本文關(guān)鍵詞： 無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò) 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) NAND FLASH 貪婪策略 分區(qū)地址映射　出處：《計(jì)算機(jī)科學(xué)》2017年S2期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：NAND FLASH存儲(chǔ)器是無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)設(shè)備。傳感器節(jié)點(diǎn)在監(jiān)控區(qū)域中不斷獲取數(shù)據(jù)信息,并進(jìn)行節(jié)點(diǎn)之間的數(shù)據(jù)交互,使得NAND FLASH存儲(chǔ)器頻繁地進(jìn)行寫操作,從而造成物理塊的擦除次數(shù)不均衡,縮短了存儲(chǔ)器的使用壽命,最終影響整個(gè)傳感器網(wǎng)絡(luò)的使用壽命。針對(duì)上述問(wèn)題,提出了貪婪策略的分區(qū)地址映射磨損均衡算法。該算法根據(jù)磨損擦除的參數(shù)進(jìn)行貪婪選擇,選擇出擦除次數(shù)小的物理塊進(jìn)行寫操作,而對(duì)擦除次數(shù)大的物理塊進(jìn)行配置與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)遷移,進(jìn)入等待擦除。通過(guò)軟件測(cè)試的方式,證明了所提算法可以有效地實(shí)現(xiàn)并優(yōu)化NAND FLASH存儲(chǔ)器的磨損均衡。
[Abstract]:NAND FLASH memory is a storage device for wireless sensor network nodes. Sensor nodes to obtain data information in the monitoring area, and data exchange between nodes, makes the NAND FLASH memory frequently write operation, thus erasing times the physical block is not balanced, shorten the service life of the memory, and ultimately affect the entire sensor network the use of life. To solve the above problems, put forward a partition address mapping algorithm greedy strategy. The algorithm greedy choice according to the selected parameters of wear erase, physical block erase times small write operation, and the physical block erase times of configuration and experimental data migration, into the waiting erased. Through the software test by the way, show that the proposed algorithm can effectively realize and optimize the NAND FLASH memory wear leveling.

【作者單位】： 江西農(nóng)業(yè)大學(xué)計(jì)算機(jī)與信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61462038)資助
【分類號(hào)】：TN929.5;TP212.9;TP333
【正文快照】： 本文受國(guó)家自然科學(xué)基金(61462038)資助。1引言無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)(Wireless Sensor Networks,WSN)涉及大量的數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)記錄了監(jiān)控區(qū)域的各種信息,通過(guò)數(shù)據(jù)鏈路以及網(wǎng)絡(luò)拓?fù)鋵⑿畔母?jié)點(diǎn)傳遞到路由節(jié)點(diǎn),最后通過(guò)衛(wèi)星等手段使用戶獲得有效的數(shù)據(jù)。近年來(lái),無(wú)線傳感器技術(shù)逐漸

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