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161. 雜散電感對SiC MOSFET開關(guān)過程的影響分析及優(yōu)化研究
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162. 基于碳化硅MOSFET的電機驅(qū)動系統(tǒng)的電磁干擾與抑制研究
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163. 基于SiC MOSFET的高壓醫(yī)療X光機電源若干關(guān)鍵技術(shù)研究
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164. SiC MOSFET模塊特性及其三相兩電平逆變器調(diào)制策略研究
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165. 基于SiC MOSFET與單相SVPWM技術(shù)的高頻逆變電源研究
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166. Ti/Al/4H-SiC MOSFET歐姆接觸電極研究
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167. 0.13μm部分耗盡薄膜SOI MOSFETs擊穿特性研究
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168. 基于MOSFET串并聯(lián)技術(shù)的海航脈沖發(fā)生器的設(shè)計與實現(xiàn)
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169. 計及MOSFET關(guān)斷過程的LLC變換器死區(qū)時間選取及計算
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170. 碳化硅MOSFET電容及寬溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)參數(shù)測試
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