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雜質注入下的CFETR輻射偏濾器SOLPS模擬研究

發(fā)布時間:2020-05-31 04:46
【摘要】:對于未來的聚變托卡馬克裝置而言,如何排出芯部等離子體聚變產生的大量能量是一個至關重要的問題。中國聚變工程實驗堆(China Fusion Engineering Test Reactor,CFETR)的聚變功率設計目標將達到1 GW,向CFETR的邊界等離子體中注入氣體雜質,使其偏濾器運行在輻射偏濾器的工作狀態(tài),從而利用雜質輻射排出進入刮削層中的等離子體能流,將會是一種必須采取的技術手段。而在注入雜質后,如何兼顧偏濾器靶板的低熱負載與芯部等離子的低雜質濃度是關鍵問題之一。本文基于二維邊界等離子體模擬程序SOLPS系統(tǒng)地開展了 CFETR輻射偏濾器的數(shù)值模擬,研究了高輻射份額條件下雜質注入的種類、位置以及不同的偏濾器位形對于偏濾器雜質屏蔽性能的影響。具體包括以下幾方面內容。研究工作首先針對常規(guī)下單零偏濾器位形開展,在氬雜質注入時,模擬了不同等離子體密度條件下的輻射偏濾器。結果表明,在總輻射功率Prad~170 MW時,在高密度和低密度條件下,內外偏濾器等離子體均可以實現(xiàn)完全脫靶,從而大幅度降低偏濾器靶板的熱負載。Matthews實驗定標能夠較好的擬合模擬數(shù)據,得到氬雜質注入下有效電荷數(shù)Zeff與電子密度ne及總輻射功率Prad的關系,為進一步的芯部參數(shù)優(yōu)化提供合理的邊界條件。除了氬以外,氮、氖也是目前實驗中常用的輻射雜質,因此本文進一步研究了三種不同氣體雜質注入邊界等離子體后,雜質輸運及輻射的差別。模擬結果表明,在Prad~170 MW,偏濾器等離子體脫靶時,相同的電子密度下,氮雜質注入會造成最小的芯部燃料稀釋。然而,氮與鎢的化學反應會增加鎢壁中的氚滯留,而氮與氚形成的類氨化合物也會增加氚工廠的負擔。在其余的兩種惰性氣體雜質中,盡管氬的原子序數(shù)更高,氬雜質注入卻伴隨著更低的上游Zeff,這是由于氬原子有著比氖原子更低的電離能,因此更容易在靠近靶板附近的位置電離,進而導致更強的非日冕平衡效應(non-coronal)。因此,本文進一步對Matthews定標提出了一個試探性的修正:Zeff=1+C(Z-1)αPad/ne2-β/(EionD/Eionmp)γ,其中用電離能衡量雜質輻射中非日冕平衡效應的貢獻,模擬結果與修正后的定標有相當好的吻合。本文進一步模擬比較了四種不同的充氣方案對雜質屏蔽性能的影響,具體包括:從上游充入氘氬混合氣體;從外偏濾器充入氘氬混合氣體;從內偏濾器充入氘氬混合氣體;從上游充入氘氣的同時從外偏濾器充入氬氣。模擬結果表明,從上游注入氘氣時,可以大大增強刮削層內的背景等離子體流,從而得到更好的氬雜質屏蔽效果與更低的上游Zeff。而與注入氘氣的位置相比,在相同總輻射功率的情況下,注入氬氣的位置對于邊界等離子的影響要小得多——此時偏濾器靶板再循環(huán)是邊界等離子體中最主要的雜質源。本文最后模擬研究了CFETR裝置中氬雜質注入下準雪花偏濾器位形中的輻射偏濾器,并將模擬結果與常規(guī)的下單零偏濾器位形的結果進行了比較。在高密度的情況下,準雪花偏濾器能在更低的總輻射功率下實現(xiàn)內外偏濾器等離子體的完全脫靶,并且由于其內外偏濾器處等離子體的脫靶程度都更高,表現(xiàn)出了更好的雜質屏蔽效果。而在低密度的情況下,由于我們所使用的準雪花偏濾器位形中外偏濾器磁通展寬增加的幅度遠高于內偏濾器,隨著總輻射功率的增加,不同于下單零位形下內偏濾器先脫靶,準雪花偏濾器位形下外偏濾器處的等離子體率先脫靶,并且其中的雜質輻射表現(xiàn)出的更強的內外不對稱性。模擬結果表明,準雪花偏濾器增加的磁通展寬與連接長度不僅有助于偏濾器等離子體的脫靶,也可以提高等離子體脫靶的程度,因而可以通過抑制雜質的反流而增強偏濾器處的雜質屏蔽。
【圖文】:

