本文關(guān)鍵詞：硅微電容式加速度計(jì)熱致封裝效應(yīng)的層合分析

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【摘要】：由封裝結(jié)構(gòu)熱失配引入的應(yīng)力和結(jié)構(gòu)變形會(huì)對(duì)MEMS器件性能產(chǎn)生顯著影響,即熱致封裝效應(yīng)。為描述該效應(yīng),一種基于縮減剛度矩陣的層合板模型被用來(lái)對(duì)硅微電容式加速度計(jì)的封裝進(jìn)行了建模。利用經(jīng)典層合理論,由計(jì)算封裝熱失配引入的應(yīng)變和曲率得到敏感檢測(cè)電容的溫度特性,以此作為熱致封裝效應(yīng)的評(píng)估。并結(jié)合有限元模擬(FEM)對(duì)該理論模型進(jìn)行了對(duì)比和驗(yàn)證。結(jié)果表明,層合模型能較好地描述硅微加速度計(jì)的熱致封裝效應(yīng),并在此基礎(chǔ)上分析了優(yōu)化措施。
【作者單位】： 蘇州大學(xué)微納傳感技術(shù)研究中心;
【關(guān)鍵詞】： MEMS 硅微加速度計(jì) 熱致封裝效應(yīng) 層合板 縮減剛度矩陣
【基金】：國(guó)家自然基金重點(diǎn)項(xiàng)目(61434003)
【分類(lèi)號(hào)】：TH824.4
【正文快照】： 硅微電容式加速度計(jì)在封裝過(guò)程中由于材料的熱失配而引入的應(yīng)力和變形對(duì)其性能和可靠性有著顯著影響[1-2]。這種熱應(yīng)力在檢測(cè)電容極板產(chǎn)生的彎曲直接影響了敏感電容的溫度特性。對(duì)于此類(lèi)問(wèn)題,通常采用FEM模擬或?qū)嶒?yàn)觀測(cè)的方法來(lái)計(jì)算和優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)[3-9],缺少相應(yīng)的解析模型。

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 宋競(jìng);黃慶安;唐潔影;;MEMS器件熱致封裝效應(yīng)的解析建模研究[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2006年05期

2 游俠飛;吳昌聚;鄭陽(yáng)明;金仲和;;基于有限元法的MEMS加速度計(jì)熱應(yīng)力分析[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2012年02期

3 李振;張國(guó)軍;薛晨陽(yáng);薛南;劉宏;陳桂英;;MEMS仿生矢量水聽(tīng)器封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與研究[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2013年01期

4 李敏;張加宏;劉清`，

本文編號(hào)：547609