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環(huán)境條件對(duì)黃瓜硅吸收特性的影響

發(fā)布時(shí)間:2020-07-23 21:09
【摘要】:黃瓜(Cucumis sativus L.)是設(shè)施栽培的主要果菜之一,果實(shí)表面蠟粉是重要的商品品質(zhì)性狀。黃瓜果面蠟粉多少與植株對(duì)硅的吸收分配密切相關(guān),并受環(huán)境條件的影響,但是關(guān)于環(huán)境條件對(duì)黃瓜硅吸收運(yùn)轉(zhuǎn)的影響機(jī)制缺乏深入系統(tǒng)研究。為此,本文選用‘云南黑籽南瓜’和‘黃誠(chéng)根2號(hào)’為砧木嫁接‘新泰密刺’黃瓜,以自根黃瓜為對(duì)照,在人工氣候室內(nèi)采用水培法,研究了不同環(huán)境條件(T1:晝/夜溫度22/12℃,相對(duì)濕度85/95%,光照強(qiáng)度300μmol·m~(-2)·s~(-1);T2:晝/夜溫度22/12℃,相對(duì)濕度85/95%,光照強(qiáng)度600μmol·m~(-2)·s~(-1);T3:晝/夜溫度28/18℃,相對(duì)濕度55/65%,光照強(qiáng)度300μmol·m~(-2)·s~(-1);T4:晝/夜溫度28/18℃,相對(duì)濕度55/65%,光照強(qiáng)度600μmol·m~(-2)·s~(-1))對(duì)黃瓜植株硅吸收與分配、主動(dòng)與被動(dòng)吸收過(guò)程以及硅轉(zhuǎn)運(yùn)蛋白基因表達(dá)的影響,以期探明環(huán)境條件影響黃瓜硅吸收運(yùn)轉(zhuǎn)和果面蠟粉形成的機(jī)制,為優(yōu)質(zhì)栽培提供理論依據(jù)。主要結(jié)果如下:(1)不同環(huán)境條件下自根和嫁接黃瓜對(duì)硅的吸收速率及器官中硅含量均為T4T3T2T1;與自根黃瓜相比,‘云南黑籽南瓜’嫁接黃瓜增強(qiáng)了植株對(duì)硅的吸收能力,‘黃誠(chéng)根2號(hào)’嫁接黃瓜降低了植株對(duì)硅的吸收能力。(2)低外源硅濃度(0.085和0.17 mmol/L)下,自根黃瓜硅吸收在T1、T2、T3環(huán)境中以主動(dòng)過(guò)程為主,在T4環(huán)境中以被動(dòng)過(guò)程為主;‘云南黑籽南瓜’嫁接黃瓜在T1和T2環(huán)境中以主動(dòng)過(guò)程為主,在T3和T4環(huán)境中以被動(dòng)過(guò)程為主;高外源硅濃度(1.7mmol/L)下,自根黃瓜和‘云南黑籽南瓜’嫁接黃瓜在4種環(huán)境條件下的硅吸收均以被動(dòng)過(guò)程為主;三種外源硅濃度(0.085、0.17、1.7 mmol/L)下,‘黃誠(chéng)根2號(hào)’嫁接黃瓜在4種環(huán)境條件下的硅吸收均以被動(dòng)過(guò)程為主。(3)相同溫度條件,強(qiáng)光下被動(dòng)吸收的占比大于弱光,相同光照條件,高溫下被動(dòng)吸收的占比大于低溫,且溫度對(duì)被動(dòng)吸收占比的影響大于光強(qiáng);相同環(huán)境條件下,隨著外源硅濃度的增加,黃瓜對(duì)硅的被動(dòng)吸收和總吸收量均呈上升趨勢(shì),且被動(dòng)吸收占比增加;相同外源硅濃度下的被動(dòng)吸收占比為‘黃誠(chéng)根2號(hào)’嫁接黃瓜‘云南黑籽南瓜’嫁接黃瓜自根黃瓜。(4)自根和嫁接黃瓜的蒸騰速率與氣孔導(dǎo)度均為高溫條件(T3和T4)大于低溫條件(T1和T2),以高溫強(qiáng)光條件(T4)下最高;相同環(huán)境條件下,嫁接黃瓜的蒸騰速率大于自根黃瓜。(5)水通道蛋白抑制劑HgCl_2、代謝抑制劑2,4-DNP對(duì)自根和嫁接黃瓜的硅主動(dòng)吸收過(guò)程均具有顯著抑制作用,且對(duì)自根黃瓜和‘云南黑籽南瓜’嫁接黃瓜的抑制作用大于‘黃誠(chéng)根2號(hào)’嫁接黃瓜。(6)CSiT-1和CSiT-2基因在黃瓜根系和葉片中均有表達(dá),CmLsi1、CmLsi2-1、CmLsi2-2和CmLsi3基因在‘云南黑籽南瓜’嫁接黃瓜和‘黃誠(chéng)根2號(hào)’嫁接黃瓜根系中均有表達(dá),并且受低硅促進(jìn)和高硅抑制;相同硅濃度下,自根和嫁接黃瓜葉片和根系硅轉(zhuǎn)運(yùn)蛋白基因表達(dá)量均以T4環(huán)境中最高,T1環(huán)境中最低。
【學(xué)位授予單位】:山東農(nóng)業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:S642.2
【圖文】:

