通過追溯核儀表系統(tǒng)中逆變電路的失效原因,定位電解電容為典型失效器件,本文針對電解電容失效機理進行研究,通過設計被測對象仿真模型,研究分析電解電容等效阻抗ESR的測試方法,設計便攜式測試儀的硬件電路,并進行試驗,計算結果與儀器測試結果具有一致性。 

【文章來源】：機械工業(yè)標準化與質(zhì)量. 2020,(12)

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

電容退化曲線

電解電容在實際應用過程中，一般不是理想化的電容，在設計仿真電路時需要考慮其他影響因素，如圖2所示。其中CAK為理想電容，與電流頻率f無關，數(shù)值等于εS/d;Rp為等效并聯(lián)電阻，體現(xiàn)電解電容漏電流；Ri為等效串聯(lián)電阻，與電容內(nèi)部連接結構相關，隨頻率增大而減��；L為等效串聯(lián)電感，與繞線產(chǎn)生自感效應相關與頻率無關，且數(shù)值通常在n H量級。因此可得電容C與ESR的表達式如式（1）所示：

若電抗X>0，電容阻抗顯示為感性，若電抗X<0，電容阻抗顯示為容性，電容器頻率特性成V型，如圖3所示。低頻區(qū)間電容阻抗與理想電容器相似，隨頻率的增大而減小，但由于ESR的存在，隨頻率增加該曲線越偏離理想曲線；當阻抗達到最小值時，該點對應頻率為自振頻率，此時阻抗值可近似為ESR；隨頻率進一步增高，電容表征偏向感性，高頻區(qū)間內(nèi)ESR逐漸表現(xiàn)出電極趨膚效應，此時電容表征阻抗主要由寄生電感決定。


本文編號：3347903