LPDDR4 SDRAM作為新一代SDRAM存儲(chǔ)器,在提高數(shù)據(jù)傳輸速率的同時(shí)降低了功耗,滿足了移動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)提高性能和延長續(xù)航時(shí)間的需求,廣泛用于移動(dòng)設(shè)備的內(nèi)存。在SoC芯片中,LPDDR4由內(nèi)存控制器連接到片上網(wǎng)絡(luò),系統(tǒng)通過LPDDR4內(nèi)存控制器從LPDDR4讀寫數(shù)據(jù)。內(nèi)存控制器作為內(nèi)存與系統(tǒng)交互的橋梁,其性能優(yōu)劣決定了系統(tǒng)能否充分發(fā)揮新一代內(nèi)存技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。為了保障芯片產(chǎn)品中的LPDDR4內(nèi)存能夠高速穩(wěn)定地工作,需要在研發(fā)階段對(duì)LPDDR4內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)進(jìn)行完備的驗(yàn)證。隨著集成電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度的提高,設(shè)計(jì)缺陷的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加,設(shè)計(jì)缺陷會(huì)造成流片后的芯片性能不佳、甚至報(bào)廢,需要投入額外的流片費(fèi)用和時(shí)間成本來修復(fù)缺陷,也不利于產(chǎn)品在瞬息萬變的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置。綜上,驗(yàn)證在芯片研發(fā)中的地位越來越重要。UVM由于具有架構(gòu)清晰、可復(fù)用性強(qiáng)、兼容性好等優(yōu)勢(shì),逐漸成為業(yè)內(nèi)主流的驗(yàn)證方法學(xué)。本論文完成了對(duì)英特爾公司的LPDDR4內(nèi)存控制器設(shè)計(jì)的驗(yàn)證工作。驗(yàn)證工作規(guī)劃為兩個(gè)階段:第一階段完成對(duì)LPDDR4內(nèi)存控制器的功能驗(yàn)證;第二階段以提高驗(yàn)證完備性為目標(biāo)深入探索,并對(duì)當(dāng)前的驗(yàn)證工作進(jìn)一步改進(jìn)和... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：96 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

LPDDR4內(nèi)部尋址LPDDR4支持的時(shí)鐘頻率為：266MHz、533MHz、800MHz、1066MHz、1333MHz、1600MHz、1866MHz和2133MHz

圖2.2 LPDDR4 的狀態(tài)圖[17]LPDDR4 內(nèi)置了 40 個(gè) 8 位的模式寄存器，模式寄存器中存儲(chǔ)了內(nèi)存的各種配置信息，通過修改模式寄存器可以實(shí)現(xiàn) LPDDR4 參數(shù)的配置和工作模式的切換。模式寄存器的訪問通過模式寄存器讀寫命令（MRR、MRW）實(shí)現(xiàn)。

MRW命令[17]

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于UVM實(shí)現(xiàn)SD存儲(chǔ)控制器的功能驗(yàn)證[J]. 牛玉坤,孟令琴.  工業(yè)控制計(jì)算機(jī). 2017(08)
[2]基于SystemVerilog-UVM的Mickey 2.0 RTL級(jí)驗(yàn)證[J]. 楊坤,徐金甫,李偉.  計(jì)算機(jī)工程與設(shè)計(jì). 2016(10)
[3]基于OVM的可重用自動(dòng)化驗(yàn)證平臺(tái)[J]. 楊小麗.  西安航空學(xué)院學(xué)報(bào). 2016(05)
[4]Verifier提高驗(yàn)證完備性[J]. 林慧,蔣武,熊熙,李元祝,黃志榮.  電子技術(shù)應(yīng)用. 2016(08)
[5]覆蓋率導(dǎo)向的可重用PCIe驗(yàn)證平臺(tái)設(shè)計(jì)[J]. 劉航天,周懿,戴紫彬,張立朝.  計(jì)算機(jī)工程與設(shè)計(jì). 2016(06)
[6]基于UVM驗(yàn)證方法學(xué)的縱向可重用研究[J]. 熊濤,蔣見花.  微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2016(04)
[7]基于VMM的ALU驗(yàn)證[J]. 蘇雪,潘明,翟江濤.  現(xiàn)代電子技術(shù). 2015(07)
[8]基于UVM的存儲(chǔ)控制器功能驗(yàn)證[J]. 曹陽,胡越黎.  計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制. 2015(03)
[9]一種基于UVM的模塊級(jí)可重用隨機(jī)化驗(yàn)證平臺(tái)構(gòu)建方法[J]. 談笑,王小力.  微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2015(03)
[10]基于UVM的可重用SoC功能驗(yàn)證環(huán)境[J]. 呂毓達(dá),謝雪松,張小玲.  半導(dǎo)體技術(shù). 2015(03)

博士論文
[1]在數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中斷言驗(yàn)證的研究[D]. 郭建.西安電子科技大學(xué) 2008

碩士論文
[1]基于UVM的AXI4總線協(xié)議接口IP驗(yàn)證的研究與實(shí)現(xiàn)[D]. 李兆斌.暨南大學(xué) 2017
[2]DDR3 SDRAM控制器與PHY的設(shè)計(jì)與仿真[D]. 聶小龍.山東大學(xué) 2017
[3]基于UVM的SoC系統(tǒng)驗(yàn)證研究[D]. 陳靜.電子科技大學(xué) 2017
[4]基于UVM技術(shù)的I2S驗(yàn)證IP的研究[D]. 袁琳.合肥工業(yè)大學(xué) 2017
[5]基于CoreConnect總線的DDR3控制器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證[D]. 劉奕蒲.西安電子科技大學(xué) 2016
[6]基于VMM驗(yàn)證方法學(xué)的NAND Flash控制器的驗(yàn)證[D]. 周亞卓.西安電子科技大學(xué) 2016
[7]SIM卡中7816接口的UVM驗(yàn)證平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 張闖.西安電子科技大學(xué) 2016
[8]高速大容量存儲(chǔ)器的控制器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證[D]. 李鵬.西安電子科技大學(xué) 2015
[9]基于DDR3控制器的高速存儲(chǔ)接口系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證[D]. 佘顏.西安電子科技大學(xué) 2015
[10]基于UVM可重用驗(yàn)證平臺(tái)的研究[D]. 張怡琳.西安電子科技大學(xué) 2015



本文編號(hào)：2978004