【摘要】：在托卡馬克中,中性束注入等往往會引起等離子體旋轉(zhuǎn),產(chǎn)生剪切流動。剪切流對磁流體的兩種不穩(wěn)定性——撕裂模不穩(wěn)定性和開爾文-亥姆霍茲不穩(wěn)定性都有顯著的影響。本論文就是采用約化的磁流體力學(xué)模型,數(shù)值模擬柱位形下等離子體旋轉(zhuǎn)對兩種q=1磁流體不穩(wěn)定性的影響。第一章,緒論,簡要介紹了ITER計劃、托卡馬克裝置及其磁場位形,并概述了磁流體力學(xué)不穩(wěn)定性的種類及研究方法。第二章是有關(guān)撕裂模不穩(wěn)定性和開爾文-亥姆霍茲不穩(wěn)定性的理論,在本章我們也對關(guān)于極向磁通ψ和流函數(shù)(?)的兩場方程進行了推導(dǎo)。第三章是本論文的主體部分。首先,研究了增長率y關(guān)于電阻的定標率,發(fā)現(xiàn)對于m/n=1/1模,γ1/1～SHP/-1/2,對于m/n2/2模,隨著旋轉(zhuǎn)頻率增加,增長率從撕裂模階段的γ2/2～SHp-3→SHp-1/2,過渡到K-H模階段的γ2/2～SHp0。關(guān)于q剖面,研究發(fā)現(xiàn),芯部安全因子越大(q0→1),撕裂模越容易被抑制,K-H模則越容易被激發(fā)；磁剪切越小撕裂模越容易被抑制,K-H模越容易被激發(fā)。關(guān)于旋轉(zhuǎn)剖面,則發(fā)現(xiàn)：當剪切層位置處于有理面上時,撕裂模更容易被抑制,但剪切層位置處于有理面內(nèi)側(cè)時,K-H模更容易被激發(fā);剪切層寬度越小,其對撕裂模的致穩(wěn)作用越顯著,然而,也越容易到達激發(fā)K-H模不穩(wěn)定性的閾值。
【學(xué)位授予單位】：大連理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TL631.24;O53

【參考文獻】

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1 王輝輝;托卡馬克中誤差場鎖�，F(xiàn)象的若干問題研究[D];大連理工大學(xué);2013年

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本文編號：2647554