-02-15 18:01
隨著粒子探測器在高能物理、核醫(yī)學(xué)和礦物分析等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,新型粒子探測器的研究越來越受到重視,而這些探測器輸出的微弱信號需要經(jīng)過放大、整形后才能被下一級電路處理,因此電荷靈敏前置放大器在探測器讀出電路中起重要作用。作為讀出電路的前端,電荷靈敏前放的性能直接影響讀出電路的性能,其噪聲決定了芯片能處理的最小輸入電荷。因此,深入研究電荷靈敏前放提高其性能對于讀出電路至關(guān)重要。本文的主要研究內(nèi)容是設(shè)計TopMetal2像素探測器芯片中的電荷靈敏前放。TopMetal2利用IC制造工藝中的頂層金屬作為電子收集極,其單個像素的面積為83.2um×83.2um,陣列大小為72x72,能實現(xiàn)電子的二維空間測量,且TopMetal2芯片空間分辨率高,可以與碲鋅鎘晶體結(jié)合作為碲鋅鎘探測器,應(yīng)用于CT成像、離子束流測量等領(lǐng)域,并能夠?qū)崿F(xiàn)高精度測量。TopMetal2芯片是以實現(xiàn)單電子探測為最終目標(biāo)的探測芯片,其等效噪聲電荷的設(shè)計指標(biāo)為30e,這對電荷靈敏前放的設(shè)計提出了很高的要求。TopMetal2-芯片采用了x-fa...
【文章來源】:華中師范大學(xué)湖北省211工程院校教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.4二維擬合圖像??TopMetal2_蒼片是PLAC實驗室自主設(shè)計的第二款像素探測器芯片,相比較??ToMetal芯片,冰^312_芯片的空間分辨率更高,它的像素個數(shù)為72x72,而??
碩去學(xué)位論文??MASTER'S?THESIS??版圖面積為64um*30um,用于收集電荷的頂層金屬面積為15um*15um,覆SA模塊的上方。在Pixel的版圖設(shè)計中,同一層金屬盡量走同一個方向,不屬交叉走線(如MET1用于水平布線,MET2用于垂直布線);盡可能的將電的寬些,并且用不同層金屬的來布電源線(如電源線寬度為2um,用MET']4?—起布線);在布線過程中,要注意處理敏感的信號線(如復(fù)位管的輸入輸線),可W增加屏蔽線或者將敏感信號線與其他信號線拉開較大的距離。??opMetal2_芯片的整體版圖如圖4.7所示,包括了?72*72的Pixel?Array、3個化AC、掃描模塊、開關(guān)陣列模塊、各個子模塊的偏置模塊和I/O單元,整個巧寸是?8000umx9000um。??
單個Pixel的模擬讀出
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Investigation of GEM-Micromegas detector on X-ray beam of synchrotron radiation[J]. 張余煉,祁輝榮,胡碧濤,范勝男,王波,劉梅,張建,劉榮光,常廣才,劉鵬,歐陽群,陳元柏,伊福廷. Chinese Physics C. 2014(04)
[2]基于曲率補(bǔ)償?shù)母呔然鶞?zhǔn)電流源的設(shè)計[J]. 張亮,張國俊. 微電子學(xué)與計算機(jī). 2014(01)
[3]低噪聲電荷靈敏前置放大器關(guān)鍵技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展[J]. 彭進(jìn)先,劉國福,楊俊,羅曉亮. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2012(01)
[4]PET/MRI新技術(shù)應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 王強(qiáng),王榮福. CT理論與應(yīng)用研究. 2011(03)
[5]室溫半導(dǎo)體探測器的發(fā)展和應(yīng)用[J]. 王震濤,張建國,楊翊方,王海軍. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2008(06)
[6]低噪聲運(yùn)算放大器噪聲分析[J]. 葛維維,劉佑寶. 微電子學(xué)與計算機(jī). 2007(02)
[7]低噪聲CMOS電荷靈敏前置放大器[J]. 鄧智,康克軍,程建平,劉以農(nóng). 清華大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2005(12)
[8]低噪聲CMOS電荷靈敏前放的ASIC設(shè)計[J]. 鄧智,程建平,劉以農(nóng),康克軍. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2005(06)
[9]新型半導(dǎo)體探測器發(fā)展和應(yīng)用[J]. 孟祥承. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2004(01)
[10]工業(yè)核儀器應(yīng)用中的閃爍探測器[J]. 吳永康. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2001(05)
碩士論文
[1]一種用于MicroMegas探測器的電荷靈敏前置放大器設(shè)計[D]. 許波.湖南大學(xué) 2013
[2]一種應(yīng)用于CZT像素陣列的核輻射探測器讀出電路的研究[D]. 劉鳳琳.重慶大學(xué) 2012
[3]低噪聲放大器的設(shè)計及其穩(wěn)定性的研究[D]. 孫偉程.西安電子科技大學(xué) 2012
[4]不同狀態(tài)下CMOS管的1/f噪聲對低噪聲CSA的影響[D]. 李衍存.清華大學(xué) 2009
[5]GPS系統(tǒng)芯片的后端設(shè)計與驗證[D]. 張文娟.西安電子科技大學(xué) 2009
[6]低噪聲CMOS運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計[D]. 詹昶.華中科技大學(xué) 2007
本文編號:3627078
【文章來源】:華中師范大學(xué)湖北省211工程院校教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.4二維擬合圖像??TopMetal2_蒼片是PLAC實驗室自主設(shè)計的第二款像素探測器芯片,相比較??ToMetal芯片,冰^312_芯片的空間分辨率更高,它的像素個數(shù)為72x72,而??
