本文關(guān)鍵詞：光學(xué)相控器件調(diào)制誤差對(duì)干涉投影條紋的影響

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【摘要】：以馬赫澤德干涉光路結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),采用電光材料的光學(xué)相控技術(shù)產(chǎn)生用于光學(xué)形貌測(cè)量的干涉投影條紋。為了研究電光晶體作為光學(xué)相控器件的相位調(diào)制誤差對(duì)干涉條紋質(zhì)量的影響,建立了電光晶體對(duì)干涉條紋質(zhì)量的模型,分析晶體折射率、平面度與波前調(diào)制的關(guān)系及其對(duì)干涉條紋質(zhì)量的影響。仿真結(jié)果表明,電光晶體調(diào)制誤差會(huì)影響干涉條紋質(zhì)量。理想平面度下晶體折射率的畸變會(huì)使干涉條紋變形,折射率離散化階數(shù)直接影響投影條紋的高次諧波成分,甚至導(dǎo)致投影條紋嚴(yán)重失真;折射率理想的情況下,晶體平面度的差異也會(huì)造成干涉條紋不同程度的形變。
【作者單位】： 華北理工大學(xué)電氣工程學(xué)院;精密測(cè)試技術(shù)及儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(天津大學(xué));
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(No.51505125) 河北省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(No.E2013209266) 河北省高等學(xué)校科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目(No.QN2013114) 精密測(cè)試技術(shù)及儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金項(xiàng)目(No.PIL1301)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TH74
【正文快照】： 1引言精密測(cè)量技術(shù)是工業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),從生產(chǎn)發(fā)展的歷史來(lái)看,機(jī)械加工精度的提高總是與測(cè)量技術(shù)的發(fā)展水平密切相關(guān)的[1]。對(duì)于科學(xué)技術(shù)來(lái)說(shuō),測(cè)量與控制是使其發(fā)展的促進(jìn)因素,測(cè)量的精度和效率在一定程度上決定著科學(xué)技術(shù)的水平[2-3]。隨著微電子技術(shù)和微納技術(shù)的飛速發(fā)展,產(chǎn)品

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1297222