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托卡馬克偏濾器靶板侵蝕及一維刮削層物理的粒子模擬研究

發(fā)布時間:2020-09-11 19:30
   托卡馬克是最可能實現(xiàn)可控磁約束核聚變的實驗裝置之一。等離子體與器壁相互作用是托卡馬克研究中最重要的問題之一,其直接影響裝置的壽命以及穩(wěn)態(tài)可控放電,而偏濾器是等離子體與器壁相互作用的主要區(qū)域。在高等離子體熱流轟擊下,尤其是邊緣局域模和等離子體破裂情況,偏濾器靶板會受到損傷,從而縮短托卡馬克裝置的壽命。另外等離子體轟擊器壁材料會濺射產(chǎn)生雜質(zhì),進入芯部的雜質(zhì)太多可能引起芯部等離子體熄火。托卡馬克實驗復(fù)雜且成本高昂,數(shù)值模擬為等離子體與器壁相互作用研究提供一個非常重要的研究手段。由于生產(chǎn)工藝限制以及等離子體轟擊,偏濾器靶板表面具有不同程度的粗糙度,相應(yīng)的物理濺射也會有所不同。另外,為了減小熱應(yīng)力及渦旋電流效應(yīng),偏濾器靶板是由很多瓦片拼接而成,瓦片之間的縫隙會引起燃料滯留和加劇瓦片邊緣濺射等問題。為了研究這些問題,我們需要關(guān)注靶板附近等離子體密度和溫度等參數(shù)的分布,而這些參數(shù)又與整個刮削層密切相關(guān)。本文開發(fā)了一維和二維的并行粒子程序,對偏濾器靶板侵蝕及刮削層等離子體的相關(guān)問題進行模擬研究。第一章介紹了本文研究背景,第二章給出了本文采用的數(shù)值方法和模擬程序,其它各章研究內(nèi)容分別為:第三章采用二維粒子程序,應(yīng)用階梯網(wǎng)格的方法處理不規(guī)則邊界,自洽地計算了碳靶粗糙壁附近的電勢分布,并研究了等離子體溫度、粗糙表面形貌和磁場強度對氘離子局域角分布和物理濺射產(chǎn)額的影響。結(jié)果顯示,等離子體溫度對物理濺射的影響主要源于離子轟擊能量;物理濺射產(chǎn)額隨著粗糙壁谷底寬度以及磁場強度的增加而增加。第四章依然采用二維粒子程序,模擬研究了不同形狀的瓦片邊緣對熱流密度分布的影響,以及低Z雜質(zhì)離子對瓦片的物理濺射,為偏濾器瓦片設(shè)計提供參考。模擬發(fā)現(xiàn),在縫隙面向等離子體的瓦片邊緣附近,等離子體粒子流密度、熱流密度以及雜質(zhì)離子的侵蝕速率非常高。對于極向縫隙,面向等離子體一側(cè)的瓦片邊緣做成圓邊會降低熱流密度峰值。第五章采用一維粒子程序模擬研究了刮削層等離子體沿磁力線的輸運過程,以及碳原子注入和氘再循環(huán)對等離子體的影響。自洽地計算了等離子體密度、溫度和電勢等分布以及等離子體鞘層結(jié)構(gòu),并給出了靶板附近電子和離子的速度分布函數(shù)。模擬結(jié)果顯示,在注入碳原子或考慮氘再循環(huán)情況下,靶板附近的電子密度升高,電子溫度降低,鞘層電勢降降低,入射到靶板的熱流降低,從而降低等離子體對靶板的侵蝕。
【學(xué)位單位】:大連理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TL631.24
【部分圖文】:

反應(yīng)截面,中子,低能中子,高能中子


產(chǎn)物中存在中子,這個中子還可以再次進行此反應(yīng),這對氚增殖是非常有利的。鋰6和逡逑鋰7都是穩(wěn)定的元素,在自然界中儲量也很豐富,可使用3千萬年[15]。鋰6在自然界的逡逑豐度是7.5%,鋰7的豐度是92.5%。圖1.3給出了幾種元素被中子轟擊進行l(wèi)#增殖的反逡逑應(yīng)截面[14,16,17],從圖中可以看出,低能中子基本只與鋰6發(fā)生反應(yīng),而當(dāng)中子能量大于逡逑5邋MeV時,式1.13的反應(yīng)截面大于式1.12的反應(yīng)截面。根據(jù)式1.6氖l#反應(yīng)產(chǎn)生的中逡逑子能量為14.1邋MeV,因此高能中子開始主要進行式1.13的反應(yīng),在反應(yīng)中會損失能量,逡逑當(dāng)能量小于5邋MeV時,主要發(fā)生式1.12的反應(yīng)。對于鈹和鉛,高能中子可以與之反應(yīng),逡逑但是低能中子不能,氚增值效率低。逡逑101邋:::r邋r-T'-pr-irnMm邐\"\\\\\\邋^逡逑2邋二0=二= ̄|||||二逡逑^邐(n,0d3H邐— ̄j邐Pb(n,2n)-.>^?*'逡逑i邐luiim逡逑匕邋一邐7Li(nJn/a)3H-,,qi逡逑1邐=二二二:::::邋=二邐丨一邋?逡逑10r2邐104邐1邐10逡逑Neutron邋energy

位型,粒子,托卡馬克,慣性約束


托卡馬克偏濾器靶板侵蝕及一維刮削層物理的粒子模擬研究等離子體被約束在較低密度下,但是能量約束時間相對較長。磁約束聚變克(本文研究重點)和仿星器等,都是采用此策略。需要注意的一點是和聚變裝置運行時間(等離子體放電時間)是不一樣的。目前托卡馬克體密度可以達到l.0X102()rn_3量級,能量約束時間在秒量級。逡逑等離子體密度非常高但約束時間非常短。慣性約束就是這種情況,固態(tài)球被多束高能激光同時均勻照射。激光束照射會使小球表面受到很大向氚混合物被壓縮到很高的密度。慣性約束等離子體密度要比托卡馬克中出11個量級,而約束時間在納秒量級。逡逑卡馬克裝置介紹逡逑

剖面圖,環(huán)向,仿星器,環(huán)向場


行磁場方向卻能自由運動,粒子和能量會很快損失掉,導(dǎo)致了能量約束時間太短。?個逡逑更好的方案是將磁場做成輪胎狀的…個閉環(huán),帶電粒子沿著環(huán)向運動,避免上述線性裝逡逑置中等離子體沿著磁場的損失,圖1.5給出環(huán)磁場位型的剖面圖以及帶電粒子的漂移[15L逡逑這種簡單的環(huán)位型是非常不穩(wěn)定的,環(huán)向磁場強度隨著大環(huán)半徑增大而減少,這導(dǎo)致了逡逑帶電粒子的磁場梯度漂移,漂移速度如下:逡逑1邐VBxB邐,…、逡逑=邋±邋-邐-邋B2邐(1邋-24)逡逑離子和電子的漂移速度都在垂直方向,但是方向相反,正負(fù)電荷分離導(dǎo)致很強的電場產(chǎn)逡逑生。這個電場又導(dǎo)致了邐漂移,漂移速度沿大環(huán)徑向向外,離子和電子漂移速度方向逡逑相同,等離子體整體有個向外的速度,最終毀壞約束。因為原來帶電粒子的磁場梯度漂逡逑-11邋-逡逑

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本文編號:2817082

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