發(fā)布時(shí)間：2024-05-25 00:57

　　有源相控陣?yán)走_(dá)憑借其超遠(yuǎn)程探測(cè)距離、高精度測(cè)量能力、多目標(biāo)跟蹤和高數(shù)據(jù)更新率等諸多優(yōu)勢(shì)在軍用產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。有源相控陣?yán)走_(dá)中T/R組件的數(shù)量和作用決定了其生產(chǎn)成本和性能指標(biāo)的重要性,尤其是針對(duì)機(jī)載、彈載和星載等雷達(dá),T/R組件的體積和重量將決定戰(zhàn)機(jī)、導(dǎo)彈等國(guó)防設(shè)備的機(jī)動(dòng)性能,只有高性能、體積小、重量輕、低成本、高可靠性的T/R組件才能滿足日益復(fù)雜的作戰(zhàn)環(huán)境。從目前的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,單片微波集成電路和微波多芯片組件技術(shù)仍然是實(shí)現(xiàn)T/R組件小型化、降低成本的關(guān)鍵技術(shù)。本文從兩個(gè)方向展開工作,一是單片低噪聲放大器的設(shè)計(jì),二是利用微波多層板技術(shù)減小T/R組件的尺寸、降低加工成本。具體研究?jī)?nèi)容包括:一、系統(tǒng)的介紹了64單元T/R陣列的結(jié)構(gòu)框架及饋電方式,詳細(xì)闡述了單個(gè)T/R單元的電路結(jié)構(gòu)與性能指標(biāo),包括基本功能、技術(shù)要求以及制定了具體的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo),分別設(shè)計(jì)接收、發(fā)射通道,并根據(jù)各元器件電性能指標(biāo)進(jìn)行鏈路預(yù)算;二、基于0.13μm GaAs PHEMT工藝線設(shè)計(jì)了一款工作在K波段的單片低噪聲放大器,在工作頻段內(nèi),噪聲系數(shù)小于1.8dB,增益大于20d B,輸入輸出駐波比小于1.8,反向隔離度...

【文章頁(yè)數(shù)】：82 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 小型化T/R組件的研究背景
    1.2 國(guó)內(nèi)外發(fā)展動(dòng)態(tài)
    1.3 本文主要內(nèi)容與意義
第二章 T/R組件總體方案
    2.1 收發(fā)陣列總體方案
    2.2 T/R組件技術(shù)指標(biāo)
    2.3 發(fā)射通道設(shè)計(jì)
    2.4 接收通道設(shè)計(jì)
    2.5 本章小結(jié)
第三章 單片LNA設(shè)計(jì)
    3.1 器件與工藝
    3.2 單片LNA設(shè)計(jì)
        3.2.1 直流工作點(diǎn)選取
        3.2.2 偏置電路設(shè)計(jì)
        3.2.3 穩(wěn)定性分析
        3.2.4 輸入匹配電路設(shè)計(jì)
        3.2.5 輸出匹配電路設(shè)計(jì)
        3.2.6 LNA版圖設(shè)計(jì)與EM仿真
    3.3 本章小結(jié)
第四章 T/R組件中的無(wú)源電路研究
    4.1 MMCM技術(shù)
    4.2 T/R組件多層板選材及疊層結(jié)構(gòu)
    4.3 多層板中的帶狀線功分器設(shè)計(jì)
    4.4 多層板中的垂直互連研究
    4.5 天線接頭到多層板微帶線過(guò)渡
    4.6 電磁兼容性分析
        4.6.1 腔體諧振效應(yīng)
        4.6.2 接地孔對(duì)微帶線的影響
    4.7 本章小結(jié)
第五章 T/R組件設(shè)計(jì)與測(cè)試
    5.1 組件外圍饋電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
    5.2 T/R組件方案修改與版圖設(shè)計(jì)
    5.3 多層板功分網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)與測(cè)試
        5.3.1 一分八功分網(wǎng)絡(luò)仿真與測(cè)試
        5.3.2 單級(jí)功分器仿真與測(cè)試
    5.4 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)
    6.1 工作總結(jié)
    6.2 本文不足之處與改進(jìn)方案
致謝
參考文獻(xiàn)
攻碩期間取得的研究成果



本文編號(hào)：3981469