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一種高g值壓阻式加速度傳感器

發(fā)布時間:2018-07-14 18:37
【摘要】:基于壓阻效應,利用微電子機械系統(tǒng)(MEMS)技術,研制了一種可用于多領域的高g值加速度傳感器。加速度傳感器采用四端全固支八梁結構,利用力學計算、ANSYS仿真和工藝約束相結合的方法確定了結構參數(shù)。通過對壓敏電阻的數(shù)量、結構和布放位置的分析與設計,進一步減小了加速度傳感器的橫向靈敏度。采用硅-硅鍵合與共晶鍵合相結合工藝制作了圓片級氣密封裝的加速度傳感器芯片,并用塑封工藝實現(xiàn)了加速度傳感器芯片的封裝,易于批量生產和工業(yè)應用。最后,對加速度傳感器的性能進行了測試,結果表明靈敏度為1.5~2μV/g,一階固有頻率大于200 kHz,在1.5×10~5 g量程內正常并有效工作,抗過載大于2.5×10~5 g。
[Abstract]:Based on the piezoresistive effect, a kind of high g acceleration sensor is developed based on MEMS technology. The acceleration sensor adopts a four-terminal fully clamped eight-beam structure, and the structural parameters are determined by combining the mechanical calculation with ANSYS simulation and the process constraints. The transverse sensitivity of the accelerometer is further reduced by the analysis and design of the number, structure and placement position of the varistor. An accelerometer chip for airtight packaging at wafer level was fabricated by combining silicon with silicon bonding and eutectic bonding. The packaging of accelerometer chip was realized by plastic sealing technology, which was easy to be produced in batch and applied in industry. Finally, the performance of the accelerometer is tested. The results show that the sensitivity is 1.5 渭 V / g, the natural frequency of the first order is more than 200 kHz, it works normally and effectively in the range of 1.5 脳 10 ~ (5) g, and the overload resistance is more than 2.5 脳 10 ~ (5) g.
【作者單位】: 中國電子科技集團公司第十三研究所;
【分類號】:TP212

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