本文選題：電子輻照 + CMOS有源像素傳感器��； 參考：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年02期

【摘要】：對(duì)某國(guó)產(chǎn)CMOS圖像傳感器進(jìn)行了兩種不同能量的電子輻照試驗(yàn),在輻照前后及退火過(guò)程中采用離線(xiàn)測(cè)量方法,考察了暗信號(hào)、飽和電壓、光譜響應(yīng)特性等參數(shù),分析了器件的電子輻照效應(yīng)損傷機(jī)理。結(jié)果表明:暗信號(hào)和暗信號(hào)非均勻性都隨著輻照劑量的增加及高溫退火時(shí)間的延長(zhǎng)而增大;飽和電壓在兩種能量電子輻照下均出現(xiàn)較大幅度的減小,并在高溫退火過(guò)程中有所恢復(fù);光譜響應(yīng)特性無(wú)特別明顯變化。經(jīng)分析,暗電流、飽和電壓的變化主要由輻照誘發(fā)的氧化物陷阱電荷導(dǎo)致的光敏二極管耗盡層展寬和界面陷阱電荷密度增大導(dǎo)致產(chǎn)生-復(fù)合中心的增加所引起。
[Abstract]:Two kinds of electron irradiation experiments with different energy were carried out on a domestic CMOS image sensor. The parameters of dark signal, saturation voltage and spectral response were investigated by off-line measurement method before and after irradiation and during annealing. The mechanism of electron irradiation damage is analyzed. The results show that the inhomogeneity of dark signal and dark signal increase with the increase of irradiation dose and the increase of annealing time at high temperature, and the saturation voltage decreases greatly under two kinds of energy electron irradiation. The spectral response has no obvious change during high temperature annealing. The results show that the variation of dark current and saturation voltage is mainly caused by the depletion layer broadening of Guang Min diode induced by irradiation and the increase of interface trap charge density resulting in the increase of production-recombination center.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);重慶光電技術(shù)研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11005152,11275262)資助項(xiàng)目~~
【分類(lèi)號(hào)】：TP212

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3 劉昕;孔祥山;張s，

本文編號(hào)：1818572