聚變堆面向等離子體材料中氚滯留深度分布測(cè)量技術(shù)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-02 02:01
聚變堆面向等離子體材料中滯留氚的測(cè)量是聚變研究領(lǐng)域的重要內(nèi)容。準(zhǔn)確評(píng)估面向等離子體材料中氚的含量和深度分布對(duì)聚變堆的燃料衡算和安全運(yùn)行有著重要意義。鎢是重要的候選面向等離子體材料之一,因其良好的物理性能和極低的燃料滯留量,很有可能作為未來(lái)聚變反應(yīng)堆的面向等離子體材料使用。但目前針對(duì)鎢材料中氚測(cè)量的實(shí)驗(yàn)較少,缺乏成熟、可靠的分析方法,尤其是針對(duì)聚變堆真實(shí)環(huán)境下鎢中氚的測(cè)量技術(shù)研究。在真實(shí)聚變堆環(huán)境下,面向等離子體材料中氚的測(cè)量問(wèn)題與實(shí)驗(yàn)室僅用氚開(kāi)展實(shí)驗(yàn)有很大區(qū)別,一方面壁材料在高通量、高能聚變中子的輻照下會(huì)產(chǎn)生大量中子活化產(chǎn)物,這些活化產(chǎn)物的β、β射線將會(huì)與氚β射線共存,這對(duì)當(dāng)前僅針對(duì)氚環(huán)境下建立的材料中氚的測(cè)量方法提出了新的挑戰(zhàn);另一方面,真實(shí)環(huán)境下面向等離子體材料表面的氚分布往往是不均勻的,這樣的平面非均勻分布也將會(huì)影響氚深度分布的測(cè)量結(jié)果。此外,雖然前期研究中已有使用軔致輻射譜重建氚深度分布的方法(即β射線誘發(fā)X射線譜分析法,BIXS),但重建算法中的病態(tài)矩陣問(wèn)題使得反演所得的近似解具有不穩(wěn)定性,重建結(jié)果尚需可靠的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證。因此,針對(duì)上述問(wèn)題,本論文使用蒙卡模擬方法計(jì)算了真實(shí)I...
【文章來(lái)源】:中國(guó)工程物理研究院北京市
【文章頁(yè)數(shù)】:119 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1?JET托卡馬克基本結(jié)構(gòu)示意圖H??以JET為例,圖1.1為托卡馬克基本結(jié)構(gòu)示意圖
品中氚的含量。該方法多用于有機(jī)樣品中氚含量的測(cè)量,以評(píng)估涉氣裝置對(duì)周?chē)h(huán)境的??影響。同時(shí)也可測(cè)量碳PFMs中氣的含量和分布。N.?Bekris和R.?D.?Penzhom及其團(tuán)隊(duì)??[27^]使用該方法多次測(cè)量了?JET和TFTR裝置中碳纖維磚的氚深度分布。圖1.3(a)為測(cè)??量過(guò)程中的樣品示意圖,他們將樣品均勻地切割成1_厚的薄片,依次測(cè)量每片樣品??中的氚含量即可得出氣在樣品中的深度分布。圖1.3(b)為全燃燒法的實(shí)驗(yàn)流程圖該??方法結(jié)果準(zhǔn)確可靠,在對(duì)JET中第一壁CFC材料的一次測(cè)量中,其精度達(dá)到了?5%@1。??此外,該方法可以測(cè)量_量級(jí)的氚分布,并且沒(méi)有測(cè)量深度限制。缺點(diǎn)是無(wú)法測(cè)量不??能完全燃燒氧化的樣品(例如金屬材料),測(cè)量過(guò)程中需完全破壞樣品,且實(shí)驗(yàn)過(guò)程比??較復(fù)雜。??(a)?(b)??I?-?f?t:?2-?tin?3-?^?^?U:?4-?^?s-??圖1.3⑷:全燃燒法測(cè)量碳材料中氚深度分布樣品丨%?(b):全燃燒法實(shí)驗(yàn)流程圖I31】??9??
