發(fā)布時(shí)間：2021-07-22 00:06

　　目前,集成電路（IC）按照摩爾定律飛速發(fā)展,對(duì)晶體管的集成達(dá)到超大規(guī)模階段,布線層數(shù)超過(guò)十層,對(duì)超精密平坦化加工技術(shù)的精度提出更高的要求和挑戰(zhàn)。CMP技術(shù)是唯一能夠?qū)崿F(xiàn)材料表面局部和全局平坦化的高精度處理技術(shù),拋光過(guò)程受到多因素影響,拋光液作為影響平坦化效果的重要因素,在很大程度上決定著拋光效率和拋光材料的表面質(zhì)量。因此如何優(yōu)化拋光液組分配比,提高材料的去除速率,獲得高質(zhì)量、高效率的拋光表面是現(xiàn)階段研究的熱點(diǎn)問(wèn)題。本文針對(duì)CMP技術(shù)和CMP拋光液配比優(yōu)化的研究現(xiàn)狀及在拋光液配比優(yōu)化過(guò)程中存在的問(wèn)題進(jìn)行了分析,選用標(biāo)準(zhǔn)粒子群優(yōu)化算法（PSO算法）和支持向量機(jī)（SVM）建立PSO-SVM算法模型。通過(guò)利用拋光液各組分對(duì)去除速率的影響結(jié)果,建立正交優(yōu)化試驗(yàn),獲得CMP拋光液組分配比優(yōu)化的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)集。優(yōu)化實(shí)驗(yàn)中采用Decimal Scaling標(biāo)準(zhǔn)化和Min-Max標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理。以pH值、H₂O₂氧化劑濃度、FA/O I型螯合劑濃度、S_iO₂磨料濃度及活性劑濃度為輸入值,以S_i

【文章來(lái)源】：河北工業(yè)大學(xué)天津市 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

SVM解決線性問(wèn)題為求解上述的凸二次規(guī)劃問(wèn)題，引入Lagrange函數(shù)，將上述公式轉(zhuǎn)化為式(2.3)

非線性映射圖

PSO算法優(yōu)化SVM參數(shù)流程圖


本文編號(hào)：3296037