四氧化三錫基分子印跡電化學(xué)和光電化學(xué)傳感器的制備及其在食品安全檢測(cè)中的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021-01-10 07:09
四氧化三錫是一種混合價(jià)態(tài)的錫氧化物,屬于n型無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料,具有熱力學(xué)穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),對(duì)可見光有一定的吸收,具有優(yōu)異的光電性能,被廣泛應(yīng)用于光催化等領(lǐng)域,但關(guān)于四氧化三錫在電化學(xué)和光電化學(xué)傳感器中的應(yīng)用幾乎沒有。分子印跡電化學(xué)和光電化學(xué)傳感器具有選擇性高、穩(wěn)定性好、背景信號(hào)低和靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)。目前針對(duì)食品安全檢測(cè)的技術(shù)存在儀器成本高,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,預(yù)處理過程繁瑣,操作耗時(shí)等問題。因此,研究一種能夠快速、準(zhǔn)確而又靈敏的對(duì)食品中農(nóng)藥、抗生素等殘留進(jìn)行檢測(cè)的技術(shù)非常重要。因此,本論文以四氧化三錫基半導(dǎo)體納米材料作為光/電活性材料,分子印跡作為傳感識(shí)別策略,構(gòu)建了用于甲硝羥乙唑和2,4-二氯苯氧乙酸檢測(cè)的分子印跡電化學(xué)和光化學(xué)傳感器,研究了其在食品安全檢測(cè)中的應(yīng)用。第一部分基于Sn3O4納米片的甲硝羥乙唑分子印跡電化學(xué)傳感器的構(gòu)建及應(yīng)用通過一步溶劑熱反應(yīng)合成Sn3O4納米片,以甲硝羥乙唑?yàn)槟0宸肿?吡咯為功能單體,垂直交聯(lián)的二維Sn3O4納米片為載體,采用化學(xué)氧化法在其表面制備了一層分子印跡聚吡咯薄膜(MIPPy)。利用掃描電鏡、X射線衍射、X射線光電子能譜和紅外光譜對(duì)制備的MIPPy/Sn3...
【文章來(lái)源】:揚(yáng)州大學(xué)江蘇省
【文章頁(yè)數(shù)】:91 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
一半膚氨酸在PT川TIOZ/】刃,O電極上的光電氧化過程「3vl
'?^?T:n??UbtVJH0M0??圖1.2?L半胱氨酸在PTH/Ti02/FT0電極h的光電氧化過程??(2)與無(wú)機(jī)光電材料進(jìn)行復(fù)合??Zhang等人通過對(duì)退火后的Ti02納米管陣列簡(jiǎn)單陰極極化后,化學(xué)沉積CdS納米??粒JV制谷CdS/R-Ti02?NTs電極。CdS的#在顯著縮小了?R-TiCh的帶隙寬度,增強(qiáng)了?R-Ti02??的導(dǎo)電性,使得M合后CdS/R-Ti02?NTs屯極的吸收波長(zhǎng)范圍拓寬,對(duì)可阽光燈?定的吸收。??同時(shí),。。埃布{米管陣列在陰極極化過程屮,品格氧空位(Ti3+)的存在引起電子數(shù)的增加,從??而增強(qiáng)/電荷傳輸,增大r光電轉(zhuǎn)換效率。??R.Atchudan等人通過簡(jiǎn)單的熱氧化法合成鋱化鋅納米顆粒,將其 ̄氣化石墨烯復(fù)??合,采用簡(jiǎn)單的一步溶劑熱反應(yīng),成功制備了氧化鋅納米顆粒修飾的氧化石墨節(jié)(ZnO@GO)??納米復(fù)合材料。ZnO@GO納米復(fù)合材料電子和空穴的復(fù)合得到了有效地抑制
分子印跡聚合物(Molecular?Imprinted?Polymer,?MIP),是指可以通過不同的分子印跡技??術(shù)(Molecular?Imprinted?Technology,?MIT)制備的聚合物,也可稱為“人造抗體”,具有模擬生??物受體特異性識(shí)別的特性[741。如圖1.5所示,不同分子印跡技術(shù)制備分子印跡聚合物的過??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]光電化學(xué)傳感器及其在生物分析中的應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 趙玉婷,沈艷飛. 材料導(dǎo)報(bào). 2017(13)
[2]電化學(xué)法制備部分還原氧化石墨烯薄膜及其光電性能[J]. 李文有,賀蘊(yùn)秋,李一鳴. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2015(03)
[3]光電化學(xué)傳感器的構(gòu)建及應(yīng)用[J]. 孫兵,艾仕云. 化學(xué)進(jìn)展. 2014(05)
[4]光電化學(xué)免疫分析研究進(jìn)展[J]. 趙偉偉,馬征遠(yuǎn),徐靜娟,陳洪淵. 科學(xué)通報(bào). 2014(02)
本文編號(hào):2968291
【文章來(lái)源】:揚(yáng)州大學(xué)江蘇省
【文章頁(yè)數(shù)】:91 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
一半膚氨酸在PT川TIOZ/】刃,O電極上的光電氧化過程「3vl
'?^?T:n??UbtVJH0M0??圖1.2?L半胱氨酸在PTH/Ti02/FT0電極h的光電氧化過程??(2)與無(wú)機(jī)光電材料進(jìn)行復(fù)合??Zhang等人通過對(duì)退火后的Ti02納米管陣列簡(jiǎn)單陰極極化后,化學(xué)沉積CdS納米??粒JV制谷CdS/R-Ti02?NTs電極。CdS的#在顯著縮小了?R-TiCh的帶隙寬度,增強(qiáng)了?R-Ti02??的導(dǎo)電性,使得M合后CdS/R-Ti02?NTs屯極的吸收波長(zhǎng)范圍拓寬,對(duì)可阽光燈?定的吸收。??同時(shí),。。埃布{米管陣列在陰極極化過程屮,品格氧空位(Ti3+)的存在引起電子數(shù)的增加,從??而增強(qiáng)/電荷傳輸,增大r光電轉(zhuǎn)換效率。??R.Atchudan等人通過簡(jiǎn)單的熱氧化法合成鋱化鋅納米顆粒,將其 ̄氣化石墨烯復(fù)??合,采用簡(jiǎn)單的一步溶劑熱反應(yīng),成功制備了氧化鋅納米顆粒修飾的氧化石墨節(jié)(ZnO@GO)??納米復(fù)合材料。ZnO@GO納米復(fù)合材料電子和空穴的復(fù)合得到了有效地抑制
分子印跡聚合物(Molecular?Imprinted?Polymer,?MIP),是指可以通過不同的分子印跡技??術(shù)(Molecular?Imprinted?Technology,?MIT)制備的聚合物,也可稱為“人造抗體”,具有模擬生??物受體特異性識(shí)別的特性[741。如圖1.5所示,不同分子印跡技術(shù)制備分子印跡聚合物的過??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]光電化學(xué)傳感器及其在生物分析中的應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 趙玉婷,沈艷飛. 材料導(dǎo)報(bào). 2017(13)
[2]電化學(xué)法制備部分還原氧化石墨烯薄膜及其光電性能[J]. 李文有,賀蘊(yùn)秋,李一鳴. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2015(03)
[3]光電化學(xué)傳感器的構(gòu)建及應(yīng)用[J]. 孫兵,艾仕云. 化學(xué)進(jìn)展. 2014(05)
[4]光電化學(xué)免疫分析研究進(jìn)展[J]. 趙偉偉,馬征遠(yuǎn),徐靜娟,陳洪淵. 科學(xué)通報(bào). 2014(02)
本文編號(hào):2968291
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