硅漂移（SDD）探測(cè)器是一種基于側(cè)向耗盡原理的核輻射探測(cè)器。這種探測(cè)器因?yàn)楸纫话鉙i（Li）探測(cè)器輸出電容小、電子噪聲小、且只要簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體制冷就能達(dá)到需要采用液氮制冷的Si（Li）探測(cè)器的能量分辨率等優(yōu)點(diǎn),使得其在能譜的定量分析、醫(yī)學(xué)成像、空間探測(cè)等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。而探測(cè)效率是SDD探測(cè)器重要的技術(shù)指標(biāo)之一,探測(cè)器的尺寸參數(shù)不同、實(shí)驗(yàn)樣品與探測(cè)器的幾何位置的差異,都會(huì)造成探測(cè)效率不同。因此,對(duì)探測(cè)器效率刻度的研究具有重要的實(shí)際意義。本論文以德國(guó)KETEK公司生產(chǎn)的VITUS H80型大探頭SDD探測(cè)器為研究對(duì)象,進(jìn)行以下工作:1.分別采用相對(duì)效率刻度法、理論模型計(jì)算法及無(wú)源刻度法對(duì)SDD探測(cè)器低能區(qū)進(jìn)行效率刻度。其中,相對(duì)效率刻度法是通過(guò)SDD探測(cè)器收集到的19 keV電子碰撞純厚碳靶產(chǎn)生的實(shí)驗(yàn)軔致輻射譜與PENELOPE模擬得到相應(yīng)的理論軔致輻射譜的比值,獲取相對(duì)效率刻度曲線(xiàn),然后采用241Am標(biāo)準(zhǔn)放射源確定效率刻度曲線(xiàn)的絕對(duì)值;理論模型計(jì)算法是基于理論模型計(jì)算公式;無(wú)源刻度法是采用PENELOPE程序?qū)DD探測(cè)器的幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模,并保持模擬的初始條件與實(shí)驗(yàn)一致,對(duì)探測(cè)效率... 

【文章來(lái)源】：華北電力大學(xué)(北京)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：60 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

硅漂移探測(cè)器的剖面結(jié)構(gòu)圖

ＶＩＴＵＳ?Ｈ８０型硅漂移探測(cè)器的簡(jiǎn)易結(jié)構(gòu)圖如圖２－３所示。ＳＤＤ在使用前，需要??在計(jì)算機(jī)上安裝驅(qū)動(dòng)程序和多道分析器軟件，然后將ＳＤＤ的探頭部分（Ｍｌ）與主??部分（Ｍ２）之問(wèn)用兩根電纜連接好，將電源插頭插在交流電源插座上并將ＳＤＤ探??器上面的電源幵關(guān)置于“開(kāi)”的位置，預(yù)熱３－５分鐘，然后利用ＵＳＢ電纜連接ＳＤＤ??計(jì)算機(jī)，最／Ｔ；啟動(dòng)多道分析器軟件進(jìn)行測(cè)量。能譜儀插上電源后至少需要３分鐘??能正常工作，拔掉電源插頭以后探測(cè)器回暖也需要３分鐘左右，所以切忌短時(shí)間??連續(xù)開(kāi)關(guān)電源。此外，因?yàn)椋樱模奶綔y(cè)器的鈹窗很薄、很脆，所以在使用過(guò)程中要??別注意鈹窗的防護(hù)。??主機(jī)部分??Ｍ２?Ｌ?Ｊ??保頭部分????ｍｉ?同軸ｕｓｅ??Ｃ〇ａＸ」??１浐算機(jī)??￣＾￣

華北電力大學(xué)碩士學(xué)位論文??／Ｍｒ?＾??圖２－２Ｈ８０型ＳＤＤ探測(cè)器??ＶＩＴＵＳ?Ｈ８０型硅漂移探測(cè)器的簡(jiǎn)易結(jié)構(gòu)圖如圖２－３所示。ＳＤＤ在使用前，需要??先在計(jì)算機(jī)上安裝驅(qū)動(dòng)程序和多道分析器軟件，然后將ＳＤＤ的探頭部分（Ｍｌ）與主??機(jī)部分（Ｍ２）之問(wèn)用兩根電纜連接好，將電源插頭插在交流電源插座上并將ＳＤＤ探??測(cè)器上面的電源幵關(guān)置于“開(kāi)”的位置，預(yù)熱３－５分鐘，然后利用ＵＳＢ電纜連接ＳＤＤ??和計(jì)算機(jī)，最／Ｔ；啟動(dòng)多道分析器軟件進(jìn)行測(cè)量。能譜儀插上電源后至少需要３分鐘??才能正常工作，拔掉電源插頭以后探測(cè)器回暖也需要３分鐘左右，所以切忌短時(shí)間??內(nèi)連續(xù)開(kāi)關(guān)電源。此外，因?yàn)椋樱模奶綔y(cè)器的鈹窗很薄、很脆，所以在使用過(guò)程中要??特別注意鈹窗的防護(hù)。??主機(jī)部分??Ｍ２?Ｌ?Ｊ??保頭部分????ｍｉ?同軸ｕｓｅ??


本文編號(hào)：3063979