4πβ(PC)-γ符合法測(cè)量 60 Co核素活度及不確定度評(píng)定
發(fā)布時(shí)間:2021-07-15 09:37
4πβ(PC)-γ符合方法主要用于實(shí)現(xiàn)β-γ級(jí)聯(lián)衰變放射性核素活度的絕對(duì)測(cè)量,該方法一般測(cè)量VYNS(聚氯乙烯-醋酸乙烯共聚物)薄膜源樣品,但其制備過(guò)程復(fù)雜。對(duì)制源工藝進(jìn)行了優(yōu)化,用4πβ(PC)-γ數(shù)字符合系統(tǒng),對(duì)改進(jìn)工藝制成的薄膜源進(jìn)行了測(cè)量。用效率外推法獲得的測(cè)量結(jié)果顯示,新制60Co源的β表觀效率達(dá)到93%,10個(gè)樣品源的比活度測(cè)量結(jié)果在0.1%范圍內(nèi)一致。通過(guò)在數(shù)字符合軟件上改變符合分辨時(shí)間、死時(shí)間與延遲時(shí)間,研究了符合參數(shù)選擇對(duì)于測(cè)量結(jié)果的影響,評(píng)估了60Co核素活度測(cè)量的不確定度。
【文章來(lái)源】:計(jì)量學(xué)報(bào). 2020,41(11)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)
【部分圖文】:
薄膜源制備流程及實(shí)物照片
在成功制取符合要求的高β探測(cè)效率的60Co薄膜源后,對(duì)其中10個(gè)樣品源進(jìn)行了60Co核素活度的絕對(duì)測(cè)量。于2018年11月在中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院和中國(guó)國(guó)防科技工業(yè)電離輻射計(jì)量一級(jí)站的4!β(PC)-γ符合測(cè)量系統(tǒng)上先后對(duì)所制備的薄膜源進(jìn)行了測(cè)量,比較了實(shí)現(xiàn)符合算法的兩套絕對(duì)測(cè)量裝置的多個(gè)版本軟件的測(cè)量結(jié)果,通過(guò)相互印證,確保了測(cè)量結(jié)果的可靠性。通過(guò)軟件擬合外推,獲得典型的外推結(jié)果如圖2所示。10個(gè)樣品源的測(cè)量結(jié)果如表1所示。測(cè)量結(jié)果中,β探測(cè)效率為60Co薄膜源的最高β探測(cè)效率,由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)再通過(guò)公式計(jì)算得到,樣品源的β探測(cè)效率在92%~94%,達(dá)到了符合測(cè)量的要求。外推一致性是符合軟件4種擬合外推方法結(jié)果的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)差,10個(gè)樣品源的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差小于等于0.4%,外推一致性良好。最后的活度取值是擬合外推方法1的結(jié)果值,10個(gè)樣品源的比活度測(cè)量結(jié)果在0.1%范圍內(nèi)一致。
在一個(gè)測(cè)量系統(tǒng)中,不同的單元引起的死時(shí)間不同,但是整個(gè)系統(tǒng)的死時(shí)間一般由引起最大死時(shí)間的單元確定。一般死時(shí)間取經(jīng)驗(yàn)值4 000 ns,在參數(shù)設(shè)置偏差500 ns的情況下對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,其結(jié)果如圖3所示。擬合外推活度的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.001%,由結(jié)果可以得出死時(shí)間對(duì)符合測(cè)量的影響可以忽略。5.1.2 符合分辨時(shí)間
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]標(biāo)準(zhǔn)不確定度A類評(píng)定中極差法的深入討論[J]. 陳凌峰. 計(jì)量學(xué)報(bào). 2019(02)
[2]符合法原理及其在活度測(cè)量中的應(yīng)用[J]. 李謀,代義華,倪建忠. 原子能科學(xué)技術(shù). 2008(03)
[3]NaI(Tl)-HPGeγ-γ符合譜儀系統(tǒng)死時(shí)間校正方法[J]. 仇九子,王書(shū)志. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 1996(03)
[4]β-γ道相對(duì)延遲時(shí)間測(cè)定[J]. 閻春光. 原子能科學(xué)技術(shù). 1994(05)
[5]4πβ(PC)-γ符合測(cè)量60Co活度[J]. 吳學(xué)周,王載勇,楊元弟. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 1986(03)
