本文選題：光學(xué)制造　切入點(diǎn)：光刻　出處：《光學(xué)學(xué)報(bào)》2017年10期

【摘要】：全芯片多參數(shù)聯(lián)合優(yōu)化是光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)的重要發(fā)展方向。提出了一種基于粒子群優(yōu)化(PSO)算法的光源掩模投影物鏡聯(lián)合優(yōu)化(SMPO)方法。將由像素表征的光源、由離散余弦變換基表征的掩模及由澤尼克系數(shù)表征的投影物鏡編碼為粒子,以圖形誤差作為評(píng)價(jià)函數(shù),通過(guò)不斷迭代更新粒子,實(shí)現(xiàn)光源掩模投影物鏡聯(lián)合優(yōu)化。在標(biāo)稱(chēng)條件和工藝條件下,采用含有交叉門(mén)的復(fù)雜掩模圖形對(duì)所提方法的仿真驗(yàn)證表明,圖形誤差分別降低了94.2%和93.8%,有效提高了光刻成像質(zhì)量。與基于遺傳算法的SMPO方法相比,該方法具有更快的收斂速度。此外,該方法具有優(yōu)化自由度高和優(yōu)化后掩�？芍圃煨詮�(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
[Abstract]:Full-chip multi-parameter optimization is an important development direction of lithography resolution enhancement technology.In this paper, a PSO algorithm based on PSO algorithm is proposed for the joint optimization of light source mask projection objective lens (SMPO).The light source represented by pixels, the mask represented by discrete cosine transform basis and the projective objective lens represented by Zenick coefficient are encoded as particles. The graphics error is used as the evaluation function, and the particles are updated by iteration.The joint optimization of light source mask projection objective lens is realized.Under the nominal and technological conditions, the simulation results show that the error of the proposed method is reduced by 94.2% and 93.8%, respectively, and the lithography quality is improved effectively.Compared with the SMPO method based on genetic algorithm, this method has faster convergence speed.In addition, this method has the advantages of high degree of freedom and high manufacturability of optimized mask.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】：上海市自然科學(xué)基金(17ZR1434100)
【分類(lèi)號(hào)】：TN405;TP18

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