碩去學(xué)位論文??MASTER'S?THESIS??版圖面積為64um*30um,用于收集電荷的頂層金屬面積為15um*15um,覆SA模塊的上方。在Pixel的版圖設(shè)計中,同一層金屬盡量走同一個方向,不屬交叉走線(如MET1用于水平布線,MET2用于垂直布線);盡可能的將電的寬些,并且用不同層金屬的來布電源線(如電源線寬度為2um,用MET']4?—起布線);在布線過程中,要注意處理敏感的信號線(如復(fù)位管的輸入輸線),可W增加屏蔽線或者將敏感信號線與其他信號線拉開較大的距離。??opMetal2_芯片的整體版圖如圖4.7所示,包括了?72*72的Pixel?Array、3個化AC、掃描模塊、開關(guān)陣列模塊、各個子模塊的偏置模塊和I/O單元,整個巧寸是?8000umx9000um。??
單個Pixel的模擬讀出
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Investigation of GEM-Micromegas detector on X-ray beam of synchrotron radiation[J]. 張余煉,祁輝榮,胡碧濤,范勝男,王波,劉梅,張建,劉榮光,常廣才,劉鵬,歐陽群,陳元柏,伊福廷. Chinese Physics C. 2014(04)
[2]基于曲率補(bǔ)償?shù)母呔然鶞?zhǔn)電流源的設(shè)計[J]. 張亮,張國俊. 微電子學(xué)與計算機(jī). 2014(01)
[3]低噪聲電荷靈敏前置放大器關(guān)鍵技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展[J]. 彭進(jìn)先,劉國福,楊俊,羅曉亮. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2012(01)
[4]PET/MRI新技術(shù)應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 王強(qiáng),王榮福. CT理論與應(yīng)用研究. 2011(03)
[5]室溫半導(dǎo)體探測器的發(fā)展和應(yīng)用[J]. 王震濤,張建國,楊翊方,王海軍. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2008(06)
[6]低噪聲運(yùn)算放大器噪聲分析[J]. 葛維維,劉佑寶. 微電子學(xué)與計算機(jī). 2007(02)
[7]低噪聲CMOS電荷靈敏前置放大器[J]. 鄧智,康克軍,程建平,劉以農(nóng). 清華大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2005(12)
[8]低噪聲CMOS電荷靈敏前放的ASIC設(shè)計[J]. 鄧智,程建平,劉以農(nóng),康克軍. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2005(06)
[9]新型半導(dǎo)體探測器發(fā)展和應(yīng)用[J]. 孟祥承. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2004(01)
[10]工業(yè)核儀器應(yīng)用中的閃爍探測器[J]. 吳永康. 核電子學(xué)與探測技術(shù). 2001(05)
碩士論文
[1]一種用于MicroMegas探測器的電荷靈敏前置放大器設(shè)計[D]. 許波.湖南大學(xué) 2013
[2]一種應(yīng)用于CZT像素陣列的核輻射探測器讀出電路的研究[D]. 劉鳳琳.重慶大學(xué) 2012
[3]低噪聲放大器的設(shè)計及其穩(wěn)定性的研究[D]. 孫偉程.西安電子科技大學(xué) 2012
[4]不同狀態(tài)下CMOS管的1/f噪聲對低噪聲CSA的影響[D]. 李衍存.清華大學(xué) 2009
[5]GPS系統(tǒng)芯片的后端設(shè)計與驗證[D]. 張文娟.西安電子科技大學(xué) 2009
[6]低噪聲CMOS運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計[D]. 詹昶.華中科技大學(xué) 2007
本文編號:3627078
本文鏈接:http://sikaile.net/projectlw/hkxlw/3627078.html
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