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161. 基于碳化硅
MOSFET
的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電磁干擾與抑制研究
162. 基于SiC
MOSFET
的高壓醫(yī)療X光機(jī)電源若干關(guān)鍵技術(shù)研究
163. SiC
MOSFET
模塊特性及其三相兩電平逆變器調(diào)制策略研究
164. 基于SiC
MOSFET
與單相SVPWM技術(shù)的高頻逆變電源研究
165. Ti/Al/4H-SiC
MOSFET
歐姆接觸電極研究
166. 0.13μm部分耗盡薄膜SOI
MOSFET
s擊穿特性研究
167. 基于
MOSFET
串并聯(lián)技術(shù)的海航脈沖發(fā)生器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
168. 計(jì)及
MOSFET
關(guān)斷過(guò)程的LLC變換器死區(qū)時(shí)間選取及計(jì)算
169. 碳化硅
MOSFET
電容及寬溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
170. 基于半解析法的全耗盡SOI
MOSFET
亞閾值表面勢(shì)分析
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