聚變反應,反應截面,同位素


邐(1.1)逡逑其中n表示中子,而4He即最常見的氦,也就是常說的a粒子。這一反應能夠產逡逑生17.6邋MeV的能量。圖1.1給出了氘l#聚變與其他兩種常見的聚變反應截面的逡逑比較。逡逑10-21邐.....干?:二|邐■:.■_■!邋—邐[邐[邋|邋j邋|邋|邐L邋I邐L逡逑邐—邋一邐IJ邋 ̄邐二二二二—u-邐一一邋 ̄邋""邐 ̄"邋■邐二二:逡逑zzmi邋zmmi邋zn邋二二二::邐— ̄ ̄ ̄逡逑,u邐z逡逑7邐逡逑邐邐__邋"X邋邐:::逡逑10-22邋=邋=邋=邋=邋=邋=邋=邋1^==^邋=邋=邋=邋^^逡逑10 ̄23邋=邋=邋=邋=邋=^^====^^=====--逡逑====l=EE=E=p^EE=EE邋=逡逑/邐D-D/邋/逡逑ict24邋^三三三三三三g邐^三eee三三三逡逑lpllp^pill。剑剑剑藉义希0-5:邋t逡逑kt26。澹慑澹戾澹卞澹剩粒斟澹蛇娺婂澹保保保保保卞义希卞澹保板澹保埃板义希颍ǎ耄澹郑╁义蠄D1.1氘-氚、氘-氘、氘-氦3三種常見聚變反應的反應截面111逡逑作為氘氚聚變反應的兩種主要燃料,氘和氚都是氫的同位素。氫是宇宙中含逡逑量最多的元素

示意圖,磁約束聚變,發(fā)展路線,示意圖


2015邐2020邐2025邐2030邐203S邐2040邐2045邐2050邐2055邐2060逡逑圖1.2中國磁約束聚變發(fā)展路線圖Ml逡逑圖1.3是CFETR的示意圖。CFETR的運行預期分兩個階段:階段一(Phase逡逑I)的目標是實現(xiàn)氚自持和穩(wěn)態(tài)運行,其聚變功率會達到200MW;階段二(Phase逡逑II)則會驗證DEMO的可行性,實現(xiàn)超過1邋GW的聚變功率。CFETR的概念設計逡逑已經開展了超過四年的時間【19,2()1,其初始的設計參數(shù)為大半徑7?邋=邋5.7m,小半徑逡逑?=邋1.6邋m,環(huán)向磁場5T邋=邋4-5邋T。然而,對于這樣的設計而言,第二階段的運行逡逑將會需要非常高的等離子體參數(shù),并會給偏濾器與包層的設計帶來極大的挑戰(zhàn)。逡逑因此,為了在現(xiàn)有的工程技術條件下同時滿足Phasel與Phasell的目標,CFETR逡逑又完成了多個版本的概念設計,,其中包括大半徑尺=邋6.6m,小半徑《=邋1.8邋m,逡逑環(huán)向磁場=邋6-7邋T的版本|22】
【學位授予單位】:中國科學技術大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TL631.24

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