硅基高通量單細(xì)胞陣列芯片制備與研究
本文選題:微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù) + 細(xì)胞黏附效率。 參考:《傳感器與微系統(tǒng)》2017年03期
【摘要】:采用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)結(jié)合金屬輔助化學(xué)腐蝕工藝制作出關(guān)鍵結(jié)構(gòu)為納米氧化硅的陣列芯片,細(xì)胞可以定點(diǎn)黏附在納米氧化硅上。通過實(shí)驗(yàn)計算和分析得知,在0.7~23μm內(nèi),納米線長度約為3μm時深寬比適宜,有利于黏附蛋白充分鋪展,黏附效率達(dá)到最高85%。改變培養(yǎng)時間(5~480 min)和細(xì)胞濃度(0.5~4.0),發(fā)現(xiàn)培養(yǎng)時間在不低于4 h,細(xì)胞濃度在1.5時,由于偽足充分纏繞于納米線上,陣列飽和度達(dá)到最高83%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:制作出的單細(xì)胞陣列芯片具有較高的黏附效率和陣列飽和度,達(dá)到了高通量的標(biāo)準(zhǔn)。
[Abstract]:Microelectromechanical system ( MEMS ) technology was used to fabricate the array chip of nano - silicon oxide by using the metal - assisted chemical etching process . The cell could be adhered to the nano - silicon oxide at a fixed point . It was found that the length of the nanowires was up to 85 % . The experimental results showed that the cell concentration was up to 85 % . The cell concentration was up to 83 % . The experimental results show that the single cell array chip has high adhesion efficiency and array saturation , and the standard of high flux is achieved .
【作者單位】: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所微系統(tǒng)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院大學(xué);
【分類號】:TN492
【參考文獻(xiàn)】
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【共引文獻(xiàn)】
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【相似文獻(xiàn)】
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1 李U,
本文編號:1972837
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