憶阻器是與電阻、電容及電感并列的第四種基本電子器件,于1971年由蔡少棠教授提出,2008年惠普公司通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)制造出納米級(jí)憶阻器實(shí)物器件,此后,國(guó)內(nèi)外學(xué)者開(kāi)始加深對(duì)憶阻器的研究,經(jīng)典的憶阻器模型不斷被提出,憶阻器在非線性電路、保密通信、人工智能等領(lǐng)域的應(yīng)用也不斷增多�；趹涀杵鞯纳窠�(jīng)網(wǎng)絡(luò)研究是近年來(lái)的研究熱點(diǎn),但大多都只限于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的特性研究,并未涉及到憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用研究。本文提出一種改進(jìn)型憶阻器模型的構(gòu)建方法,基于此憶阻器模型構(gòu)建漢明神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),并將漢明神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用到交通方式識(shí)別領(lǐng)域。交通方式識(shí)別是近年來(lái)的新型研究領(lǐng)域,準(zhǔn)確預(yù)測(cè)人們出行的交通方式有助于合理規(guī)劃交通建設(shè),減少交通擁堵,提高人們的出行速度。首先對(duì)現(xiàn)階段憶阻器模型進(jìn)行分析,結(jié)合各種經(jīng)典憶阻器模型,提出了改進(jìn)型憶阻器模型,改進(jìn)型憶阻器模型主要由四個(gè)部分構(gòu)成,分別是緩存單元、積分放大單元、電壓偏置單元和線性光耦單元。該憶阻器模型較之傳統(tǒng)憶阻器模型能夠更精確讀取憶阻值,并能保存斷電前電路狀態(tài),簡(jiǎn)單分析其電路模型后再進(jìn)行仿真,分別在不同頻率下觀察其電壓與電流曲線變化情況。然后采用本文提出的改進(jìn)型憶阻器模型模擬神經(jīng)突觸。由于憶阻... 

【文章來(lái)源】： 鄧鵬 湖南科技大學(xué)

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

線性磁控憶阻器特性曲線

湖南科技大學(xué)碩士學(xué)位論文-15-圖2.7分段線性憶阻器電壓電流關(guān)系Fig.2.7Voltageandcurrentrelationofpiecewiselinearmemristor2)非線性磁控憶阻器非線性磁控憶阻器模型中有公式(2.34)所示關(guān)系3q()ab(2.34)由公式(2.34)可得憶導(dǎo)值如公式(2.35)所示2w()a3b(2.35)化簡(jiǎn)得公式(2.36)2w()a(2.36)與分段線性磁控憶阻器一樣，保持頻率f=10HZ不變，改變參數(shù)α、β的大小，并在憶阻器模型兩端施加公式(2.37)所示正弦電壓，v(t)Asin(t)(2.37)可以得到，當(dāng)α增大時(shí)，非線性憶阻器模型表現(xiàn)出更強(qiáng)的滯洄行為，當(dāng)β增大時(shí)，滯洄行為反而減弱。2.3.2荷控型憶阻器1)分段線性荷控憶阻器該憶阻器模型的數(shù)學(xué)關(guān)系如公式(2.38)與公式(2.39)所示()(,,)()MvtMxitit(2.38)xf(x,i,t)(2.39)

第2章憶阻器-16-將電荷量代入得公式(2.40)與公式(2.41)(())MvMqti(2.40)dqidt(2.41)聯(lián)立兩式可得公式(2.42)120.5()[])()()MMTMTxiiiiixRRx(2.42)式中iM表示憶阻器電壓，R2及R1為憶阻器的最大最小值，iT表示電路接通前的電壓，α、β分別表示VM大于VT及VM小于VT時(shí)的斜率。圖2.8為其憶阻器模型特性曲線。圖2.8線性荷控憶阻器特性曲線Fig.2.8Characteristiccurveoflinearchargecontrolledmemristor與磁控憶阻器一樣，保持頻率f=10HZ不變，改變參數(shù)α、β的大小，并對(duì)憶阻器模型施加正弦電壓，可以得到隨著參數(shù)α、β的增大，系統(tǒng)表現(xiàn)出更強(qiáng)的滯洄行為，這與分段線性磁控憶阻器模型非常相似。2)非線性荷控憶阻器該憶阻器模型有公式(2.43)所示數(shù)學(xué)關(guān)系3(q)aqbq(2.43)其憶阻值可用公式(2.44)表示2M(q)a3bq(2.44)化簡(jiǎn)可得公式(2.45)2M(q)aq(2.45)通過(guò)與前文相似的分析可以得到隨著α增大該憶阻器模型表現(xiàn)出更強(qiáng)的滯洄行為，當(dāng)β增大時(shí)，滯洄行為反而減弱。非線性憶阻器模型的研究對(duì)憶阻器的發(fā)展具有很重要的意義，科學(xué)界也提出了很多非線性憶阻器模型，以Joglekan通過(guò)窗口函數(shù)實(shí)現(xiàn)的非線性憶阻器模型為例。該憶阻器模型可用公式(2.46)表示。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[3]基于智能手機(jī)的出行方式識(shí)別系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)[D]. 張杰峰.華南理工大學(xué) 2016
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[5]憶阻器混沌及其在語(yǔ)音保密通信系統(tǒng)中的應(yīng)用研究[D]. 王偉玲.杭州電子科技大學(xué) 2012



本文編號(hào)：3000578