托卡馬克偏濾器靶板侵蝕及一維刮削層物理的粒子模擬研究
【學(xué)位單位】:大連理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TL631.24
【部分圖文】:
產(chǎn)物中存在中子,這個中子還可以再次進行此反應(yīng),這對氚增殖是非常有利的。鋰6和逡逑鋰7都是穩(wěn)定的元素,在自然界中儲量也很豐富,可使用3千萬年[15]。鋰6在自然界的逡逑豐度是7.5%,鋰7的豐度是92.5%。圖1.3給出了幾種元素被中子轟擊進行l(wèi)#增殖的反逡逑應(yīng)截面[14,16,17],從圖中可以看出,低能中子基本只與鋰6發(fā)生反應(yīng),而當(dāng)中子能量大于逡逑5邋MeV時,式1.13的反應(yīng)截面大于式1.12的反應(yīng)截面。根據(jù)式1.6氖l#反應(yīng)產(chǎn)生的中逡逑子能量為14.1邋MeV,因此高能中子開始主要進行式1.13的反應(yīng),在反應(yīng)中會損失能量,逡逑當(dāng)能量小于5邋MeV時,主要發(fā)生式1.12的反應(yīng)。對于鈹和鉛,高能中子可以與之反應(yīng),逡逑但是低能中子不能,氚增值效率低。逡逑101邋:::r邋r-T'-pr-irnMm邐\"\\\\\\邋^逡逑2邋二0=二= ̄|||||二逡逑^邐(n,0d3H邐— ̄j邐Pb(n,2n)-.>^?*'逡逑i邐luiim逡逑匕邋一邐7Li(nJn/a)3H-,,qi逡逑1邐=二二二:::::邋=二邐丨一邋?逡逑10r2邐104邐1邐10逡逑Neutron邋energy
托卡馬克偏濾器靶板侵蝕及一維刮削層物理的粒子模擬研究等離子體被約束在較低密度下,但是能量約束時間相對較長。磁約束聚變克(本文研究重點)和仿星器等,都是采用此策略。需要注意的一點是和聚變裝置運行時間(等離子體放電時間)是不一樣的。目前托卡馬克體密度可以達到l.0X102()rn_3量級,能量約束時間在秒量級。逡逑等離子體密度非常高但約束時間非常短。慣性約束就是這種情況,固態(tài)球被多束高能激光同時均勻照射。激光束照射會使小球表面受到很大向氚混合物被壓縮到很高的密度。慣性約束等離子體密度要比托卡馬克中出11個量級,而約束時間在納秒量級。逡逑卡馬克裝置介紹逡逑
行磁場方向卻能自由運動,粒子和能量會很快損失掉,導(dǎo)致了能量約束時間太短。?個逡逑更好的方案是將磁場做成輪胎狀的…個閉環(huán),帶電粒子沿著環(huán)向運動,避免上述線性裝逡逑置中等離子體沿著磁場的損失,圖1.5給出環(huán)磁場位型的剖面圖以及帶電粒子的漂移[15L逡逑這種簡單的環(huán)位型是非常不穩(wěn)定的,環(huán)向磁場強度隨著大環(huán)半徑增大而減少,這導(dǎo)致了逡逑帶電粒子的磁場梯度漂移,漂移速度如下:逡逑1邐VBxB邐,…、逡逑=邋±邋-邐-邋B2邐(1邋-24)逡逑離子和電子的漂移速度都在垂直方向,但是方向相反,正負(fù)電荷分離導(dǎo)致很強的電場產(chǎn)逡逑生。這個電場又導(dǎo)致了邐漂移,漂移速度沿大環(huán)徑向向外,離子和電子漂移速度方向逡逑相同,等離子體整體有個向外的速度,最終毀壞約束。因為原來帶電粒子的磁場梯度漂逡逑-11邋-逡逑
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本文編號:2817082
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