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HL-2M裝置中性束離子源束光學(xué)實(shí)驗(yàn)研究及實(shí)驗(yàn)平臺(tái)改造

發(fā)布時(shí)間:2020-04-10 01:25
【摘要】:因其加熱效率高、加熱機(jī)制清楚等優(yōu)點(diǎn),中性束注入(Neutral Beam Injection)加熱被廣泛應(yīng)用于大中型磁約束受控核聚變裝置。HL-2M裝置是HL-2A裝置的改造升級(jí)裝置,其建造目的是研究未來(lái)聚變堆相關(guān)物理及其關(guān)鍵技術(shù),研究高壓比、高參數(shù)的聚變等離子體物理,為下一步建造聚變堆打好基礎(chǔ)。為了研究HL-2M裝置NBI加熱用的80kV/45A/5s熱陰極離子源束光學(xué)特性,本文利用現(xiàn)有的離子源測(cè)試平臺(tái),設(shè)計(jì)并加工采用紅外CCD成像技術(shù)的束光學(xué)診斷系統(tǒng)。并采用實(shí)驗(yàn)研究的方法,掃描離子源的放電和引出參數(shù),測(cè)量離子源引出粒子束轟擊量熱靶板產(chǎn)生的溫度分布。得到溫度分布后,利用matlab軟件進(jìn)行高斯擬合,獲得了對(duì)應(yīng)參數(shù)下量熱靶上的束功率密度分布,得到束功率密度空間分布區(qū)間特征參數(shù)1/e半寬度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,HL-2M裝置NBI加熱系統(tǒng)80kV/45A離子源可用的導(dǎo)流系數(shù)范圍為0.7微樸~1.5微樸。同樣導(dǎo)流系數(shù)下,梯度電極與等離子體電極的分壓比較高時(shí),引出束流的半寬度較小。此外,為了更好的研究離子源束光學(xué)特性,對(duì)離子源測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行升級(jí)改造,設(shè)計(jì)了一套可移動(dòng)的5s長(zhǎng)脈沖離子源診斷系統(tǒng)。利用安裝在銅靶上的熱電偶陣列,對(duì)離子束進(jìn)行截取測(cè)量。其中本文主要介紹了量熱靶、移動(dòng)平臺(tái)、中性化管道等部件的設(shè)計(jì),為下一步實(shí)驗(yàn)做好了基礎(chǔ)。
【學(xué)位授予單位】:西南交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類(lèi)號(hào)】:TL631

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本文編號(hào):2621552

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