本文關(guān)鍵詞：采用雙振蕩器結(jié)構(gòu)的低功耗CMOS溫度傳感器

  更多相關(guān)文章： 溫度傳感器 雙振蕩器 制程補(bǔ)償 低功耗

【摘要】：為提高溫度傳感器的能量轉(zhuǎn)換效率并降低功耗,提出了一種基于雙振蕩器的CMOS溫度傳感器。提出的溫度傳感器利用兩個(gè)環(huán)形振蕩器生成隨溫度變化的頻率,通過調(diào)整線性頻率的差斜率,來提高溫度傳感器的線性度,最后使用一個(gè)頻率數(shù)字轉(zhuǎn)換器完成數(shù)字輸出。此外,還提出了一個(gè)制程補(bǔ)償方案,經(jīng)過一點(diǎn)校正法后可提高溫度傳感器的精確度。采用65 nmCMOS工藝進(jìn)行了實(shí)現(xiàn),面積僅為0.01 mm2。測試結(jié)果顯示,校正后提出溫度傳感器的分辨率為0.2℃/LSB,并且在0~125℃的溫度范圍內(nèi),20個(gè)實(shí)測樣品的最大誤差小于±1.2℃。相比其他類似傳感器,當(dāng)轉(zhuǎn)換率高達(dá)480 ksample/s時(shí),功率消耗500 m W,即每次轉(zhuǎn)換的能量最小,僅為0.001 m J/sample。
【作者單位】： 重慶電子工程職業(yè)學(xué)院應(yīng)用電子學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 溫度傳感器 雙振蕩器 制程補(bǔ)償 低功耗
【基金】：重慶市教委科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目(KJ1602908)
【分類號(hào)】：TP212.11
【正文快照】： 隨著先進(jìn)電子設(shè)備的不斷升級(jí)和更新,微處理器熱管理、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)刷新控制以及顯示驅(qū)動(dòng)器補(bǔ)償?shù)燃夹g(shù)變得越來越重要,而這些技術(shù)的實(shí)現(xiàn)都需要溫度傳感器[1]。在這些應(yīng)用中,面積小、功率低、精確度適中以及測量范圍大是溫度傳感器的關(guān)鍵要求[2]�；谀�(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的

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本文編號(hào)：976534