?聚變堆面向等離子體材料中氚滯留深度分布測(cè)量技術(shù)研宄???1.3.2.2金屬化學(xué)蝕刻法??金屬化學(xué)蝕刻法(這里指逐層金屬化學(xué)蝕刻方法)是指用水、酸液等侵蝕劑一層一??層地腐蝕樣品表面,將要分析的物質(zhì)解吸出來(lái)溶于這些試劑中或以氣體形式釋放出來(lái),??然后將其通過(guò)不同的方式收集、測(cè)量的方法。該方法對(duì)氚的分析始于1984年[321之后??廣泛應(yīng)用于不銹鋼材料中的氣滯留研宄。其分析方法為,先將樣品放入蝕刻室中,然后??加入強(qiáng)氧化性的侵蝕劑,將蝕刻室密封,等待樣品腐蝕。在此過(guò)程中,侵蝕劑將會(huì)均勻??地溶解樣品暴露在其中的區(qū)域。溶解過(guò)程中,氚以兩種途徑釋放,即原子態(tài)的“固溶氚”??會(huì)溶于侵蝕劑中,分子態(tài)的“氣態(tài)氣”來(lái)不及與溶液中的氫離子交換,會(huì)直接釋放到蝕刻??室內(nèi),“固溶氣”可通過(guò)侵蝕劑的上層清液取樣收集、測(cè)量,“氣態(tài)氚”經(jīng)催化氧化后通過(guò)??鼓泡器、冷阱等裝置收集、測(cè)量。每次的蝕刻深度根據(jù)樣品清洗、脫水、干燥后稱重獲??得。圖1.4為逐層蝕刻過(guò)程的流程圖。??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]鎢中氘氦行為的高分辨熱脫附譜實(shí)驗(yàn)方法研究[J]. 傅青偉,程龍,王軍,袁悅,呂廣宏. 原子能科學(xué)技術(shù). 2018(06)
[2]微量熱計(jì)測(cè)量低活度氚[J]. 何長(zhǎng)水,陳細(xì)林,楊洪廣. 核化學(xué)與放射化學(xué). 2016(01)
[3]等離子噴涂碳化硼/鉬涂層氚的滯留性能研究(英文)[J]. 林初城,朱慧穎,MASAO Matsuyama,王虎,黃利平,鄭學(xué)斌,曾毅. 無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2013(09)
[4]EAST偏濾器鎢銅單體水冷模塊參數(shù)優(yōu)化[J]. 王健,宋云濤,郭后揚(yáng),姚達(dá)毛,羅廣南,許鐵軍. 核聚變與等離子體物理. 2013(01)
[5]質(zhì)子在固體中的多次散射對(duì)PBS法分析Ti、Zr膜中D、T的影響[J]. 丁偉,施立群,龍興貴. 原子能科學(xué)技術(shù). 2012(S1)
[6]自動(dòng)化量熱測(cè)氚裝置研制[J]. 王國(guó)慶,柴愛(ài)民,王世克,徐廣林,李旭淵. 原子能科學(xué)技術(shù). 2011(09)
[7]退役氚污染不銹鋼材料中氚污染深度和化學(xué)組成[J]. 但貴萍,熊禮莉,張東,文煒,王曉麗,邱永梅. 原子能科學(xué)技術(shù). 2010(S1)
[8]PBS法測(cè)量Ti膜中H同位素深度分布[J]. 丁偉,施立群,龍興貴. 原子能科學(xué)技術(shù). 2010(S1)
[9]金屬樣品殘余氚測(cè)量方法[J]. 陳世勛,陳長(zhǎng)安,熊義富. 核技術(shù). 2010(03)
[10]常溫下氚在316L不銹鋼表面層深度分布的初步研究[J]. 熊禮麗,張東,但貴萍,苑國(guó)琪. 廣州化工. 2010(02)
本文編號(hào):3114376
【文章來(lái)源】:中國(guó)工程物理研究院北京市
【文章頁(yè)數(shù)】:119 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1?JET托卡馬克基本結(jié)構(gòu)示意圖H??以JET為例,圖1.1為托卡馬克基本結(jié)構(gòu)示意圖
品中氚的含量。該方法多用于有機(jī)樣品中氚含量的測(cè)量,以評(píng)估涉氣裝置對(duì)周?chē)h(huán)境的??影響。同時(shí)也可測(cè)量碳PFMs中氣的含量和分布。N.?Bekris和R.?D.?Penzhom及其團(tuán)隊(duì)??[27^]使用該方法多次測(cè)量了?JET和TFTR裝置中碳纖維磚的氚深度分布。圖1.3(a)為測(cè)??量過(guò)程中的樣品示意圖,他們將樣品均勻地切割成1_厚的薄片,依次測(cè)量每片樣品??中的氚含量即可得出氣在樣品中的深度分布。圖1.3(b)為全燃燒法的實(shí)驗(yàn)流程圖該??方法結(jié)果準(zhǔn)確可靠,在對(duì)JET中第一壁CFC材料的一次測(cè)量中,其精度達(dá)到了?5%@1。??此外,該方法可以測(cè)量_量級(jí)的氚分布,并且沒(méi)有測(cè)量深度限制。缺點(diǎn)是無(wú)法測(cè)量不??能完全燃燒氧化的樣品(例如金屬材料),測(cè)量過(guò)程中需完全破壞樣品,且實(shí)驗(yàn)過(guò)程比??較復(fù)雜。??(a)?(b)??I?-?f?t:?2-?tin?3-?^?^?U:?4-?^?s-??圖1.3⑷:全燃燒法測(cè)量碳材料中氚深度分布樣品丨%?(b):全燃燒法實(shí)驗(yàn)流程圖I31】??9??
