本文以一年生甘草（Glycyrrhiza uralensis Fisch.）為研究材料,采用盆栽土培實驗,設(shè)計不同程度旱鹽雙重脅迫下加入外源硅（Si）處理,經(jīng)過連續(xù)一年的動態(tài)采樣,從甘草生長、藥材產(chǎn)量、有效成分含量及積累量、生理生化特性等多個層面分析比較,探討Si對不同程度旱鹽脅迫下甘草藥材產(chǎn)量、質(zhì)量的影響效應(yīng)及其機制,為鹽漬、干旱環(huán)境下甘草的高產(chǎn)優(yōu)質(zhì)栽培提供重要的理論依據(jù)。主要研究結(jié)果如下:1.處理后70天Si明顯促進(jìn)了所有脅迫條件下甘草地上部分的生長,而在處理后110天,Si主要促進(jìn)甘草地下部分的生長;Si有效緩解了旱鹽脅迫對甘草葉片解剖結(jié)構(gòu)造成的損傷,使部分海綿細(xì)胞柵欄化,細(xì)胞結(jié)構(gòu)比較完整,排列也變得緊密且維管束面積略有增加。2.Si處理顯著提高了旱鹽脅迫下甘草藥材的產(chǎn)量,且在SD1、SD2脅迫條件下的提高效應(yīng)更加明顯。Si處理增加了甘草藥材中有效成分含量和積累量,此作用在SD2脅迫條件下最強,S脅迫下次之。3.Si處理通過提高抗氧化酶活性和非酶抗氧化劑含量緩解了旱鹽脅迫造成的膜脂過氧化損傷,減少ROS含量,使細(xì)胞膜透性和MDA含量降低,且此效應(yīng)因脅迫程度和生長時期而異。在處理后... 

【文章來源】：寧夏醫(yī)科大學(xué)寧夏回族自治區(qū)

【文章頁數(shù)】：119 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

硅對旱鹽脅迫70天、110天后甘草地上部分生長的影響

2 硅對旱鹽脅迫 70 天、110 天后甘草地下部分生長 Si on root growth of G. uralensis grown under salt ain 70 and 110 days迫下甘草解剖結(jié)構(gòu)的影響，脅迫組甘草葉片的解剖結(jié)構(gòu)與對照組相比發(fā)生了增多、細(xì)胞形狀改變（S 脅迫組柵欄細(xì)胞長條狀，且呈扁球狀）、細(xì)胞排列緊密。而 Si 處理使得 S，膠囊細(xì)胞數(shù)量增多，且下表皮附近形成較多的氣現(xiàn)為細(xì)胞排列整齊，海綿細(xì)胞柵欄化，且柵欄細(xì)胞較多的維管束。

圖 2-3 硅對旱鹽脅迫下甘草葉片顯微結(jié)構(gòu)的影響Fig. 2-3 Effect of Si on microstructure of G. uralensis leaf grown under salt and drougstresses.4 小結(jié)與討論在脅迫條件下，可以通過植物的生長狀況來判定其對逆境脅迫的適應(yīng)能力。鹽和脅迫會不同程度地抑制植物的生長，而且一般隨著脅迫程度的加劇，這些抑制現(xiàn)象發(fā)顯著[7]，這與本研究的結(jié)果相似（圖 2-1, 2-2）。而 Si 對植物旱鹽脅迫的緩解作宏觀上可以通過生長特征來反應(yīng)。Si 明顯促進(jìn)了所有脅迫條件下處理后 70 天（8 月草地上部分的生長，而在處理后 110 天（9 月），Si 主要促進(jìn)甘草地下部分的生長（-1, 2-2），這正適應(yīng)了在甘草生長旺盛期，主要以地上部分的生長為主，株高、莖粗，葉面積增大，有助于提高甘草的光合作用，通過地上部旺盛的生長代謝為根部乃

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3419019