關(guān)于氫氦同軸離子注入機(jī)離子源的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-01-27 23:18
核電站的長(zhǎng)期安全運(yùn)行極大程度依賴(lài)于核材料性能。核材料的特殊性體現(xiàn)在輻照效應(yīng)和輻照催生效應(yīng)。反應(yīng)堆材料中嬗變產(chǎn)物(主要是氫和氦)與中子所致的位移損傷往往按特定比例同時(shí)產(chǎn)生,單離子束輻照不能觀察到氫、氦與位移損傷的協(xié)同作用。世界核電強(qiáng)國(guó)都在興建能同時(shí)模擬位移損傷和氫、氦協(xié)同作用的三離子束輻照裝置。在這種背景下,廈門(mén)大學(xué)開(kāi)展了世界上首臺(tái)三離子束與透射電子顯微鏡聯(lián)機(jī)設(shè)施的建設(shè)。該設(shè)施由一臺(tái)400kV的離子注入機(jī),一臺(tái)50kV氫、氦同軸離子注入機(jī),一臺(tái)300keV高分辯透射電子顯微鏡和一臺(tái)3MV串列離子加速器連接組成。該聯(lián)機(jī)裝置利用低能(10-50keV)離子注入機(jī)將氫、氦離子與產(chǎn)生位移損傷的中能重離子(400keV)通過(guò)兩根管道同時(shí)引入透射電子顯微鏡,以模擬反應(yīng)堆堆芯材料中因輻照效應(yīng)而造成的顯微結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。低能氫、氦同軸離子注入機(jī)離子源是聯(lián)機(jī)設(shè)施的重要組成部分。與其它離子源相比,潘寧離子源的主要特點(diǎn)有:能在低氣壓下穩(wěn)定工作,供電系統(tǒng)和自身結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,有較長(zhǎng)的工作壽命,是以被用作氫氦同軸離子注入機(jī)的離子源。本文對(duì)氫氦同軸離子注入機(jī)所用潘寧離子源的各項(xiàng)性能進(jìn)行了較為詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)分析,并且探究了離子源...
【文章來(lái)源】:廈門(mén)大學(xué)福建省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:77 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 引言
1.1 國(guó)內(nèi)外加速器-透射電鏡聯(lián)機(jī)設(shè)施
1.1.1 研究背景
1.1.2 國(guó)內(nèi)外聯(lián)機(jī)設(shè)施及所用離子源發(fā)展
1.2 國(guó)內(nèi)外潘寧離子源的發(fā)展現(xiàn)狀及研究趨勢(shì)
1.3 本論文研究的意義
1.4 研究?jī)?nèi)容
第二章 離子源實(shí)驗(yàn)
2.1 離子源
2.1.1 離子源結(jié)構(gòu)
2.1.2 離子源工作原理及特點(diǎn)
2.2 系統(tǒng)組成
2.3 本章小結(jié)
第三章 結(jié)果與分析
3.1 離子源放電特性
3.1.1 磁場(chǎng)強(qiáng)度與氣體密度關(guān)系
3.1.2 離子源伏安特性
3.2 離子源引出特性
3.2.1 引出電壓的影響
3.2.2 放電參數(shù)的影響
3.3 引出束流質(zhì)譜
3.3.1 氫電離過(guò)程
3.3.2 氣壓對(duì)束流質(zhì)譜的影響
3.3.3 放電電壓對(duì)束流質(zhì)譜的影響
3.4 本章小結(jié)
第四章 離子源放電區(qū)結(jié)構(gòu)的改變對(duì)離子源性能的影響
4.1 實(shí)驗(yàn)原理
4.2 結(jié)果與分析
4.2.1 放電電壓對(duì)放電電流及束流強(qiáng)度的影響
4.2.2 對(duì)離子比影響
4.3 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論及后續(xù)工作建議
5.1 結(jié)論
5.2 后續(xù)工作建議
參考文獻(xiàn)
致謝
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Simulation of ion beam extraction and focusing system[J]. B.A.Soliman,M.M.Abdelrahman,A.G.Helal,F.W.Abdelsalam. 中國(guó)物理C. 2011(01)
[2]在線(xiàn)低能氣體離子源[J]. 靳碩學(xué),郭立平,彭國(guó)良,張蛟龍,楊錚,黎明,劉傳勝,巨新,劉實(shí). 核技術(shù). 2010(03)
[3]潘寧離子源中電磁場(chǎng)和氣壓對(duì)氫氣電離的影響[J]. 肖坤祥,周明貴,談效華. 真空電子技術(shù). 2003(06)
[4]Study of the pulsed working characteristics of the penning ion source for neutron tubes[J]. LU Hong-Bo, YUE Cheng-Bo, LI Wen-Sheng, ZHAI Wei-Dong, JIANG Zhong-Jing, WEI Bao-Jie (Department of Physis, the Northeast Normal University, Changchun 130024). Nuclear Science and Techniques. 2000(03)
