本文關鍵詞：輝光放電光譜激發(fā)源的射頻功率驅動及自動控制系統(tǒng)

  更多相關文章： 射頻 功率匹配 輝光放電 光譜儀 濺射 等離子體 可控硅

【摘要】：射頻輝光放電原子發(fā)射光譜儀(RF GD-OES)的顯著優(yōu)勢在于既能分析導體樣品,又能直接分析非導體固體樣品,在微納米非金屬涂鍍層材料的逐層分析領域有著廣泛應用。為此,介紹了射頻輝光放電光譜激發(fā)源采用的射頻功率電源及功率匹配器的工作原理,并結合雙向可控硅交流調壓技術研制了射頻電源的計算機自動控制系統(tǒng),給出了射頻輸出信號的計算機控制結果。采用本射頻功率驅動及自動控制系統(tǒng),結合自行研制的Grimm型輝光放電激發(fā)源,對有機防腐涂層樣品進行了濺射激發(fā),濺射效果良好。給出了濺射坑表面形貌圖以及顯微照片,經實驗測得,逐層濺射速率為52.9 nm/s。采用本系統(tǒng)對1Cr18Ni9Ti不銹鋼標準樣品進行了分析精密度測試,Cr、Cu、Ti、Al元素測試結果相對標準偏差(RSD)均2.6%。
【作者單位】： 河北大學電子信息工程學院;瑞士柯帕斯服務有限公司北京代表處;
【關鍵詞】： 射頻 功率匹配 輝光放電 光譜儀 濺射 等離子體 可控硅
【基金】：國家自然科學基金(61440006) 河北省自然科學基金(B2014201008)~~
【分類號】：TH744.11
【正文快照】： 0引言1輝光放電等離子體原子發(fā)射光譜儀(GD-OES)是一種可以對材料表面進行濺射激發(fā)、并分析其成分的大型分析儀器。被測材料表面在直流高壓或射頻功率的作用下,產生輝光等離子體特征光譜,分析此光譜信息可對材料表面各元素進行定性、定量分析。由于對樣品表面的原子化是逐層進

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【相似文獻】

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1 傅積，

本文編號：1014609