硅漂移（SDD）探測器是一種基于側向耗盡原理的核輻射探測器。這種探測器因為比一般Si（Li）探測器輸出電容小、電子噪聲小、且只要簡單的半導體制冷就能達到需要采用液氮制冷的Si（Li）探測器的能量分辨率等優(yōu)點,使得其在能譜的定量分析、醫(yī)學成像、空間探測等領域中有著重要應用。而探測效率是SDD探測器重要的技術指標之一,探測器的尺寸參數不同、實驗樣品與探測器的幾何位置的差異,都會造成探測效率不同。因此,對探測器效率刻度的研究具有重要的實際意義。本論文以德國KETEK公司生產的VITUS H80型大探頭SDD探測器為研究對象,進行以下工作:1.分別采用相對效率刻度法、理論模型計算法及無源刻度法對SDD探測器低能區(qū)進行效率刻度。其中,相對效率刻度法是通過SDD探測器收集到的19 keV電子碰撞純厚碳靶產生的實驗軔致輻射譜與PENELOPE模擬得到相應的理論軔致輻射譜的比值,獲取相對效率刻度曲線,然后采用241Am標準放射源確定效率刻度曲線的絕對值;理論模型計算法是基于理論模型計算公式;無源刻度法是采用PENELOPE程序對SDD探測器的幾何結構進行建模,并保持模擬的初始條件與實驗一致,對探測效率... 

【文章來源】：華北電力大學(北京)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：60 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

硅漂移探測器的剖面結構圖

ＶＩＴＵＳ?Ｈ８０型硅漂移探測器的簡易結構圖如圖２－３所示。ＳＤＤ在使用前，需要??在計算機上安裝驅動程序和多道分析器軟件，然后將ＳＤＤ的探頭部分（Ｍｌ）與主??部分（Ｍ２）之問用兩根電纜連接好，將電源插頭插在交流電源插座上并將ＳＤＤ探??器上面的電源幵關置于“開”的位置，預熱３－５分鐘，然后利用ＵＳＢ電纜連接ＳＤＤ??計算機，最／Ｔ；啟動多道分析器軟件進行測量。能譜儀插上電源后至少需要３分鐘??能正常工作，拔掉電源插頭以后探測器回暖也需要３分鐘左右，所以切忌短時間??連續(xù)開關電源。此外，因為ＳＤＤ探測器的鈹窗很薄、很脆，所以在使用過程中要??別注意鈹窗的防護。??主機部分??Ｍ２?Ｌ?Ｊ??保頭部分????ｍｉ?同軸ｕｓｅ??Ｃ〇ａＸ」??１浐算機??￣＾￣

華北電力大學碩士學位論文??／Ｍｒ?＾??圖２－２Ｈ８０型ＳＤＤ探測器??ＶＩＴＵＳ?Ｈ８０型硅漂移探測器的簡易結構圖如圖２－３所示。ＳＤＤ在使用前，需要??先在計算機上安裝驅動程序和多道分析器軟件，然后將ＳＤＤ的探頭部分（Ｍｌ）與主??機部分（Ｍ２）之問用兩根電纜連接好，將電源插頭插在交流電源插座上并將ＳＤＤ探??測器上面的電源幵關置于“開”的位置，預熱３－５分鐘，然后利用ＵＳＢ電纜連接ＳＤＤ??和計算機，最／Ｔ；啟動多道分析器軟件進行測量。能譜儀插上電源后至少需要３分鐘??才能正常工作，拔掉電源插頭以后探測器回暖也需要３分鐘左右，所以切忌短時間??內連續(xù)開關電源。此外，因為ＳＤＤ探測器的鈹窗很薄、很脆，所以在使用過程中要??特別注意鈹窗的防護。??主機部分??Ｍ２?Ｌ?Ｊ??保頭部分????ｍｉ?同軸ｕｓｅ??


本文編號：3063979