采用0.18μm CMOS工藝,設計了一種基于VCO量化的電容式MEMS加速度計接口電路。電路基于VCO實現(xiàn)量化,可直接輸出數(shù)字信號,克服了傳統(tǒng)模擬力反饋的非線性問題,且不需要ADC或額外的比較器電路,大大降低了電路的復雜性。仿真結(jié)果表明,該接口電路系統(tǒng)噪聲基底為18μg·Hz^-1/2,最大非線性誤差為0.57%,電路功耗為6.7 mW,輸入帶寬和檢測范圍分別為2.5 kHz和±1.0 g。該接口電路達到較好的性能。 

【文章來源】：微電子學. 2020,50(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

本文的接口電路

電路采樣頻率為300 kHz,遠高于電路輸入帶寬(2.5 kHz),每個周期分為3個階段:1)彈簧彈性系數(shù)調(diào)制;2)電容檢測;3)力反饋。開關(guān)電容電路不同階段的電原理圖如圖4所示。圖3 時序圖

圖2 開關(guān)電容電路彈簧彈性系數(shù)調(diào)制階段有兩個子階段:1)檢測電容(Csn、Csp)接入電源電壓VDD,進行重置;2)接入共模電平(Vcm),進行彈性系數(shù)調(diào)制。電原理圖如圖4(a)所示。


本文編號：3145244