μSR譜儀樣機讀出電子學系統(tǒng)研制
【學位單位】:中國科學技術(shù)大學
【學位級別】:博士
【學位年份】:2019
【中圖分類】:TL817
【部分圖文】:
500MeV)與目標靶(一般使用碳靶或者鈹靶)的碰撞通過可能的反應(p?+?p?—??]3?+?n?+?7r+或p?+?n-^n?+?n?+?7r+)產(chǎn)生次級粒子7T+介子,而7T+非常不穩(wěn)定,容??易在平均壽命為26.03?ns的時間內(nèi)衰變成p?(7T+p?+?Vp),如圖1.2所示。??4??
質(zhì)子轟擊目標靶之后雖然會產(chǎn)生大量的7T介子,但是這些7T介子分成兩種,一??種是動能比較小的7T介子停止在目標IE的表面附近,然后衰變,產(chǎn)生的^子被稱??為表面(I?(SurfaceMuon)(如圖1.3所示);另一種是動能比較大的7r介子逃逸出??目標靶,然后在外部空間中衰變,產(chǎn)生的H子被稱為衰變R?(如圖1.4所示)。表??面H和衰變H的主要區(qū)別就是它們有不同的動量(表面p的動能更低)、不同的??樣品注入深度(表面p注入的深度更淺)和不同的極化率(表面p是基本1〇〇%??極化的,而衰變p是80%左右)。表面p只可能是n+,因為停止在目標靶表面附??近的JT介子在發(fā)生衰變之前基本上都會被核捕獲,只有衰變p才存在f和廠。??與31介子動量方向相反發(fā)射的(1子被稱為后向H子(Backward?)x),其可以通過??彎曲磁體來進行選擇性地提取(前向H子被7:介子所污染而一般難以提。。雖??然這種方法也可以用于H+SR,但是對于fTSR來說,這是獲取廠的唯一選擇。與??表面^相比,后向^具有更高的動量(大約50-100?MeV/c)、更大的動量擴散和??更大的相空間。雖然后面兩個特征不是非常理想,但是后向p是研究厚靶容器中??的樣品的唯一手段
圖1.4衰變^產(chǎn)生過程示意圖??.2.3?^子源的分類??據(jù)時間結(jié)構(gòu)來分類,可以把K子源分成連續(xù)型和脈沖型。連續(xù)型的續(xù)的質(zhì)子源產(chǎn)生,沒有任何明顯的時間結(jié)構(gòu)。這種K子源的優(yōu)點是測器和電子學的條件下,可以使pSR的時間分辨非常高(小于lO辨只取決于探測系統(tǒng)的時間分辨,而更好的時間分辨可以檢測更大的弛豫信號。每次只能有一個^子可以被注入樣品中,當K子到達器,當檢測到p子衰變產(chǎn)生的正電子時就停止計數(shù)器,這段時間內(nèi)子到達,否則就不能判斷是哪一個jx子發(fā)生了衰變。一個子的衰束之后才能開始下一個p子衰變時間的測量,否則就會出現(xiàn)“堆以^子束流的速率就受到了限制,一般限制在l〇5[i+/s甚至更低,受到了限制。除了在束流中點上最佳的^子束外,其他所有的束流器濾掉,所以一般用于測一些小且薄的樣品。??
【相似文獻】
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本文編號:2865792
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