[5]微型永磁體冷陰極潘寧源的性能及應(yīng)用[J]. 彭友貴,葉明生,傅強(qiáng),孟憲權(quán),邱進(jìn)軍. 武漢大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 1996(05)
[6]LY—3A型冷陰極離子源[J]. 陳亞光. 微細(xì)加工技術(shù). 1992(01)
[7]調(diào)磁式潘寧離子源[J]. 吳庚年,夏慧琴. 電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備. 1987(01)
[8]冷陰極潘寧離子源的改進(jìn)實(shí)驗(yàn)及其應(yīng)用[J]. 顏貽明. 半導(dǎo)體技術(shù). 1982(02)
本文編號(hào):3003908
【文章來(lái)源】:廈門(mén)大學(xué)福建省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:77 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 引言
1.1 國(guó)內(nèi)外加速器-透射電鏡聯(lián)機(jī)設(shè)施
1.1.1 研究背景
1.1.2 國(guó)內(nèi)外聯(lián)機(jī)設(shè)施及所用離子源發(fā)展
1.2 國(guó)內(nèi)外潘寧離子源的發(fā)展現(xiàn)狀及研究趨勢(shì)
1.3 本論文研究的意義
1.4 研究?jī)?nèi)容
第二章 離子源實(shí)驗(yàn)
2.1 離子源
2.1.1 離子源結(jié)構(gòu)
2.1.2 離子源工作原理及特點(diǎn)
2.2 系統(tǒng)組成
2.3 本章小結(jié)
第三章 結(jié)果與分析
3.1 離子源放電特性
3.1.1 磁場(chǎng)強(qiáng)度與氣體密度關(guān)系
3.1.2 離子源伏安特性
3.2 離子源引出特性
3.2.1 引出電壓的影響
3.2.2 放電參數(shù)的影響
3.3 引出束流質(zhì)譜
3.3.1 氫電離過(guò)程
3.3.2 氣壓對(duì)束流質(zhì)譜的影響
3.3.3 放電電壓對(duì)束流質(zhì)譜的影響
3.4 本章小結(jié)
第四章 離子源放電區(qū)結(jié)構(gòu)的改變對(duì)離子源性能的影響
4.1 實(shí)驗(yàn)原理
4.2 結(jié)果與分析
4.2.1 放電電壓對(duì)放電電流及束流強(qiáng)度的影響
4.2.2 對(duì)離子比影響
4.3 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論及后續(xù)工作建議
5.1 結(jié)論
5.2 后續(xù)工作建議
參考文獻(xiàn)
致謝
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Simulation of ion beam extraction and focusing system[J]. B.A.Soliman,M.M.Abdelrahman,A.G.Helal,F.W.Abdelsalam. 中國(guó)物理C. 2011(01)
[2]在線(xiàn)低能氣體離子源[J]. 靳碩學(xué),郭立平,彭國(guó)良,張蛟龍,楊錚,黎明,劉傳勝,巨新,劉實(shí). 核技術(shù). 2010(03)
[3]潘寧離子源中電磁場(chǎng)和氣壓對(duì)氫氣電離的影響[J]. 肖坤祥,周明貴,談效華. 真空電子技術(shù). 2003(06)
[4]Study of the pulsed working characteristics of the penning ion source for neutron tubes[J]. LU Hong-Bo, YUE Cheng-Bo, LI Wen-Sheng, ZHAI Wei-Dong, JIANG Zhong-Jing, WEI Bao-Jie (Department of Physis, the Northeast Normal University, Changchun 130024). Nuclear Science and Techniques. 2000(03)
[5]微型永磁體冷陰極潘寧源的性能及應(yīng)用[J]. 彭友貴,葉明生,傅強(qiáng),孟憲權(quán),邱進(jìn)軍. 武漢大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 1996(05)
[6]LY—3A型冷陰極離子源[J]. 陳亞光. 微細(xì)加工技術(shù). 1992(01)
[7]調(diào)磁式潘寧離子源[J]. 吳庚年,夏慧琴. 電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備. 1987(01)
[8]冷陰極潘寧離子源的改進(jìn)實(shí)驗(yàn)及其應(yīng)用[J]. 顏貽明. 半導(dǎo)體技術(shù). 1982(02)
本文編號(hào):3003908
本文鏈接:http://sikaile.net/projectlw/hkxlw/3003908.html
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