發(fā)布時(shí)間：2021-04-18 09:31

　　采用0.18μm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種基于VCO量化的電容式MEMS加速度計(jì)接口電路。電路基于VCO實(shí)現(xiàn)量化,可直接輸出數(shù)字信號(hào),克服了傳統(tǒng)模擬力反饋的非線性問(wèn)題,且不需要ADC或額外的比較器電路,大大降低了電路的復(fù)雜性。仿真結(jié)果表明,該接口電路系統(tǒng)噪聲基底為18μg·Hz^-1/2,最大非線性誤差為0.57%,電路功耗為6.7 mW,輸入帶寬和檢測(cè)范圍分別為2.5 kHz和±1.0 g。該接口電路達(dá)到較好的性能。 

【文章來(lái)源】：微電子學(xué). 2020,50(03)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

本文的接口電路

電路采樣頻率為300 kHz,遠(yuǎn)高于電路輸入帶寬(2.5 kHz),每個(gè)周期分為3個(gè)階段:1)彈簧彈性系數(shù)調(diào)制;2)電容檢測(cè);3)力反饋。開(kāi)關(guān)電容電路不同階段的電原理圖如圖4所示。圖3 時(shí)序圖

圖2 開(kāi)關(guān)電容電路彈簧彈性系數(shù)調(diào)制階段有兩個(gè)子階段:1)檢測(cè)電容(Csn、Csp)接入電源電壓VDD,進(jìn)行重置;2)接入共模電平(Vcm),進(jìn)行彈性系數(shù)調(diào)制。電原理圖如圖4(a)所示。


本文編號(hào)：3145244