[6]電噴硅溶膠襯墊制備4π薄膜源[J]. 種培基,賀先運(yùn). 原子能科學(xué)技術(shù). 1980(01)
[7]電噴涂硅膠薄層底襯制備4πβ薄膜源[J]. 陳慶江,楊景霞. 原子能科學(xué)技術(shù). 1980(01)
本文編號(hào):3285456
【文章來(lái)源】:計(jì)量學(xué)報(bào). 2020,41(11)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)
【部分圖文】:
薄膜源制備流程及實(shí)物照片
在成功制取符合要求的高β探測(cè)效率的60Co薄膜源后,對(duì)其中10個(gè)樣品源進(jìn)行了60Co核素活度的絕對(duì)測(cè)量。于2018年11月在中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院和中國(guó)國(guó)防科技工業(yè)電離輻射計(jì)量一級(jí)站的4!β(PC)-γ符合測(cè)量系統(tǒng)上先后對(duì)所制備的薄膜源進(jìn)行了測(cè)量,比較了實(shí)現(xiàn)符合算法的兩套絕對(duì)測(cè)量裝置的多個(gè)版本軟件的測(cè)量結(jié)果,通過(guò)相互印證,確保了測(cè)量結(jié)果的可靠性。通過(guò)軟件擬合外推,獲得典型的外推結(jié)果如圖2所示。10個(gè)樣品源的測(cè)量結(jié)果如表1所示。測(cè)量結(jié)果中,β探測(cè)效率為60Co薄膜源的最高β探測(cè)效率,由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)再通過(guò)公式計(jì)算得到,樣品源的β探測(cè)效率在92%~94%,達(dá)到了符合測(cè)量的要求。外推一致性是符合軟件4種擬合外推方法結(jié)果的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)差,10個(gè)樣品源的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差小于等于0.4%,外推一致性良好。最后的活度取值是擬合外推方法1的結(jié)果值,10個(gè)樣品源的比活度測(cè)量結(jié)果在0.1%范圍內(nèi)一致。
在一個(gè)測(cè)量系統(tǒng)中,不同的單元引起的死時(shí)間不同,但是整個(gè)系統(tǒng)的死時(shí)間一般由引起最大死時(shí)間的單元確定。一般死時(shí)間取經(jīng)驗(yàn)值4 000 ns,在參數(shù)設(shè)置偏差500 ns的情況下對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,其結(jié)果如圖3所示。擬合外推活度的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.001%,由結(jié)果可以得出死時(shí)間對(duì)符合測(cè)量的影響可以忽略。5.1.2 符合分辨時(shí)間
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]標(biāo)準(zhǔn)不確定度A類評(píng)定中極差法的深入討論[J]. 陳凌峰. 計(jì)量學(xué)報(bào). 2019(02)
[2]符合法原理及其在活度測(cè)量中的應(yīng)用[J]. 李謀,代義華,倪建忠. 原子能科學(xué)技術(shù). 2008(03)
[3]NaI(Tl)-HPGeγ-γ符合譜儀系統(tǒng)死時(shí)間校正方法[J]. 仇九子,王書(shū)志. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 1996(03)
[4]β-γ道相對(duì)延遲時(shí)間測(cè)定[J]. 閻春光. 原子能科學(xué)技術(shù). 1994(05)
[5]4πβ(PC)-γ符合測(cè)量60Co活度[J]. 吳學(xué)周,王載勇,楊元弟. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 1986(03)
[6]電噴硅溶膠襯墊制備4π薄膜源[J]. 種培基,賀先運(yùn). 原子能科學(xué)技術(shù). 1980(01)
[7]電噴涂硅膠薄層底襯制備4πβ薄膜源[J]. 陳慶江,楊景霞. 原子能科學(xué)技術(shù). 1980(01)
本文編號(hào):3285456
本文鏈接:http://sikaile.net/projectlw/hkxlw/3285456.html
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