?聚變堆面向等離子體材料中氚滯留深度分布測(cè)量技術(shù)研宄???1.3.2.2金屬化學(xué)蝕刻法??金屬化學(xué)蝕刻法(這里指逐層金屬化學(xué)蝕刻方法)是指用水、酸液等侵蝕劑一層一??層地腐蝕樣品表面,將要分析的物質(zhì)解吸出來(lái)溶于這些試劑中或以氣體形式釋放出來(lái),??然后將其通過(guò)不同的方式收集、測(cè)量的方法。該方法對(duì)氚的分析始于1984年[321之后??廣泛應(yīng)用于不銹鋼材料中的氣滯留研宄。其分析方法為,先將樣品放入蝕刻室中,然后??加入強(qiáng)氧化性的侵蝕劑,將蝕刻室密封,等待樣品腐蝕。在此過(guò)程中,侵蝕劑將會(huì)均勻??地溶解樣品暴露在其中的區(qū)域。溶解過(guò)程中,氚以兩種途徑釋放,即原子態(tài)的“固溶氚”??會(huì)溶于侵蝕劑中,分子態(tài)的“氣態(tài)氣”來(lái)不及與溶液中的氫離子交換,會(huì)直接釋放到蝕刻??室內(nèi),“固溶氣”可通過(guò)侵蝕劑的上層清液取樣收集、測(cè)量,“氣態(tài)氚”經(jīng)催化氧化后通過(guò)??鼓泡器、冷阱等裝置收集、測(cè)量。每次的蝕刻深度根據(jù)樣品清洗、脫水、干燥后稱重獲??得。圖1.4為逐層蝕刻過(guò)程的流程圖。??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]鎢中氘氦行為的高分辨熱脫附譜實(shí)驗(yàn)方法研究[J]. 傅青偉,程龍,王軍,袁悅,呂廣宏. 原子能科學(xué)技術(shù). 2018(06)
[2]微量熱計(jì)測(cè)量低活度氚[J]. 何長(zhǎng)水,陳細(xì)林,楊洪廣. 核化學(xué)與放射化學(xué). 2016(01)
[3]等離子噴涂碳化硼/鉬涂層氚的滯留性能研究(英文)[J]. 林初城,朱慧穎,MASAO Matsuyama,王虎,黃利平,鄭學(xué)斌,曾毅. 無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2013(09)
[4]EAST偏濾器鎢銅單體水冷模塊參數(shù)優(yōu)化[J]. 王健,宋云濤,郭后揚(yáng),姚達(dá)毛,羅廣南,許鐵軍. 核聚變與等離子體物理. 2013(01)
[5]質(zhì)子在固體中的多次散射對(duì)PBS法分析Ti、Zr膜中D、T的影響[J]. 丁偉,施立群,龍興貴. 原子能科學(xué)技術(shù). 2012(S1)
[6]自動(dòng)化量熱測(cè)氚裝置研制[J]. 王國(guó)慶,柴愛(ài)民,王世克,徐廣林,李旭淵. 原子能科學(xué)技術(shù). 2011(09)
[7]退役氚污染不銹鋼材料中氚污染深度和化學(xué)組成[J]. 但貴萍,熊禮莉,張東,文煒,王曉麗,邱永梅. 原子能科學(xué)技術(shù). 2010(S1)
[8]PBS法測(cè)量Ti膜中H同位素深度分布[J]. 丁偉,施立群,龍興貴. 原子能科學(xué)技術(shù). 2010(S1)
[9]金屬樣品殘余氚測(cè)量方法[J]. 陳世勛,陳長(zhǎng)安,熊義富. 核技術(shù). 2010(03)
[10]常溫下氚在316L不銹鋼表面層深度分布的初步研究[J]. 熊禮麗,張東,但貴萍,苑國(guó)琪. 廣州化工. 2010(02)
本文編號(hào):3114376
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