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改善OVT內(nèi)電場分布的介質(zhì)包裹法

發(fā)布時間:2019-01-11 20:12
【摘要】:基于Pockels效應(yīng)的光學(xué)電壓傳感器(Optical Voltage Transducer,OVT),運行中不可避免地存在震動、元器件連接的老化與熱脹冷縮等問題,導(dǎo)致光學(xué)器件的相互位置產(chǎn)生偏移,進而影響電光晶體的內(nèi)電場分布。文中以基于會聚偏光干涉原理的110 k V縱向調(diào)制的OVT為例,進行了仿真分析與實驗研究,發(fā)現(xiàn)當(dāng)入射光發(fā)生±0.5°的偏移或電光晶體發(fā)生±1°的偏移時,分別引入約0.107%和0.124%的電場積分誤差。由于OVT必須滿足0.2%的準(zhǔn)確度要求,上述影響不容忽視。為此提出了介質(zhì)包裹法,將Al2O3陶瓷包裹在電光晶體外部,使電場積分誤差分別降低至0.001%和0.003%。實驗與應(yīng)用的情況表明,介質(zhì)包裹法簡單、實用、有效。
[Abstract]:(Optical Voltage Transducer,OVT), an optical voltage sensor based on Pockels effect, inevitably has problems such as vibration, aging of component connection and thermal expansion and contraction, which results in the deviation of optical device's position. The internal electric field distribution of electro-optic crystal is affected. Taking the 110kV longitudinal modulation OVT based on the principle of convergent polarized light as an example, the simulation analysis and experimental study are carried out. It is found that when the incident light is shifted by 鹵0.5 擄or the electro-optic crystal is shifted by 鹵1 擄, The electric field integral errors of about 0.107% and 0.124% are introduced respectively. Since OVT must meet the accuracy requirement of 0.2%, the above effects can not be ignored. In this paper, a dielectric encapsulation method is proposed, in which the Al2O3 ceramics are wrapped outside the electro-optic crystal, and the electric field integral error is reduced to 0.001% and 0.003% respectively. The experiment and application show that the dielectric encapsulation method is simple, practical and effective.
【作者單位】: 福州大學(xué)電氣工程與自動化學(xué)院;
【分類號】:TP212

【參考文獻】

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本文編號:2407414

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