曲線,硅吸收,硅濃度,黃瓜


環(huán)境條件對(duì)黃瓜硅吸收特性的影響根和嫁接黃瓜硅吸收與分配的影響特性根黃瓜硅吸收速率隨外界硅濃度的變化符合 Mich中硅濃度較低時(shí),4 種環(huán)境條件下硅吸收速率隨外硅濃度達(dá)到一定水平時(shí),硅吸收速率幾乎不再增加>T2>T1,進(jìn)一步分析表明,Km值和 Cmin值大小均為3>T2>T1(表 3)。

曲線,云南黑籽南瓜,硅吸收,硅濃度


境條件下‘云南黑籽南瓜’嫁接黃瓜硅吸收速率隨外界硅濃度的變bsorption rate of the ‘Yunnan figleaf gourd’grafted cucumber with externin different environment conditions 不同環(huán)境條件下‘云南黑籽南瓜’嫁接黃瓜的 Km、Vmax及 Cmin值 Cmin values of ‘Yunnan figleaf gourd’grafted cucumber in different envitsVmaxKmCmin(mmol/L) (mg/g DW) (mmol/L)0.0782±0.0012d 0.66±0.023a 0.048±0.0001a0.0852±0.0035c 0.62±0.047ab 0.047±0.0001a0.0976±0.0073b 0.60±0.015ab 0.028±0.0003b0.101±0.0082a 0.55±0.026b 0.028±0.0002b黃誠(chéng)根 2 號(hào)’嫁接黃瓜硅吸收速率模式與自根和‘即隨著硅濃度的增加,吸收速率先升高后平緩。相T2>T1,進(jìn)一步分析表明,Km值和 Cmin值大小均為3>T2>T1(表 5)。

曲線,硅吸收,黃瓜,硅濃度


境條件下‘黃誠(chéng)根 2 號(hào)’嫁接黃瓜硅吸收速率隨外界硅濃度的變化sorption rate of the ‘Huangchenggen No.2’grafted cucumber with exterin different environment conditions 5 不同環(huán)境條件下‘黃誠(chéng)根 2 號(hào)’嫁接黃瓜 Km、Vmax及 Cmin值minvalues of ‘Huangchenggen No.2’grafted cucumber in different envitsVmaxKmCmin(mmol/L) (mg/g DW) (mmol/L)0.0355±0.0022d 0.67±0.027ab 0.066±0.003a0.0378±0.0025c 0.72±0.035a 0.054±0.005b0.0390±0.0023b 0.64±0.043b 0.047±0.008c0.0406±0.0033a 0.64±0.046b 0.040±0.0012自根和嫁接黃瓜對(duì)硅的吸收速率均是在高溫強(qiáng)光條黑籽南瓜’嫁接黃瓜 Vmax值均大于自根黃瓜,Km值接黃瓜 Vmax值顯著小于自根黃瓜,Km值顯著大于接黃瓜吸收硅的能力大于自根黃瓜,‘黃誠(chéng)根 2 號(hào)根黃瓜。

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

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相關(guān)博士學(xué)位論文 前4條

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本文編號(hào):2767843

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