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強流單電荷態(tài)離子束的產(chǎn)生與傳輸研究

發(fā)布時間:2020-07-17 19:36
【摘要】:隨著核物理以及與核能技術(shù)的發(fā)展,相關(guān)研究領(lǐng)域?qū)娏鳌⒏吖β始铀倨鞯男枨笥l(fā)強烈,從而極大推動了強流加速器的發(fā)展。強流離子加速器技術(shù)中,低能段離子源與束流傳輸?shù)囊恍﹩栴}的研究是關(guān)鍵,例如在ADS(加速器驅(qū)動嬗變次臨界裝置)驅(qū)動加速器技術(shù)中,強流質(zhì)子束的獲得、高性能傳輸以及與后續(xù)加速器系統(tǒng)的匹配是難點與關(guān)鍵。本論文針對錦屏深地核天體實驗裝置(JUNA)加速器項目的要求,為其設(shè)計研制了帶有分析磁鐵的低能傳輸線。JUNA將是世界上首個建成并投入深地環(huán)境使用的采用強流2.45 GHz ECR源作為離子注入器的深地核天體實驗裝置,為此需要一臺強流離子源與低能傳輸線,提供10mA的H~+、He~+以及5mA的He2~+高純度束流?紤]JUNA加速器裝置的目標(biāo)離子種類、運行能量范圍(70~800keV)、低本底運行條件的要求,低能傳輸線設(shè)計采用雙螺管的強流束匹配結(jié)構(gòu),以實現(xiàn)束流的匹配,同時在兩螺線管間設(shè)置了30度偏轉(zhuǎn)角雙聚焦結(jié)構(gòu)的分析磁鐵,實現(xiàn)不同粒子的切換、雜質(zhì)粒子的去除。利用束流動力學(xué)模擬,設(shè)計優(yōu)化了束流傳輸元件,評估了束流的損失位置并設(shè)置了相應(yīng)的束流阻擋器,從而滿足了項目要求的高純度、大動態(tài)強流束的傳輸;初步聯(lián)調(diào)結(jié)果表明其能夠滿足項目對束流的要求。雜質(zhì)離子如H2~+、H3~+的污染問題一直是強流質(zhì)子加速器的難點,為此CIADS考慮引入帶有質(zhì)量分析系統(tǒng)的注入器設(shè)計方案。針對此方案,利用JUNA的低能傳輸線進行了可行性研究。通過對CIADS注入器要求的35 keV、10 mA的強流離子束經(jīng)過分析磁鐵的束流品質(zhì)進行了模擬與實驗對比分析,發(fā)現(xiàn)分析磁鐵高階磁場的影響造成了束流的畸變,并且該影響隨著束流包絡(luò)的變大而增強。這些結(jié)果為CIADS注入器的低能傳輸線提供了更為具體的設(shè)計參考依據(jù)。強流離子源的關(guān)鍵在于高密度等離子體的建立。本論文針對ECR離子源獲得高密度等離子體的方法,深入調(diào)研了一種不受截止密度限制的微波模式——電子伯恩斯坦波(EBW)。通過系統(tǒng)的調(diào)研分析,根據(jù)14.5 GHz條件下建立EBW模式的可行性,搭建了原理性研究實驗平臺,進行了初步實驗探索,并對實驗存在的問題進行了探討與分析。
【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院近代物理研究所)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TL503.3
【圖文】:

離子源


態(tài)離子源發(fā)展現(xiàn)狀Chapter (Next) Section 1目前世界上的絕大多數(shù)強流采用 2.45 GHz 的微波頻率,它具有高穩(wěn)定性、高流品質(zhì)優(yōu)秀等特點。專注于研制 2.45 GHzECR 驗室在單電荷態(tài) ECR 離子源研究領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先質(zhì)子注入器(IPHI、 Injector of Protons for High-In輻照裝置(IFMIF,International Fusion Materials Irrad和離子研究裝置(FAIR, Fcility for Antiproton and Ion。IPHI 的離子源 SILHI 的結(jié)構(gòu)如圖 2.1,其性能非常 CW模式下能夠產(chǎn)生最高157mA的強流質(zhì)子束,質(zhì)時間的穩(wěn)定運行測試。

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圖 2.2 意大利 TRASCO 離子源 TRIPS 示意圖中國從上世紀(jì) 80 年代末開始了 2.45 GHz ECR 離子源的研究工作。中國原科學(xué)研究院所研制的強流 ECR 能夠在引出電壓 70keV 的情況下,引出高0mA 的混合束流,H+比例大于 80%,歸一化均方根發(fā)射度≤0.2π.mm.mrad北京大學(xué)在緊湊型全永磁 2.45 GHz ECR 離子源的研制上也取得了優(yōu)異的。其設(shè)計的離子源源體如圖 2.3,尺寸僅有 100 100 mm,重量不超過 5夠在 35 keV 的引出電壓下,引出 50~55mA 的直流質(zhì)子束,并且連續(xù)穩(wěn)定過 300 小時[9]。

示意圖,離子源,北京大學(xué),引出電壓


圖 2.2 意大利 TRASCO 離子源 TRIPS 示意圖世紀(jì) 80 年代末開始了 2.45 GHz ECR 離子源的研究所研制的強流 ECR 能夠在引出電壓 70keV 的情況束流,H+比例大于 80%,歸一化均方根發(fā)射度≤0.在緊湊型全永磁 2.45 GHz ECR 離子源的研制上也取離子源源體如圖 2.3,尺寸僅有 100 100 mm,重 的引出電壓下,引出 50~55mA 的直流質(zhì)子束,并且[9]。

【參考文獻】

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本文編號:2759847

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