本文關(guān)鍵詞：硅V型槽表面形貌的OCT可視化測(cè)量

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【摘要】：介紹了一種硅V型槽表面形貌測(cè)量的可視化方法,分析了譜域OCT的測(cè)量原理。利用譜域OCT實(shí)驗(yàn)測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行了硅V型槽的成像實(shí)驗(yàn),得到了硅V型槽的二維層析圖像;通過(guò)分析二維層析圖像,獲取了硅V型槽的結(jié)構(gòu)尺寸,實(shí)現(xiàn)了硅V型槽表面形貌的高精度可視化測(cè)量。
【作者單位】： 渭南師范學(xué)院物理與電氣工程學(xué)院;陜西省X射線檢測(cè)與應(yīng)用研究開發(fā)中心;
【基金】：陜西省教育廳科研計(jì)劃項(xiàng)目(15JK1252,15JK1380) 渭南師范學(xué)院科研計(jì)劃項(xiàng)目(15ZRRC08);渭南師范學(xué)院特色學(xué)科建設(shè)項(xiàng)目(14TSXK07)
【分類號(hào)】：TH74
【正文快照】： 0引言硅V形槽(V-groove)是利用微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-electromechanical System,MEMS)工藝制作的主流無(wú)源器件[1]。在光通訊領(lǐng)域,硅V型槽用于光纖陣列(Fiber Array)中的高精度定位,利用高精度三維幾何尺寸的硅V型槽放置光纖,能夠?qū)崿F(xiàn)光電器件間隔的嚴(yán)格匹配,減少光電子器件和光纖

【相似文獻(xiàn)】

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