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基于MEMS技術(shù)低交叉干擾空間磁矢量傳感器研究

發(fā)布時(shí)間:2020-05-13 11:22
【摘要】:為實(shí)現(xiàn)空間磁矢量傳感器檢測(cè)空間磁場(chǎng)的準(zhǔn)確度,降低三個(gè)方向上磁交叉干擾是必要的。本文基于MEMS技術(shù)和隔離技術(shù)設(shè)計(jì)一種低交叉干擾空間磁矢量傳感器,該傳感器以單晶硅片為襯底,在器件層上制作四個(gè)立體結(jié)構(gòu)硅磁敏三極管(SMST1、SMST2、SMST3和SMST4)和兩個(gè)霍爾磁場(chǎng)傳感器(HM1和HM2)。采用SMST1、SMST3與兩個(gè)負(fù)載電阻構(gòu)成第一對(duì)差分結(jié)構(gòu)作為第一個(gè)磁敏感單元,可實(shí)現(xiàn)x方向磁場(chǎng)分量(B_x)檢測(cè);由SMST2、SMST4與兩個(gè)負(fù)載電阻構(gòu)成第二對(duì)差分結(jié)構(gòu)作為第二個(gè)磁敏感單元,可實(shí)現(xiàn)y方向磁場(chǎng)分量(B_y)檢測(cè);HM1和HM2的霍爾輸出端串聯(lián)輸出作為第三個(gè)磁敏感單元,可實(shí)現(xiàn)z方向磁場(chǎng)分量(B_z)檢測(cè);趥鞲衅骰窘Y(jié)構(gòu),采用TCAD-Atlas軟件構(gòu)建了低交叉干擾空間磁矢量傳感器結(jié)構(gòu)仿真模型,并進(jìn)行傳感器磁敏感特性、磁靈敏度交叉干擾及其溫度特性仿真研究,結(jié)合仿真結(jié)果利用L-Edit軟件設(shè)計(jì)傳感器芯片版圖。利用MEMS工藝完成低交叉干擾空間磁矢量傳感器芯片制作,并實(shí)現(xiàn)芯片無磁化封裝。在室溫條件下,采用自搭建傳感器特性測(cè)試系統(tǒng)分別對(duì)低交叉干擾空間磁矢量傳感器中硅磁敏三極管的I_c-V_(ce)特性、三個(gè)方向磁場(chǎng)傳感器磁敏特性、磁交叉靈敏度特性和溫度特性進(jìn)行測(cè)試和分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,磁場(chǎng)在-300.0 mT~300.0 mT范圍內(nèi),當(dāng)工作電壓為5.0 V,基極注入電流為3.0 mA時(shí),三個(gè)方向磁場(chǎng)傳感器磁靈敏度分別為229.9 mV/T、207.4 mV/T和197.2 mV/T,磁交叉干擾低于6.3%?臻g磁矢量傳感器利用隔離墻有效降低了三個(gè)方向上磁靈敏度交叉干擾。
【圖文】:

矢量傳感器,交叉靈敏度,磁場(chǎng)傳感器,激發(fā)電壓


場(chǎng) z 方向分量(Bz)測(cè)量,并且磁場(chǎng)傳感器輸出電壓,進(jìn)而提高互影響,會(huì)產(chǎn)生磁交叉靈敏度[敏感單元進(jìn)行隔離,,降低交叉現(xiàn)狀用科學(xué)大學(xué)在《IEEE Transacti器和磁通導(dǎo)向器(FG,F(xiàn)luxg量傳感器結(jié)構(gòu)。所有元器件集當(dāng)施加 0.4V 的峰-峰激發(fā)電壓 V/T,240 .0V/T 和 220 .0V/T度處于 3.0 和 9.0 nT/Hz 之間

磁力計(jì),單橋


a) b)圖 1-2 單橋 GMR 磁力計(jì)結(jié)構(gòu)[17]) GMR 薄膜和磁導(dǎo)的布局 b) 單橋傳感器結(jié)構(gòu)圖. 1-2 Structure of a single-bridge GMR magnetometeMR thin film and fluxguide b) single-bridge senso應(yīng)用科學(xué)大學(xué)在《Journal of Applied Physi維磁力計(jì)由三個(gè) GMR 傳感器和圓柱形 FG 1-3 所示。當(dāng)施加平行表面磁場(chǎng),無 FG 時(shí)V/T、128.0V/T 和 133.0V/T,有 FG 時(shí),三80.0V/T 和 188.0V/T,但施加垂直平面磁場(chǎng)0 V/T、66.0 V/T 和 56.0 V/T。
【學(xué)位授予單位】:黑龍江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TP212

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 趙曉鋒,田鳳軍,溫殿忠;采用MEMS制作新型硅磁敏三極管特性研究[J];傳感器技術(shù);2004年09期

2 楊征;半導(dǎo)體工藝流程和器件的輔助設(shè)計(jì)與仿真軟件[J];電子與電腦;2004年Z1期

3 溫殿忠,穆長(zhǎng)生,趙曉峰;采用MEMS技術(shù)制造硅磁敏三極管[J];傳感器技術(shù);2001年05期



本文編號(hào):2661879

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