薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）陣列制程中,柵極、源極電路制作所用金屬材料限制因素較多,Mo/Al復(fù)合金屬層由于粘附能力強(qiáng),電阻率低等特點(diǎn)常被用于金屬互連工藝中制作導(dǎo)電線路。因此刻蝕加工Mo/Al薄膜是該生產(chǎn)過(guò)程的一個(gè)重要工藝段。金屬M(fèi)o/Al刻蝕液是在濕化品磷酸基溶液中加入硝酸、乙酸組成,Mo/Al復(fù)合層金屬膜刻蝕后錐度角一般控制在40°⁶0°之間。在實(shí)際生產(chǎn)中,實(shí)現(xiàn)刻蝕液對(duì)Mo、Al刻蝕速率的可控調(diào)節(jié),從而保證刻蝕后金屬玻璃基片的形貌非常重要,目前Mo/Al刻蝕液各組份在此過(guò)程所起的作用尚不清晰�；诖�,本文就Mo/Al金屬刻蝕速率、刻蝕機(jī)理以及優(yōu)化刻蝕液后金屬薄膜錐度角控制等問(wèn)題展開(kāi)具體的研究,以指導(dǎo)實(shí)際生產(chǎn)。采用正交實(shí)驗(yàn)和電化學(xué)測(cè)試方法等手段,以腐蝕速率作為判斷標(biāo)準(zhǔn),初步確定了單金屬鋁腐蝕時(shí),磷酸、硝酸、乙酸的最優(yōu)濃度比例為磷酸（65.28%）、硝酸（4.46%）、乙酸（4.0%）。根據(jù)單酸、關(guān)鍵組分二元酸的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)合Al薄膜玻璃基片腐蝕實(shí)驗(yàn)XPS表征結(jié)果,對(duì)鋁的腐蝕機(jī)理以及三酸各自的腐蝕作用進(jìn)行探究。結(jié)果表明,磷酸在金屬鋁腐蝕過(guò)程中主要起到溶解金... 

【文章來(lái)源】：浙江工業(yè)大學(xué)浙江省

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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TFT-LCD構(gòu)造簡(jiǎn)圖

浙江工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文顯示信號(hào)能夠改變加在液晶面板上的電壓，通過(guò)控制像素點(diǎn)中液晶分將來(lái)自背光源的光調(diào)制產(chǎn)生不同的色彩、亮度等顯示效果，從而顯示4]。晶顯示器制造工藝簡(jiǎn)述-LCD在當(dāng)前的生產(chǎn)過(guò)程中有較成熟的制造工藝，工藝流程精細(xì)且復(fù)雜技術(shù)含量高，從液晶面板制造的角度可以分為三大工序，分別為：T（Array工序）、液晶單元工序（Cell工序）、模組工序（Module工組裝驅(qū)動(dòng)部件組裝

圖 1-4 刻蝕工藝示意圖[6]Figure 1-4. Schematic diagram of the etching process刻蝕工藝在 TFT-LCD、微電子、光電子、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、集成電路（IC）、印刷電路等微細(xì)圖形加工中應(yīng)用廣泛。依照工藝的差異，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕 ；根據(jù)刻蝕的特點(diǎn)，其也可分為有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕。有圖形的刻蝕，其材料表面具有有圖形的光刻膠，通過(guò)曝光顯影之后，有圖形的刻蝕可以在材料上制作多種不同的特征圖形，包括柵極、金屬互聯(lián)線、通孔、接觸孔和溝槽等[65,66]，無(wú)圖形刻蝕主要是用來(lái)剝離掩蔽層[67]；按照被刻蝕的材料劃分，刻蝕工藝又被分為介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅、氮化硅，此種材料大多用于半導(dǎo)體制程中，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）[68]、計(jì)算機(jī)閃存設(shè)備（NAND）中。硅刻蝕包括單晶硅和多晶硅，單晶硅刻蝕應(yīng)用在制作半導(dǎo)體器件溝槽，多晶硅刻蝕在場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）器件[69]中得到應(yīng)用。金屬刻蝕應(yīng)用于液晶面板 TFT 制程中，主要是在 Array 工序中 5Mask 工藝上需要對(duì)金屬 Al、Mo、Cu、Ti、ITO 等組成的復(fù)合金屬進(jìn)行刻

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[2]AlNiGd金屬玻璃相變光刻濕法刻蝕工藝研究[D]. 黃君竹.華中科技大學(xué) 2015
[3]溝槽柵MOSFET芯片級(jí)失效分析的研究[D]. 時(shí)俊亮.復(fù)旦大學(xué) 2013
[4]用于LCD的LED背光源配光設(shè)計(jì)[D]. 肖簫.華南理工大學(xué) 2012
[5]TFT Active層成膜Particle的分析與研究[D]. 常曙光.復(fù)旦大學(xué) 2011
[6]J公司液晶面板生產(chǎn)效能提升過(guò)程研究[D]. 黎午升.吉林大學(xué) 2011
[7]大尺寸面板液晶顯示屏陣列工藝中的金屬鉬刻蝕研究[D]. 荀本鵬.電子科技大學(xué) 2007



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